【半导体SDB310D肖特基二极管特点低功耗整流硅外延型高可靠性订购信息型号SDB310D记号B1封装】,IC型号SDB310D_1,SDB310D_1 PDF资料,SDB310D_1经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

SDB310D

肖特基二极管

特点

低功耗整流

硅外延型

高可靠性

订购信息

型号

SDB310D

记号

B1

封装代码

SOD-323

外形尺寸

单位：

mm

0.35最大。

2.35~2.65

1.60~1.80

1.15~1.35

2

1

阴极标记

0.19最大。

0.80~1.00

2

1

0.20 MIN 。

0.10最大。

引脚连接

1.阳极

2.阴极

KSD-C002-000

1

SDB310D

绝对最大额定值

特征

反向电压

重复峰值正向电流

正向电流

非重复性峰值正向电流（ 10毫秒）

功耗

结温

储存温度

Ta=25°C

符号

V

R

I

FRM *

I

F

I

FSM

P

D

T

j

T

英镑

评级

30

0.5

0.2

2

150

150

-55 ~ 150

单位

V

A

A

A

mW

°C

°C

* :

δ

= D / T = 0.33

(T<1S)

*：股评级。总评分=单位等级×1.5

电气特性

特征

正向电压1

正向电压2

反向电流

总电容

反向恢复时间

Ta=25°C

符号

V

F(1)

V

F(2)

I

R

C

T

t

rr

I

F

=30mA

V

R

=30V

测试条件

I

F

=10m

A

分钟。典型值。马克斯。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

0.4

0.5

1

10

5

单位

V

V

A

pF

ns

V

R

= 1V ， F = 1MHz的

I

F

= I

R

= 10毫安，我

RR

= 1毫安，R

L

=100

KSD-C002-000

2

SDB310D

电气特性曲线

图。 1 I

F

-V

F

图。 2我

R

-V

R

图。的3C

T

-V

R

KSD-C002-000

3

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