SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260 ℃/ 10秒
在终端
波和回流焊接
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
DO- 219AB （ SMF ）
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
订购代码
SL02 - GS18或SL02 - GS08
SL03 - GS18或SL03 - GS08
SL04 - GS18或SL04 - GS08
记号
S2
S3
S4
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值
反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
SL02
最大RMS电压
SL03
SL04
SL02
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
SL03
SL04
T
tp
= 109 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
180
125
- 55 150
单位
K / W
°C
°C
最大工作结
温度
存储温度范围
注意：
1)
安装在环氧树脂基板为3 mm ×3mm的铜焊盘（ ≥ 40微米厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
测试条件
部分
SL02
瞬时无正向电压
I
F
= 0.5 A
1)
SL03
SL04
SL02
典型正向
电压
I
F
= 1.1 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
注意：
1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
SL03
SL04
SL02
SL02
SL03
SL03
SL04
SL04
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
民
典型值。
0.360
0.395
0.450
0.420
0.450
0.530
250
8
130
6
20
6
最大
0.385
0.43
0.51
单位
V
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
mA
μA
mA
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85687
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 23 10年7月
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.5
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
10 000
T
j
= 100 °C
1000
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
100
T
j
= 25 °C
10
1.0
0.5
0
0 10
17379
1
30
50
70
90
110 130 150
17382
0
5
铅温度（ ℃）
15
20
10
反向
电压
(V)
25
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向电流特性 - SL02
250
正向电流（A ）
10
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0
17383
结电容（pF ）
200
1
150
0.1
100
SL02
50
SL04
10
0
2
8
6
4
反向
电压
(V)
10
12
0.0001
17380
0.8
0.6
1.0
0.4
0.2
正向
电压
(V)
图2.典型结电容
图5.典型的正向特性 - SL03
10
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0.0001
0
17381
10 000
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
100
T
j
= 50 °C
1
1000
0.1
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.8
0.2
1.0
0.4
0.6
正向
电压
(V)
0
17384
5
10 15
20 25
反向
电压
(V)
30
35
图3.典型正向及特征 - SL02
图6.典型的反向电流特性 - SL03
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
:
DO-219AB
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85687
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 23 10年7月
5
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
Blistertape尺寸为SMF
以毫米为单位
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
5
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260 ℃/ 10秒
在终端
波和回流焊接
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
DO- 219AB （ SMF ）
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
订购代码
SL02 - GS18或SL02 - GS08
SL03 - GS18或SL03 - GS08
SL04 - GS18或SL04 - GS08
记号
S2
S3
S4
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值
反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
SL02
最大RMS电压
SL03
SL04
SL02
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
SL03
SL04
T
tp
= 109 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
1)
测试条件
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
180
125
- 55 150
单位
K / W
°C
°C
最大工作结
温度
存储温度范围
注意：
1)
安装在环氧树脂基板为3 mm ×3mm的铜焊盘（ ≥ 40微米厚）
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
测试条件
部分
SL02
瞬时无正向电压
I
F
= 0.5 A
1)
SL03
SL04
SL02
典型正向
电压
I
F
= 1.1 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
注意：
1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
SL03
SL04
SL02
SL02
SL03
SL03
SL04
SL04
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
民
典型值。
0.360
0.395
0.450
0.420
0.450
0.530
250
8
130
6
20
6
最大
0.385
0.43
0.51
单位
V
V
V
V
V
V
μA
mA
μA
mA
μA
mA
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85687
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 23 10年7月
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1.5
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
10 000
T
j
= 100 °C
1000
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
100
T
j
= 25 °C
10
1.0
0.5
0
0 10
17379
1
30
50
70
90
110 130 150
17382
0
5
铅温度（ ℃）
15
20
10
反向
电压
(V)
25
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向电流特性 - SL02
250
正向电流（A ）
10
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0
17383
结电容（pF ）
200
1
150
0.1
100
SL02
50
SL04
10
0
2
8
6
4
反向
电压
(V)
10
12
0.0001
17380
0.8
0.6
1.0
0.4
0.2
正向
电压
(V)
图2.典型结电容
图5.典型的正向特性 - SL03
10
瞬时反向电流（ μA ）
正向电流（A ）
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.01
T
j
= 25 °C
0.001
脉冲
宽度
= 300
s
1
%
占空比
0.0001
0
17381
10 000
T
j
= 100 °C
T
j
= 75 °C
100
T
j
= 50 °C
1
1000
0.1
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0.8
0.2
1.0
0.4
0.6
正向
电压
(V)
0
17384
5
10 15
20 25
反向
电压
(V)
30
35
图3.典型正向及特征 - SL02
图6.典型的反向电流特性 - SL03
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
:
DO-219AB
0.85 (0.033)
0.35 (0.014)
0.25 (0.010)
0.05 (0.002)
0.1 (0.004)
5
1.9 (0.075)
1.7 (0.067)
1.2 (0.047)
0.8 (0.031)
0 (0.000)
详细
扩大
1.08 (0.043)
2.9 (0.114)
2.7 (0.106)
3.9 (0.154)
3.5 (0.138)
0.88 (0.035)
足迹推荐：
1.3 (0.051)
1.3 (0.051)
创建 - 日期：2005年15月
第3版 - 日期：2007年3月13日
文件编号： S8 -V - 3915.01-001 （ 4 ）
17247
1.4 (0.055)
2.9 (0.114)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85687
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.9 ， 23 10年7月
5
SL02 ， SL03 ， SL04
威世半导体
Blistertape尺寸为SMF
以毫米为单位
PS
文档编号： S8 -V - 3717.02-001 （ 3 ）
18513
文档编号85687
修订版1.9 ， 23 10年7月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
5
日前，Vishay
SL02到SL04
威世半导体
小型表面贴装肖特基二极管
\
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260℃ / 10秒
码头
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219 -AB （ SMF ）塑料外壳
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 0.01克
包装代码选项：
每13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒G1-10
G2-3 每7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
类型分化
单二极管
单二极管
单二极管
S2
S3
S4
记号
SMF
SMF
SMF
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
最大RMS电压
SL02
SL03
SL04
最大直流阻断电压
SL02
SL03
SL04
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
T
tp
= 109 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
1
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
SL02到SL04
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
5
日前，Vishay
SL02到SL04
威世半导体
小型表面贴装肖特基二极管
\
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260℃ / 10秒
码头
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219 -AB （ SMF ）塑料外壳
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 0.01克
包装代码选项：
每13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒G1-10
G2-3 每7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
类型分化
单二极管
单二极管
单二极管
S2
S3
S4
记号
SMF
SMF
SMF
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
最大RMS电压
SL02
SL03
SL04
最大直流阻断电压
SL02
SL03
SL04
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
T
tp
= 109 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
1
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
SL02到SL04
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
5
SL03
8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
THRU
SL24
TVSarray 系列
说明（300瓦特）的
这3针
超低电容
瞬态电压
抑制器设计用于在应用中的保护是
从造成的电压瞬变的板级要求
静电放电（ ESD）由IEC 1000-4-2 ，电气定义
快速瞬变（ EFT ） ，符合IEC 1000-4-4 。
该产品提供
单向
通过连接保护1线
输入/输出线的引脚1 ，第2脚到公共端或地与销3 （是
未连接） 。直通SL24产品SL03提供板级
保护免受静电等引起的电压浪涌那
可能会损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS）二极管阵列保护3.0 / 3.3伏元件等
作为DRAM的， SRAM的， CMOS ， HCMOS ， HSIC和低电压接口多达24伏。由于该
物理尺寸，重量和保护功能，该产品是理想的使用，但并不限定于
小型化的电子设备，如手持仪器，计算机，计算机外围设备和
手机。
特点
保护3.0 / 3.3最高至24V的组件
保护1线单向
提供电隔离保护
SOT- 23封装
包装
磁带&卷轴EIA标准481
7寸盘5000件
13英寸卷筒万件
最大额定值
工作温度： -55
C至+150
C
存储温度： -55
C至+150
C
SL03直通SL24有一个峰值脉冲功率： 300瓦
(8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
机械
模压SOT- 23表面贴装
重量： 0.014克（近似值）
车身标有设备编号
除非另有说明电气特性@ 25℃
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
SL03
SL05
SL12
SL15
SL24
L03
L05
L12
L15
L24
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
8
10.8
19
25
44
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
11
13
26
32
57
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
100
1
1
1
电容
@ 0V ， 1MHz的
C
pF
最大
3
3
3
3
3
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/ OC
最大
-5
3
10
13
30
部分
数
设备
记号
注意：
瞬态电压抑制（ TVS ）产品通常是基于其关断电压V选择
WM
。产品
选择的电压应该等于或大于电路的连续峰值工作电压进行保护。
MSC1377.PDF
ISO 9001认证
REV C 2000年1月27日
MCC
特点
l
l
l
l
l
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SL03
THRU
SL24
短暂
电压抑制器
300瓦
SOT-23
A
D
SOT- 23封装用于表面贴装应用
保护3.0 / 3.3最高至24V的组件
保护1线单向
提供电隔离保护
磁带&卷轴EIA标准481 。
机械数据
l
l
l
l
成型： SOT -23表面贴装
车身标有设备编号。
安装位置：任意
重量： 0.14克（约）
F
C
B
最大额定值
§
§
§
§
工作温度： -55
o
C至+150
o
C
存储温度： -55
o
C至+150
o
C
SL03直通SL24有一个峰值脉冲功率： 300瓦
（8/20微秒，图1）
脉冲重复率： <.01 ％
G
E
H
J
尺寸
英寸
民
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
民
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
描述
该产品提供了1单向保护
通过连接在输入/输出线线至引脚1 ，针2至
公共端或地与销3 （不连接） 。
直通SL24产品SL03提供板级
保护免受静电等引起的电压
电涌可能会损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS ）
二极管阵列保护3.0 / 3.3伏组件，如
DRAM的， SRAM的， COMS ，东道国管理措施， HSIC和低伏。
接口高达24伏。由于物理尺寸的，
重量和保护功能，该产品是理想的
供使用，但不限于小型化的电子
设备如手持仪器，计算机，
计算机外围设备和手机。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
最大
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
最大
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
记
建议焊料
焊盘布局
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
英寸
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
SL03通SL24
MCC
波形
P
PP
- 峰值脉冲功率
100
IPP - 峰值脉冲电流 - ％伊普
100
峰值 - IPP
8 ×20波形
10
8/20 μs的300瓦脉冲
50
半值 - IPP
2
1.0
0
0
t
10
t
d
20
30
.10
100ns
1s
10s
100s
1ms
t
d
- 脉冲时间 - 美国证券交易委员会
10ms
吨 - 时间在微秒
图1
峰值脉冲功率与脉冲时间
图2
脉冲波形
安装垫SOT23
电路图
除非另有说明电气特性@ 25℃
站
关闭
电压
V
WM
伏
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
SL03
SL05
SL12
SL15
SL24
L03
L05
L12
L15
L24
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
8
10.8
19
25
44
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
11
13
26
32
57
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
100
1
1
1
电容
@ 0V ， 1MHz的
C
pF
最大
3
3
3
3
3
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/ OC
最大
-5
3
10
13
30
部分
数
设备
记号
注意：
瞬态电压抑制（ TVS ）产品通常是基于其关断电压V选择
WM
。产品
选择的电压应该等于或大于电路的连续峰值工作电压进行保护。
www.mccsemi.com
日前，Vishay
SL02到SL04
威世半导体
小型表面贴装肖特基二极管
\
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接： 260℃ / 10秒
码头
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219 -AB （ SMF ）塑料外壳
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 0.01克
包装代码选项：
每13 "卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒G1-10
G2-3 每7 "卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
类型分化
单二极管
单二极管
单二极管
S2
S3
S4
记号
SMF
SMF
SMF
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
最大RMS电压
SL02
SL03
SL04
最大直流阻断电压
SL02
SL03
SL04
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波
T
tp
= 109 °C
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
14
21
28
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
1
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
SL02到SL04
威世半导体
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85687
第3版， 21 -FEB -03
www.vishay.com
5
SL02 / 3月4日
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
e3
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
17249
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF ）塑料外壳
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒G18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒G08 / 3
零件表
部分
SL02
SL03
SL04
订购代码
SL02 - GS18或SL02 - GS08
SL03 - GS18或SL03 - GS08
SL04 - GS18或SL04 - GS08
S2
S3
S4
记号
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值
反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
最大RMS电压
SL02
SL03
SL04
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
价值
20
30
40
14
21
28
单位
V
V
V
V
V
V
文档编号85687
修订版1.6 ， 13 -APR- 05
www.vishay.com
1
SL03-SL24
TVS阵列系列
说明（300瓦特）的
这3针
超低电容
瞬态电压
抑制器设计用于在应用中的保护是
从造成的电压瞬变的板级要求
静电放电（ ESD）由IEC 1000-4-2 ，电气定义
快速瞬变（ EFT ） ，符合IEC 1000-4-4 。
该产品提供
单向
通过连接保护1线
输入/输出线的引脚1 ，第2脚到公共端或地与销3 （是
未连接） 。直通SL24产品SL03提供板级
保护免受静电等引起的电压浪涌那
可能会损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS）二极管阵列保护3.0 / 3.3伏元件等
作为DRAM的， SRAM的， CMOS ， HCMOS ， HSIC和低电压接口多达24伏。由于该
物理尺寸，重量和保护功能，该产品是理想的使用，但并不限定于
小型化的电子设备，如手持仪器，计算机，计算机外围设备和
手机。
特点
保护3.0 / 3.3最高至24V的组件
保护1线单向
提供电隔离保护
SOT- 23封装
包装
磁带&卷轴EIA标准481
7寸盘5000件
13英寸卷筒万件
最大额定值
工作温度： -55
C至+150
C
存储温度： -55
C至+150
C
SL03直通SL24有一个峰值脉冲功率： 300瓦
(8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
机械
模压SOT- 23表面贴装
重量： 0.014克（近似值）
车身标有设备编号
除非另有说明电气特性@ 25℃
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
SL03
SL05
SL12
SL15
SL24
L03
L05
L12
L15
L24
3.3
5.0
12.0
15.0
24.0
击穿
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
6.0
13.3
16.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
8
9.8
19
25
44
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
（图2）
伏
最大
11
11
26
32
57
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
A
最大
200
100
1
1
1
电容
@ 0V ， 1MHz的
C
pF
最大
5
5
5
5
5
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/ OC
最大
-5
3
10
13
30
部分
数
设备
记号
注意：
瞬态电压抑制（ TVS ）产品通常是基于其关断电压V选择
WM
。产品
选择的电压应该等于或大于电路的连续峰值工作电压进行保护。
http://www.luguang.cn
邮箱： lge@luguang.cn
SL02 THRU SL04
小型表面贴装肖特基二极管
特点
对于表面安装应用程序
薄型封装
适合自动放置
低功耗，高效率
高温焊接：
260℃ / 10秒码头
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
20V-40V
1.1A
SOD-123FL
机械数据
案例：
JEDEC DO- 219AB （ SMF ）塑料外壳
极性：
颜色频带端为负极
重量：
约。 15毫克
包装代码选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 50 K /盒G18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 30 K /盒G08 / 3
最大额定值和电气特性
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
最大重复峰值
反向电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
最大RMS电压
SL02
SL03
SL04
符号
V
RRM
V
RRM
V
RRM
V
RMS
V
RMS
V
RMS
价值
20
30
40
14
21
28
单位
V
V
V
V
V
V
参数
最大直流阻断电压
测试条件
部分
SL02
SL03
SL04
符号
V
DC
V
DC
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
价值
20
30
40
1.1
40
单位
V
V
V
A
A
最大正向平均
整流电流
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
T
tp
= 109 °C
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
2)
测试条件
符号
R
thJA
T
J
T
英镑
价值
180
125
- 55 150
单位
K / W
°C
°C
最大工作结
温度
存储温度范围
1)
安装在与3 ×3mm的CU垫环氧基板（ ≥ 40
μm
厚）
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
SL02 THRU SL04
小型表面贴装肖特基二极管
20V-40V
1.1A
收视率和特性曲线
1.5
10000
SL02 THRU SL04
T
J
= 100°C
瞬时反向电流（ μA ）
平均正向电流（ A）
1000
T
J
= 75°C
T
J
= 50°C
1.0
100
T
J
= 25°C
0.5
10
0
17379
1
0
5
10
15
20
25
0
10
30
50
70
90
110
130
150
铅温度（ ℃）
17382
反向电压（ V）
图1.正向电流降额曲线
图4.典型的反向电流特性 - SL02
正向电流（A ）
250
10
结电容（pF ）
200
1
T
J
= 100°C
T
J
= 75°C
150
0.1
T
J
= 50°C
0.01
100
SL02
50
T
J
= 25°C
0.001
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
0
0.1
0.2
0.3
0.4 0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1.0
SL04
10
17380
0.0001
0
2
4
6
8
10
12
17383
反向电压（ V）
正向电压（ V）
图2.典型结电容
图5.典型的正向特性 - SL03
正向电流（A ）
10
10000
T
J
= 100°C
1
瞬时反向电流（ μ A）
T
J
= 100°C
T
J
= 75°C
100
1000
T
J
= 75°C
0.1
T
J
= 50°C
T
J
= 50°C
0.01
10
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
0.001
脉冲宽度= 300μS
1 ％占空比
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
0.0001
17381
0.1
0
17384
5
10
15
20
25
30
35
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图3.典型正向及特征 - SL02
图6.典型的反向电流特性 - SL03
电子信箱： sales@taychipst.com
2 2
网站： www.taychipst.com
QQ：2881677436 复制
