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SMG2305
-4.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
公司Bauelemente
P沟道增强模式电源Mos.FET
符合RoHS产品
描述
A
SC-59
暗淡
A
民
2.70
1.40
1.00
0.35
1.70
0.00
0.10
0.20
0.85
2.40
最大
3.10
1.60
1.30
0.50
2.10
0.10
0.26
0.60
1.15
2.80
该SMG2305为设计者提供了最好的
快速切换的组合，低导通电阻
和成本效益。
该SMG2305普遍首选的所有商业
工业表面贴装应用程序，并适用于低
L
3
顶视图
S
2
B
1
B
C
D
电压应用，如DC / DC转换器。
G
D
G
H
C
J
K
特点
*超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
*可靠，坚固耐用
H
漏
门
来源
J
K
L
S
应用
*在笔记本电脑的电源管理
*的Protable设备
*电池供电系统
D
单位：mm外形尺寸
G
标记： 2305
S
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
线性降额因子
工作结存储温度范围
TJ ， TSTG
3
3
符号
V
DS
V
GS
o
I
D
@T
A
=25
C
评级
-20
±12
-4.2
-3.4
-10
1.38
0.01
-55~+150
单位
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
o
I
D
@T
A
=70
o
C
I
DM
P
D
@T
A
=25
o
C
C
热数据
参数
热阻结到环境
3
符号
Rthj -A
评级
90
o
单位
C / W
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
4
SMG2305
公司Bauelemente
-4.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
Ω
P沟道增强模式电源Mos.FET
电气特性（ TJ = 25℃
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 25
C
)
漏极 - 源极漏电流（ TJ = 70
C
)
o
o
o
除非另有规定编）
分钟。
-20
_
符号
BV
DSS
BV
DS
/ TJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
典型值。
_
马克斯。
_
_
单位
V
V/
V
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250uA
V
GS
=
±
12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0
V
DS
=-16V,V
GS
=0
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
o
-0.1
_
_
_
_
_
_
-0.5
_
_
_
_
_
_
±
100
-1
-10
53
65
100
250
_
静态漏源导通电阻
2
R
DS （ ON）
_
_
_
_
m
Ω
V
GS
= -2.5V ，ID = -2A
V
GS
= -1.8V ，ID = -1A
总栅极电荷
2
Qg
QGS
QGD
Td
（上）
Tr
Td
（关闭）
Tf
西塞
科斯
CRSS
政府飞行服务队
_
_
_
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
167
126
9
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
正向跨导
_
_
_
nC
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
_
_
_
_
_
_
_
V
DS
=-15V
I
D
=-4.2A
nS
V
GS
=-10V
R
G
=6
Ω
R
D
=3.6
Ω
_
_
_
_
_
_
pF
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
_
_
S
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
2
符号
V
SD
TRR
QRR
分钟。
_
_
典型值。
_
马克斯。
-1.2
单位
V
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V.
Is=-4.2A,V
GS
=0V
dl/dt=100A/uS
反向恢复时间
反向恢复电荷
27.7
_
_
nS
_
22
nC
注： 1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度
≦
300US ，占空比
≦
2%.
3.表面安装在1英寸
2
FR4电路板的铜垫; 270
° C / W
安装在最小的时候。铜垫。
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SMG2305
公司Bauelemente
-4.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
65m
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P沟道增强模式电源Mos.FET
特性曲线
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SMG2305
公司Bauelemente
-4.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
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P沟道增强模式电源Mos.FET
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SDB310D_1
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S-93C86BD4I-T8T2G
SN54ALS138A_08
供货商
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封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    SMG2305
    -
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SMG2305
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