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SL74HCT86
四2输入异或门
高性能硅栅CMOS
该SL74HCT86在引出线的LS / ALS86相同。该
SL74HCT86可以用作一个电平转换器,用于连接TTL或
NMOS输出到高速CMOS输入。
TTL / NMOS兼容的输入电平
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
工作电压范围: 4.5 5.5 V
低输入电流: 1.0
A
订购信息
SL74HCT86N塑料
SL74HCT86D SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
L
L
H
H
B
H
L
L
H
产量
Y
L
H
H
L
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HCT86
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中,塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
(塑料DIP或SOIC封装)
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±25
±50
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP : - 10毫瓦/°C, 65 °至125°C
SOIC封装: - 7毫瓦/°C, 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度,所有封装类型
输入上升和下降时间(图1 )
4.5
0
-55
0
最大
5.5
V
CC
+125
500
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路,以防止损坏,由于高静电压或电
场。但是,必须采取预防措施,以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作,V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ (V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平(例如, GND或V) 。
CC
未使用的输出必须悬空。
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HCT86
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
2.0
≤85
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
20
≤125
°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
±1.0
40
A
A
V
单位
V
IH
V
IL
V
OH
最小高级别
输入电压
最大的低-Level
输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
-0.1 V
I
OUT
20
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
4.0毫安
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
V
V
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
20
A
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OUT
4.0毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
(每包)
其他静态
电源电流
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
V
IN
= 2.4 V ,任何一个输入
V
IN
=V
CC
或GND ,其他
输入
I
OUT
=0A
I
CC
≥-55°C
25℃
125°C
2.4
mA
5.5
2.9
SLS
系统逻辑
半导体
SL74HCT86
AC电气特性
(V
CC
=5.0 V
±
10%, C
L
= 50pF的,输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
t
PLH
, t
PHL
t
TLH
, t
THL
C
IN
参数
最大传输延迟,输入A或B
输出Y(图1和图2)
最大输出转换时间,任何输出
(图1和图2)
最大输入电容
25
°C
to
-55°C
24
15
10
≤85°C
30
19
10
≤125°C
36
22
10
单位
ns
ns
pF
功率耗散电容(每门)
C
PD
用于确定空载动态功率
消费:
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
典型的25°C ,V
CC
=5.0 V
36
pF
图1.开关波形
图2.测试电路
膨胀逻辑图
(设备的1/4)
SLS
系统逻辑
半导体
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SL74HCT86D
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