WTE
功率半导体
SB820D - SB8100D
8.0A
2
PAK表面贴装肖特基整流器
特点
!
!
肖特基芯片
C
J
保护环片施工
A
瞬态保护
!
高电流能力
!
低功耗，高效率
B
!
高浪涌电流能力
D
E
销1
2
3
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
G
保护应用
H
K
P
P
D
2
PAK/TO-263
暗淡
民
最大
A
9.8
10.4
B
9.6
10.6
C
4.4
4.8
D
8.5
9.1
E
—
0.7
G
1.0
1.4
H
—
0.9
J
1.2
1.4
K
0.3
0.7
P
2.35
2.75
尺寸：mm
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：负极频带
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
标准包装： 24毫米磁带（ EIA- 481 ）
PIN 1 -
PIN 3 -
+
案例2 PIN
Potive CT
PIN 1 +
PIN 3 +
-
案例2 PIN
CT阴性
后缀为“N ”
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
SB
820D
SB
830D
SB
840D
SB
850D
SB
860D
SB
880D
SB
8100D
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
C
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
, T
英镑
单位
20
14
30
21
40
28
50
35
8.0
150
60
42
80
56
100
70
V
V
A
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
0.55
0.5
50
400
60
0.75
0.85
V
mA
pF
K / W
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻结到环境
工作和存储温度范围
-50至+150
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
SB820D - SB8100D
1作者：
3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
SB820D-T3
SB830D-T3
SB840D-T3
SB850D-T3
SB860D-T3
SB880D-T3
SB8100D-T3
!
套餐类型
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
2
2
2
2
2
2
2
送货数量
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
T3后缀是指一个13 “卷轴。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
推荐足迹
0.33
(8.38)
0.12
(3.05)
0.08
(2.032)
0.42
(10.66)
0.04
(1.016)
0.24
(6.096)
0.63
(17.02)
英寸（毫米）
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
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互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB820D - SB8100D
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2002韩元鼎好电子
WTE
功率半导体
SB820D - SB8100D
Pb
8.0A表面贴装肖特基整流器
特点
!
!
肖特基芯片
C
J
保护环片施工
A
瞬态保护
!
低正向压降
!
低功耗，高效率
B
!
高浪涌电流能力
D
E
销1
3
!
为了在低电压，高频率
逆变器，续流和极性
G
保护应用
H
K
P
P
D
2
PAK/TO-263
暗淡
民
最大
9.80
10.40
A
9.60
10.60
B
4.40
4.80
C
8.50
9.10
D
2.80
—
E
1.00
1.40
G
—
0.90
H
1.20
1.40
J
0.30
0.70
K
2.35
2.75
P
尺寸：mm
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例：D
2
PAK / TO- 263 ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：见图
重量：2.7克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
PIN 1 +
PIN 3 -
+
例
最大额定值和电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。对于容性负载，减免电流20 ％ 。
SB
820D
20
14
SB
830D
30
21
SB
840D
40
28
SB
845D
45
32
8.0
SB
850D
50
35
SB
860D
60
42
SB
880D
80
56
SB
8100D
100
70
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 100°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
英镑
0.55
150
0.75
0.5
50
400
3.0
-65到+150
0.85
A
V
mA
pF
° C / W
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到外壳上安装散热片。
SB820D - SB8100D
1 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
推荐足迹
0.33
(8.38)
WTE
SB8xxD
0.42
(10.66)
0.12
(3.05)
0.08
(2.032)
0.24
(6.096)
0.04
(1.016)
WTE
SB8xxD
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 20 ，30，40 ，45， 50 ，60， 80或100个
=对人体标示
0.63
(17.02)
英寸（毫米）
包装信息
磁带&卷轴
退绕方向
16mm
330mm
24mm
4mm
24mm
产品ID标签
1.6mm
卷筒直径
(mm)
330
QUANTITY
（ PCS）的
800
内箱尺寸
长x宽x高（mm ）
340 x 337 x 45
QUANTITY
（ PCS）的
800
外箱尺寸
长x宽x高（mm ）
370 x 370 x 420
QUANTITY
（ PCS）的
6,400
约。总重量
（公斤）
15.0
注意：
1.纸卷轴，白色或灰色。
2.组件是按照包装符合EIA标准481-1和481-2 。
SB820D - SB8100D
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
SB820D-T3
SB830D-T3
SB840D-T3
SB845D-T3
SB850D-T3
SB860D-T3
SB880D-T3
SB8100D-T3
1.
2.
套餐类型
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
PAK
2
2
2
2
2
2
2
2
送货数量
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如， SB820D -T3- LF 。
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责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
SB820D - SB8100D
4 4
2006韩元鼎好电子
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