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NPN硅晶体管
SMBT 6428
SMBT 6429
q
对于AF输入级和驱动器应用
q
高电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
TYPE
SMBT 6428
SMBT 6429
记号
s1K
s1L
订购代码
(磁带和卷轴)
Q68000-A8321
Q68000-A8322
引脚配置
1
2
3
B
E
C
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗,
T
S
=
71 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
310
240
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
SMBT 6428
SMBT 6429
50
60
45
55
6
200
330
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
mW
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBT 6428
SMBT 6429
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安
SMBT 6428
SMBT 6429
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
SMBT 6428
SMBT 6429
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 30 V,
I
B
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5 V
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5 V
I
C
=
1毫安,
V
CE
= 5 V
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
SMBT 6428
SMBT 6429
V
CESAT
V
BE(上)
0.56
0.2
0.6
0.66
V
(BR)CE0
50
45
V
(BR)CB0
60
55
V
(BR)EB0
I
CB0
I
CE0
I
EB0
h
FE
250
500
250
500
250
500
250
500
650
1250
V
10
10
100
10
nA
A
nA
6
V
典型值。
马克斯。
单位
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安,
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安,
I
B
= 5毫安
基射极电压
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 5 V
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
2
SMBT 6428
SMBT 6429
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 5毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
f
T
C
敖包
C
IBO
100
700
3
15
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
半导体集团
3
SMBT 6428
SMBT 6429
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
4
SMBT 6428
SMBT 6429
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 40
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 40
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 1 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 1 V
半导体集团
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SMBT6429
    -
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    -
    -
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贴◆插
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