完整的DDR电源解决方案
电源管理
描述
该SC2616是一款完全集成的DDR电源解决方案亲
人们提供动力为VDDQ和VTT的轨道。在SC2616
也完全附着在ACPI休眠状态时功耗
要求。同步降压控制器提供
高电流的VDDQ在高效率的,而
线性汇/源稳压器提供终止
电压2安培源/汇的能力。这种方法
使得成本和perfor-之间的最佳平衡点
曼斯。额外的逻辑和UVLOs完成功能
在这种并发症的单芯片DDR电源解决方案的族体
ANCE与S3和S5主板信号。
该SC2616可输出高达20A的中
切换输出,以及2A源出/吸入的VTT输出。
该MLP封装提供卓越的热阻抗
在保持体积小巧。 VDDQ电流限制,以及
作为3个独立的热关断电路,保证安全
所有的故障情况下的操作。
SC2616
特点
高效率( 90 % )转换为
VDDQ电源
20安培
大电流栅极驱动器
单芯片解决方案完全符合ACPI电源
测序规格
内部S3状态LDO
供应高备用
VDDQ电流( 0.65Amp最小值。 )
ACPI休眠状态控制
2安培VTT源出/吸入电流能力
UVLO的5V和12V
为VDDQ和VTT独立的热关断
快速瞬态响应
18引脚MLP封装
应用
每ACPI DDR内存电源解决方案
主板规格
高速数据线端接
记忆卡
典型应用电路
5V
12V
10uF
5V待机
0.1uF
挂起到RAM
挂起到磁盘
S3
S5
16
4
11
10
18
17
0.1uF
12
3
2
0.1uF
CIN
10k 10k
U4 SC2616
12VCC
5VSBY
SLP_S3
SLP_S5
SS / EN
COMP
HSINKPAD
AGND
LGND
VTTSNS
5VCC
TG
BG
保护地
VDDQSTBY
VDDQIN
FB
VTT
VTT
1uF
9
15
14
13
7
8
1
6
5
0.1uF
VTT
L
0.1uF
COUT
VDDQ
19
版本3 , 2003年3月
1
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SC2616
电源管理
双5V典型应用电路图
5V
CIN
5VSTBY
5V
插件tantly可用
ACPI控制器
(SC1549)
5V双
0.1uF
12V
1uF
5V待机
0.1uF
挂起到RAM
挂起到磁盘
S3
S5
10k
10k
16
4
11
10
18
17
0.1uF
12
3
2
U4 SC2616
12VCC
5VSBY
SLP_S3
SLP_S5
SS / EN
COMP
HSINKPAD
AGND
LGND
VTTSNS
CIN
1uF
5VCC
TG
BG
保护地
VDDQSTBY
VDDQIN
FB
VTT
VTT
9
15
14
13
7
8
1
6
5
2 AMP
0.1uF
L
0.1uF
VDDQ
COUT
VTT
图1: ACPI控制器提供“永远在线”的5V电源,省去了背对背的MOSFET。 (见
应用部分)
19
2003升特公司
2
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SC2616
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格,可能会导致该设备,或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分,是不是暗示。
参数
电源电压, 5VCC至AGND
电源电压, 12VCC至AGND
待机输入电压
输入
AGND至PGND或LGND
VTT输出电流
工作环境温度范围
工作结温
热阻结到环境*
热阻结到管壳*
储存温度
引线温度(焊接) 10秒
TG / BG直流电压
TG / BG交流电压
ESD额定值(人体模型)
符号
V
5V C C
V
12V C C
V
5V S B
I / O
最大
7
15
7
5VSTBY +0.3 , AGND -0.3
0.3
单位
V
V
V
V
V
A
°C
°C
° C / W
° C / W
°C
°C
V
V
kV
I
O( VTT )
T
A
T
J
θ
JA
θ
JC
T
英镑
T
领导
±2
0到70
125
25
4
-65到150
300
12Vcc + 0.3 , -0.5 AGND
12Vcc + 1.0 , -1.0 AGND
ESD
2
电气特性
除另有规定:T已
A
= 25°C , 12VCC = 12V , 5VCC = 5V , 5VSBY = 5V 。
*
请参阅安装注意事项。
符号
V
5V C C
V
12V C C
V
5V S B
I
Q(5VSBY)
S 0, S 5
S3
条件
民
4.5
10.8
4.5
典型值
5
12
5
1.8
3.5
TTL
UVLO
12VCC
UVLO
5VCC
V
REF
I
FB
V
EN( TH)的
T
J- SHDN
T
J- HYST
3
参数
5V电源电压
12V电源电压
5V待机电压
静态电流
S3 / S5阈值
12VCC欠压锁定
5VCC欠压锁定
反馈参考
反馈电流
SS / EN关断阈值
热关断
热关断迟滞
2003升特公司
最大
5.5
13.2
5.5
2.5
5.0
单位
V
V
V
mA
V
7
3.5
8.2
3.7
1.25
10
4
V
V
V
V
FB
= 1.25V
0.3
150
10
2
A
V
°C
°C
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电气特性(续)
除另有规定:T已
A
= 25°C , 12VCC = 12V , 5VCC = 5V , 5VSBY = 5V 。
参数
SW itcher
负载调整率
振荡器频率
软启动电流
占空比
过电流跳闸电压
顶栅上升时间
顶栅下降时间
底栅上升时间
底栅下降时间
死区时间
误差放大器跨导器
误差放大器的增益@ DC
误差放大器的带宽
误差放大器源出/吸入电流
调制器的增益
电源良好低
电源良好高漏
铽 LD
输出电流
负载调整率
电流限制
V TT LD
输出电压
源和吸收电流
负载调整率
误差放大器增益器
电流限制
符号
条件
民
典型值
最大
单位
I
VDDQ
= 0A至10A ; S0 ;图2 :
f
OSC
I
SS
0
V
旅
TG
R
TG
F
BG
R
BG
F
t
d
gm
A
EA
G
BW
R
COMP
=打开
% VDDQ设置点的
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
栅极电容= 4000pF
20
50
225
0.2
250
25
80
60
25
25
35
35
50
0.8
38
5
± 60
70
275
%
千赫
A
%
%
nS
nS
nS
nS
nS
mS
dB
兆赫
A
dB
400
2
mV
A
A
M
V
IN
= 5V
I
PWRGD
= 1mA时,接收器
V
PWRGD
= 5V ; S0
19
50
0.1
I
VDDQSTBY
V/
I
I
LIM
直流电流
I
VDDQ
= 0A为750mA ; S3 ; Fig1 :
S3 = 0, VTT的浮动
750
0.5
1
mA
%
A
VTT
I
VTT
VTT /
I
A
EA_VTT
VTT
ILIM
V
VDDQSTBY
= 2.500V
1.235
±1.8
1.250
1.265
V
A
I
VTT
= + 1.8A到-1.8A
75
S3 =高
3
±1
%
dB
A
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SC2616
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引脚配置
顶视图
FB
VTTSNS
LGND
5VSBY
VTT
VTT
VDDQSTBY
VDDQIN
5VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
SS / EN
COMP
12VCC
TG
BG
保护地
AGND
SLP_S3
SLP_S5
订购信息
产品编号
SC2616MLTR
(1)
P ackag ê
MLP-18
注意:
( 1 )只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
( 18引脚MLP )
注:引脚19是在底部的散热垫
该装置的
引脚说明
针#
1
2
3
4
5, 6
7
引脚名称
FB
VTTSNS
LGND
5V S B
VTT
引脚功能
反馈的待机LDO和切换器的VDDQ 。
VTT LDO反馈和远程感测输入。
VTT回报。连接到负载点的回报。跟踪连接到该引脚必须能够携带
2安培。
偏置电源芯片。连接到5V待机。
VTT回报。连接到负载点的回报。跟踪连接到该引脚必须能够携带
2安培。
VDDQSTBY S3 VDDQ输出。必须作出规定,以防止回喂养VDDQSTBY供应
输入电压(见典型应用电路图) 。连接到该引脚的走线必须是
能够刘铭传1安培。
VDDQIN
5V C C
S LP _s 5
S LP _s 3
AGND
保护地
BG
TG
12V C C
COMP
SS / EN
TH_PAD
VDDQ电源输入VTT LDO 。跟踪连接到该引脚必须能够携带2安培。
供应低侧栅极驱动器。
连接到S5的信号从主板。
连接到S3的信号从主板。
模拟地。
栅极驱动的回报。保持此引脚接近底部FET的源。
底栅驱动器。
顶栅驱动器。
供给到上部和下部栅极驱动器。
补偿引脚的PWM跨导放大器。
软启动电容到GND 。拉低至低于0.3V禁用控制器。
铜垫用于散热片的底部。该引脚在内部连接到AGND 。
5
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8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
2003升特公司