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SMBTA06U
NPN硅AF晶体管阵列
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型： SMBTA56U （ PNP ）
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
5
6
4




3
2
1
VPW09197
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07178
TYPE
SMBTA06U
最大额定值
参数
记号
s1G
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
80
80
4
500
1
100
200
330
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
A
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

105
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
SMBTA06U
电气特性
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
80
80
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
100
V
nA
A
nA
-
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 60 V,
I
B
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
基极 - 发射极电压1）
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
100
100
V
CESAT
V
BE（上）
-
-
-
-
-
-
0.25
1.2
V
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
12
-
pF
f
T
-
100
-
兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤
300μS ，D = 2％
2
Nov-30-2001
SMBTA06U
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(
T
A
)
V
CB
= 80V
400
mW
10
4
nA
EHP00820
Ι
CBO
300
10
3
5
10
2
5
10
1
5
10
0
5
10
-1
0
50
最大
P
合计
250
200
典型值
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
100
T
A
C 150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
10
2
R
thjs
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0
10
-1 -6
10
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0
10
-5
P
totmax
/ P
totDC
-4
-3
-2
0
10
1
10
10
10
s
10
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
3
Nov-30-2001
SMBTA06U
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
EHP00818
10
3
EHP00819
Ι
C
mA
100 C
25 C
-50 C
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
V
CESAT
0.8
10
-1
0
0.5
1.0
V
1.5
V
BESAT
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1V
EHP00821
集电极电流
I
C
=
f
(
V
BE
)
V
CE
= 1V
EHP00815
10
3
h
FE
100 C
10
2
25 C
10
3
mA
Ι
C
10
2
5
100 C
25 C
-50 C
-50 C
10
1
5
10
1
10
0
5
10
0 -1
10
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
-1
0
0.5
1.0
V
BE
V
1.5
Ι
C
4
Nov-30-2001
SMBTA06U
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
f
T
5
EHP00817
10
2
5
10
1
10
0
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
Ι
C
5
Nov-30-2001
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