产品说明
Sirenza的微器件“
SLD-1000
是一个强大的4瓦的高性能
LDMOS晶体管的芯片，设计用于运行在10至2700MHz 。它
对于需要高线性度和应用的最佳解决方案艾菲
效率。将SLD -1000通常被用作驱动或输出级
功率放大器，发射器或应用程序。这些强大的动力转录
电阻取值使用Sirenza的高性能XEMOS II捏造
TM
流程。
SLD-1000
4瓦离散LDMOS FET -Bare模具
功能示意图
ESD
保护
产品特点
4瓦的输出P
1dB
单极性工作
19分贝增益在900 MHz的
XeMOS II
TM
LDMOS
集成ESD保护， 1B类
铝合金顶边金属化
金牌背面金属化
门
歧管
漏
歧管
来源 - 背面接触
RF连接特定的阳离子
符号
频率
收益
效率
线性
R
TH
参数
操作的频率
3.5瓦CW ， 900兆赫
漏极效率为3.5瓦CW ， 900兆赫
应用
基站PA驱动器
中继器
军事通信
RFID
GSM ， CDMA，EDGE ， WDCDMA
单位
兆赫
dB
%
dBc的
瓦
摄氏度/ W
民
10
-
-
-
-
-
典型值
-
19
43
-30
4
11
最大
2700
-
-
-
-
-
3阶IMD在3.5瓦特PEP （双色） 900兆赫
1dB压缩（P
1dB
） 900兆赫
热阻（结到外壳，装在包中）
rd
测试条件：装在陶瓷封装和测试Sirenza的
T
评估板V
DS
= 28.0V ，我
DQ
= 30mA时吨
安装面
= 25C
DC特定网络阳离子
符号
g
m
V
GS
门槛
V
DS
击穿
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
DSON
参数
正向跨导@ 30毫安我
DS
I
DS
=3mA
1毫安我
DS
当前
输入电容（门源）V
GS
=0V, V
DS
=28V
反向电容（栅漏）V
GS
=0V, V
DS
=28V
输出电容（漏极至源极）V
GS
=0V, V
DS
=28V
漏极到源极电阻，V
GS
=10V V
DS
=250mV
单位
毫安/ V
伏
伏
pF
pF
pF
3.0
65
民
典型
150
4.2
70
5.2
0.2
3.2
3.0
3.5
5.0
最大
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303 S.科技法庭，
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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EDS - 104291 C版本
SLD -1000 10-2700兆赫4瓦的LDMOS FET - 裸模
质量指标
参数
ESD额定值
MTTF
描述
人体模型
200
o
C通道
单位
伏
小时
典型
750
1.2 X 10
6
联系方式说明
垫＃
1
2
3
功能
门
漏
来源
描述
铝金属化歧管MOSFET栅极与ESD保护结构。 （顶边接触）
铝金属化歧管MOSFET的漏极。 （顶边接触）
金铬金属MOSFET源极接触。需要适当的电气，机械和热连接
正确的操作。 （背面触点）
PAD图
ESD
保护
注1 ：
栅极电压必须施加到器件
同时或应用漏极电压的后
防止潜在的破坏性振动。偏置电压应
从不被施加到晶体管，除非它被正确端
经过NAT上的输入和输出。
注2 ：
所需的V
GS
对应于一个特定的I
DQ
会有所不同
设备到设备由于正常的管芯到管芯的变化在阈值
老电压LDMOS晶体管。
注3 ：
阈值电压（V
gsth
）的LDMOS晶体管随
器件温度。外部温度补偿
是必需的。见Sirenza的应用笔记AN- 067 LDMOS
偏置温度
补偿。
垫＃ 3
背面源=地面
PAD ＃ 1
门
歧管
垫＃ 2
漏
歧管
绝对最大额定值
参数
漏极电压（V
DS
)
栅极电压（V
GS
), V
DS
=0
RF输入功率
负载阻抗的连续运行
无损伤
输出设备通道温度
存储温度范围
价值
35
20
+30
10:1
+200
-40到+150
单位
伏
伏
DBM
VSWR
C
C
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行看典型
第一页上表中指定的设置值。
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
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EDS - 104291 C版本
SLD -1000 10-2700兆赫4瓦的LDMOS FET - 裸模
阻抗数据
频率（MHz）
880
960
1840
1960
2140
Z
来源
2.7 + j 13.1
1.9 + j 10.6
1.7 + j 3.4
1.3 + j 2.0
1.2 + j 0.7
Z
负载
12.5 + j 22.5
11.8 + j 18.3
1.0 + j 4.7
1.2 + j 5.7
1.7 + j 6.4
去嵌入信息
描述
键合线数
键合线的长度
键合线的高度
键合线的间距
债券线径
门
2
0.040
0.006
0.005
0.002
漏
3
0.040
0.006
0.005
0.002
阻抗参考引线键合/ PCB接口。
以英寸所有尺寸。
引线键合高地参考死去的顶面。
设备
被测
输入
匹配
网
来源
产量
匹配
网
LOAD
Z
来源
和Z
负载
是时，在28V工作呈现给SLD -1000的最佳阻抗， IDQ = 30mA时噘= 3.5W的PEP 。
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EDS - 104291 C版本
SLD -1000 10-2700兆赫4瓦的LDMOS FET - 裸模
典型性能曲线在SLD- 1083CZ 900 MHz的应用电路测试，封装模具
CW增益，效率， IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W
50
45
40
增益（dB ） ，效率（％ ）
35
30
25
20
15
10
5
0
900
0
24
CW增益，效率与噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915 MHz的
60
-4
23
50
IRL
-12
21
30
20
20
收益
19
-16
效率
10
905
910
915
920
-20
925
18
0
1
2
的Pout （W）的
3
4
5
0
频率（MHz）
60
2音频增益，效率，线性度和IRL与频率
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时噘= 3W PEP ，台达F = 1兆赫
收益
IM3
IM7
效率
IM5
IRL
0
50
45
2音频增益，效率，线性度VS噘
VDD = 28V ， IDQ = 50mA时频率= 915兆赫，台达F = 1兆赫
-20
-25
-30
-35
IMD （ DBC）
-40
-45
-50
-55
50
增益（dB ） ，效率（％ ）
-10
增益（dB ） ，效率（％ ）
40
40
-20
IMD （ DBC） ， IRL （分贝）
35
30
25
20
15
10
5
30
-30
20
-40
10
-50
收益
IM3
IM7
0
1
2
3
噘嘴（W PEP ）
效率
IM5
-60
-65
-70
0
900
905
910
915
920
频率（MHz）
-60
925
0
4
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EDS - 104291 C版本
效率（％）
收益
效率
输入回波损耗（dB ）
22
增益（dB ）
40
-8
SLD -1000 10-2700兆赫4瓦的LDMOS FET - 裸模
芯图
尺寸英寸[毫米]
0.030 [0.76]
门
0.045 [1.14]
漏
来源 - 背面接触 - 不显示
管芯厚度 - 0.004 [ 0.10 ]
AuSi等，金锡，或由AuGe共晶芯片附着建议。铝硅键合线建议。
产品型号订购信息
产品型号
SLD-1000
凝胶包
100件。每包
模具被切割为直流参数和之前筛选
每Sirenza的应用笔记AN- 039出货
无包装的视觉标准模具。
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