产品说明
Sirenza的微器件“
SDM-09060-B1F
65W的功率模块是一个强大的
阻抗相匹配，单级，推挽AB类放大器MOD-
乌莱适合用作功率放大器驱动器或输出级。该
功率晶体管使用Sirenza的最新的，高perfor-制造
曼斯LDMOS工艺。它是一种插入式，不调溶液为高功率
需要高效率，出色的线性度和单位用于─应用
单位可重复性。据内部匹配到50欧姆。
SDM-09060-B1F
SDM-09060-B1FY
925-960 MHz的AB类
65W功率放大器模块
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
功能框图
VGS
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
1
VDS
1
180
GND
平衡不平衡转换器
RF
in
平衡不平衡转换器
RF
OUT
o
0
o
产品特点
GND
GND
0
o
GND
180
o
VGS
2
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
VDS
2
提供符合RoHS标准包装
50
W
RF阻抗
65W输出P
1dB
单电源供电：标称28V
高增益：17分贝942兆赫
高效率：在942 MHz的44 ％
ESD保护： JEDEC 2级（ 2000V HBM ）
应用
基站PA驱动器
中继器
CDMA
GSM / EDGE
单位
兆赫
W
dB
dB
%
%
dB
dBc的
nS
度
摄氏度/ W
-
-
-
-
分钟。
925
60
16
-
32
典型值。
-
65
17
0.3
34
44
-15
-31
4.0
0.5
1.5
马克斯。
960
-
-
0.5
-
-
-10
-27
-
-
案例法兰=接地
关键的特定连接的阳离子
符号
频率
P
1dB
收益
增益平坦度
效率
效率
IRL
IMD
延迟
相位线性度
R
TH
参数
操作的频率
在1dB压缩输出功率， 943兆赫
增益60W PEP ， 942MHz和943MHz
峰 - 峰值增益变化， 60W PEP ， 925 - 960MHz的
漏极效率为60W PEP ， 942MHz和943MHz
漏极效率为60W CW ， 942MHz
输入回波损耗PEP 60W的输出功率， 925 - 960MHz的
三阶IMD产品， 60W PEP ， 942MHz和943MHz
信号延迟，从3针到8针
从线性相位偏差（峰 - 峰）
热阻（结到管壳）
T
测试条件
in
= Z
OUT
= 50, V
DD
= 28.0V ，我
DQ1
= I
DQ2
= 300毫安牛逼
轮缘
= 25C
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
2000
1.2 X 10
6
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 104211Rev é
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
引脚说明
针＃
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
描述
LDMOS FET Q1栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
模块顶边地上。
模块， RF输入。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q2的栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
LDMOS FET Q2漏极偏置。见注1 。
模块的RF输出。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q1漏极偏置。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
简化的设备示意图
1
2
3
4
5
案例法兰=接地
Q2
10
Q1
9
8
7
6
注1 ：
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的，但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 ：
栅极电压必须施加到V
GS
同时与领导
或应用漏极电压后，以防止潜在的
破坏性的振荡。偏置电压不应该被应用
到一个模块，除非它被适当地端接在输入和
输出。
注3 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压LDMOS晶体管的变化。
单位
V
DBM
注4 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
注5 ：
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ° F，且所述钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 （ www.sirenza.com ）的
进一步的安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
控制（门）电压， VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+37
5:1
15
+200
-20
+90
-40
+100
VSWR
V
C
C
C
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.sirenza.com
EDS - 104211冯é
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
典型性能曲线
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，噘= 60W PEP ，台达F = 1兆赫
70
60
增益（dB ） ，效率（％ ）
50
40
30
20
10
0
900
920
940
频率（MHz）
960
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
980
增益（dB ） ，效率（％ ）
45
40
35
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
IMD （ DBC）
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
噘嘴（W PEP ）
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-65
-70
100
CW增益，效率， IRL与频率VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，
Pout=60W
50
0
20
19
18
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，频率= 942 MHz的
60
55
50
45
40
35
30
25
效率（％）
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
17
输入回波损耗（dB ）
16
增益（dB ）
15
14
13
12
11
30
收益
效率
IRL
-10
20
-15
收益
效率
20
15
10
5
0
100
10
-20
10
9
0
900
920
940
960
-25
980
8
0
20
40
的Pout （W）的
60
80
频率（MHz）
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
典型性能曲线（续）
CW增益，效率， IRL与电源电压
噘嘴= 60W ， IDQ = 0.6A ，频率= 942 MHz的
双色增益，效率， IRL ， IMD与电源电压
噘嘴= 60W PEP ， IDQ = 0.6A ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
0
60
0
60
增益（dB ） ，效率（％ ）
收益
40
效率
IRL
-10
40
-20
30
-15
30
-30
20
-20
20
-40
10
-25
10
-50
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS （伏特）
-30
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS （伏特）
-60
CW增益VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 942 MHz的
20
-25
-30
IM3 VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
19.5
Idq=0.8A
-35
Idq=0.4A
Idq=0.5A
增益（dB ）
-40
-45
-50
Idq=0.7A
增益（dB ）
Idq=0.6A
Idq=0.5A
Idq=0.4A
Idq=0.6A
Idq=0.8A
19
18.5
-55
-60
IDQ = 0.7A
18
0
10
20
30
40
的Pout （W）的
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
70
80
噘嘴（W PEP ）
注意：
可以用Sirenza的网站评价测试夹具的信息，被称为SDM -EVAL 。
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输入回波损耗（分贝） ， IMD （ DBC） 。
50
-5
50
收益
IRL
IM5
效率
IM3
IM7
-10
输入回波损耗（dB ）
增益（dB ） ，效率（％ ）
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
封装外形图
注意：
请参考应用笔记AN054 ， “详细的安装说明电源模块”的详细安装信息。
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产品说明
Sirenza的微器件“
SDM-09060-B1F
65W的功率模块是一个强大的
阻抗相匹配，单级，推挽AB类放大器MOD-
乌莱适合用作功率放大器驱动器或输出级。该
功率晶体管使用Sirenza的最新的，高perfor-制造
曼斯LDMOS工艺。它是一种插入式，不调溶液为高功率
需要高效率，出色的线性度和单位用于─应用
单位可重复性。据内部匹配到50欧姆。
SDM-09060-B1F
SDM-09060-B1FY
925-960 MHz的AB类
65W功率放大器模块
Pb
＆放大器;
绿色
包
符合RoHS
功能框图
VGS
+ 3V直流到+6 V DC
+ 28V DC
1
VDS
1
180
o
0
o
GND
平衡不平衡转换器
RF
in
平衡不平衡转换器
GND
RF
OUT
GND
0
+ 3V直流到+6 V DC
o
GND
180
o
VGS
2
+ 28V DC
VDS
2
产品特点
提供符合RoHS标准包装
50
W
RF阻抗
65W输出P
1dB
单电源供电：标称28V
高增益：17分贝942兆赫
高效率：在942 MHz的44 ％
ESD保护： JEDEC 2级（ 2000V HBM ）
应用
基站PA驱动器
中继器
CDMA
GSM / EDGE
单位
兆赫
W
dB
dB
%
%
dB
dBc的
nS
度
摄氏度/ W
-
-
-
-
分钟。
925
60
16
-
32
典型值。
-
65
17
0.3
34
44
-15
-31
4.0
0.5
1.5
马克斯。
960
-
-
0.5
-
-
-12
-27
-
-
案例法兰=接地
关键的特定连接的阳离子
符号
频率
P
1dB
收益
增益平坦度
效率
效率
IRL
IMD
延迟
相位线性度
R
TH
参数
操作的频率
在1dB压缩输出功率， 943兆赫
增益60W PEP ， 942MHz和943MHz
峰 - 峰值增益变化， 60W PEP ， 925 - 960MHz的
漏极效率为60W PEP ， 942MHz和943MHz
漏极效率为60W CW ， 942MHz
输入回波损耗PEP 60W的输出功率， 925 - 960MHz的
三阶IMD产品， 60W PEP ， 942MHz和943MHz
信号延迟，从3针到8针
从线性相位偏差（峰 - 峰）
热阻（结到管壳）
T
测试条件
in
= Z
OUT
= 50, V
DD
= 28.0V ，我
DQ1
= I
DQ2
= 300毫安牛逼
轮缘
= 25C
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200 C通道
o
单位
伏
小时
典型
2000
1.2 X 10
6
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，并且所有这些
信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的微器件
不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的微型器件公司全球版权所有。
303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS- 104211Rev
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
引脚说明
针＃
1
2,4,7,9
3
5
6
8
10
轮缘
功能
V
GS1
地
RF输入
V
GS2
V
D2
RF输出
V
D1
地
模块顶边地上。
模块， RF输入。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q2的栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
LDMOS FET Q2漏极偏置。见注1 。
模块的RF输出。该引脚在内部连接到DC接地。不要直流电压，适用于RF引线。必须注意
采取防止视频瞬变可能损坏有源器件。
LDMOS FET Q1漏极偏置。见注1 。
底板提供电接地和用于所述装置的热传递路径。正确安装保证
最佳性能和最高的可靠性。见Sirenza的应用笔记AN- 054详细安装说明
电源模块。
描述
LDMOS FET Q1栅极偏置。 V
gsth
3.0到5.0伏。见注释2 ， 3和4
简化的设备示意图
1
2
3
4
5
案例法兰=接地
Q2
10
Q1
9
8
7
6
注1 ：
内部RF去耦包含在所有偏导。没有额外
tional旁路元素是必需的，但有些应用
系统蒸发散可能要求在V储能
D
导致
适应调制的信号。
注2 ：
栅极电压必须施加到V
GS
同时与领导
或应用漏极电压后，以防止潜在的
破坏性的振荡。偏置电压不应该被应用
到一个模块，除非它被适当地端接在输入和
输出。
注3 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
模块到模块和V之间可能会有所不同
GS1
和V
GS2
on
由于正常的相同模块多达±0.10伏
芯片对芯片的阈值电压LDMOS晶体管的变化。
单位
V
DBM
注4 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏温度补偿。
注5 ：
这个模块被设计为具有它导致手
焊接到相邻的印刷电路板。最大钎焊烙铁头
温度不应超过700 ℃，钎焊烙铁
前端不应该在与导线直接接触为长于
10秒。请参考应用笔记AN054 （ www.sirenza.com ）的
进一步的安装说明。
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DD
)
RF输入功率
负载阻抗连续运行无
损坏
控制（门）电压， VDD = 0 VDC
输出设备通道温度
工作温度范围
存储温度范围
价值
35
+37
5:1
15
+200
-20
+90
-40
+100
VSWR
V
C
C
C
此设备的运行超出这些限制的任何一个可能导致人员
永久性的损坏。为了保证可靠的连续运行看典型设置val-
1页表中指定的UE。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 104211版D
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
典型性能曲线
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，噘= 60W PEP ，台达F = 1兆赫
70
60
增益（dB ） ，效率（％ ）
50
40
30
20
10
0
900
920
940
频率（MHz）
960
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
45
40
35
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
IMD （ DBC）
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
-20
-30
-40
-50
-60
-70
980
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
噘嘴（W PEP ）
收益
IM3
IM7
效率
IM5
-65
-70
100
CW增益，效率， IRL与频率VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，
Pout=60W
50
0
20
19
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 0.6A ，频率= 942 MHz的
60
55
50
45
40
35
30
25
效率（％）
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
-5
输入回波损耗（dB ）
18
17
16
增益（dB ）
15
14
13
12
11
30
收益
效率
IRL
-10
20
-15
收益
效率
20
15
10
5
10
-20
10
9
0
900
920
940
960
-25
980
8
0
20
40
的Pout （W）的
60
80
0
100
频率（MHz）
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
http://www.sirenza.com
EDS - 104211版D
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
典型性能曲线（续）
60
CW增益，效率， IRL与电源电压
噘嘴= 60W ， IDQ = 0.6A ，频率= 942 MHz的
双色增益，效率， IRL ， IMD与电源电压
噘嘴= 60W PEP ， IDQ = 0.6A ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
0
60
0
增益（dB ） ，效率（％ ）
收益
40
效率
IRL
-10
40
-20
30
20
-15
-20
30
-30
20
-40
10
-25
10
-50
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS （伏特）
-30
0
18
20
22
24
26
28
30
32
VDS （伏特）
-60
20
CW增益VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 942 MHz的
-25
-30
IM3 VS噘各种IDQ
VDS = 28V ，频率= 942兆赫，台达F = 1兆赫
19.5
Idq=0.8A
Idq=0.7A
-35
增益（dB ）
-40
-45
-50
-55
Idq=0.4A
Idq=0.5A
Idq=0.6A
Idq=0.8A
IDQ = 0.7A
增益（dB ）
19
Idq=0.6A
Idq=0.5A
Idq=0.4A
18.5
18
0
10
20
30
40
的Pout （W）的
50
60
70
80
-60
0
10
20
30
40
50
60
70
80
噘嘴（W PEP ）
注意：
可以用Sirenza的网站评价测试夹具的信息，被称为SDM -EVAL 。
303 S.科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 104211版D
输入回波损耗（分贝） ， IMD （ DBC） 。
50
-5
50
收益
IRL
IM5
效率
IM3
IM7
-10
输入回波损耗（dB ）
增益（dB ） ，效率（％ ）
SDM - 09060 - B1F 925-960 MHz的65W功率放大器模块
封装外形图
注意：
请参考应用笔记AN054 ， “详细的安装说明电源模块”的详细安装信息。
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5
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