SKM400GAL12E4
绝对最大额定值
符号
IGBT
V
CES
I
C
I
cnom
I
CRM
I
CRM
= 3xI
cnom
V
CC
= 800 V
V
GE
≤
15 V
V
CES
≤
1200 V
V
GES
t
PSC
T
j
逆二极管
I
F
SKM400GAL12E4
条件
值
1200
单位
V
A
A
A
A
V
s
°C
A
A
A
A
A
°C
A
A
A
A
A
°C
A
°C
V
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
618
475
400
1200
-20 ... 20
SEMITRANS 3
IGBT4模块
T
j
= 150 °C
10
-40 ... 175
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
440
329
400
1200
1980
-40 ... 175
I
fnom的
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
I
FRM
I
FSM
T
j
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
续流二极管
I
F
I
fnom的
I
FRM
I
FSM
T
j
模块
I
T（ RMS ）
T
英镑
V
ISOL
AC窦50Hz时， T = 1分
500
-40 ... 125
4000
I
FRM
= 3xI
fnom的
t
p
= 10毫秒，罪180 ° ，T
j
= 25 °C
T
j
= 175 °C
T
c
= 25 °C
T
c
= 80 °C
440
329
400
1200
1980
-40 ... 175
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
特征
符号
IGBT
V
CE （ SAT ）
V
CE0
r
CE
V
GE （日）
I
CES
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
R
GINT
I
C
= 400 A
V
GE
= 15 V
chiplevel
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
V
GE
= 15 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
5
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
24.6
1.62
1.38
2260
1.9
1.8
2.2
0.8
0.7
2.5
3.8
5.8
0.1
2.05
2.4
0.9
0.8
2.9
4.0
6.5
0.3
V
V
V
V
m
m
V
mA
mA
nF
nF
nF
nC
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
GE
=V
CE
, I
C
= 15.2毫安
V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V
V
CE
= 25 V
V
GE
= 0 V
V
GE
= - 8 V...+ 15 V
T
j
= 25 °C
GAL
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
1
SKM400GAL12E4
特征
符号
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
R
日（J -C ）
条件
V
CC
= 600 V
I
C
= 400 A
V
GE
= ±15 V
R
G于
= 1
R
克OFF
= 1
的di / dt
on
= 9700 A / μs的
的di / dt
关闭
= 4300 A / μs的
每个IGBT
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 400 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 8800 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
I
F
= 400 A
T
j
= 150 °C
的di / dt
关闭
= 8800 A / μs的T = 150℃
j
V
GE
= ±15 V
T
j
= 150 °C
V
CC
= 600 V
每二极管
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
分钟。
典型值。
242
47
33
580
101
56
马克斯。
单位
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.072
2.2
2.15
1.3
0.9
2.3
3.1
450
68
30.5
0.14
2.2
2.15
1.3
0.9
2.3
3.1
450
68
30.5
0.14
15
20
2.52
2.47
1.5
1.1
2.5
3.4
2.52
2.47
1.5
1.1
2.5
3.4
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
V
V
V
V
m
m
A
C
mJ
K / W
nH
m
m
SEMITRANS
3
IGBT4模块
SKM400GAL12E4
逆二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 400 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
特点
IGBT 4 = 4代（海沟） IGBT
VCEsat晶体管具有正温度
系数
高抗短路能力强，自我
限制到6×我
cnom
软开关4.代华航
二极管（ CAL4 ）
典型应用
DC / DC - 转换器
制动斩波器
开关磁阻电机
直流 - 马达
续流二极管
V
F
= V
EC
I
F
= 400 A
V
GE
= 0 V
芯片
V
F0
r
F
I
RRM
Q
rr
E
rr
R
日（J -C ）
模块
L
CE
R
CC' + EE '
R
TH （ C- S）
M
s
M
t
w
终端芯片
每个模块
到散热器的M6
备注
外壳温度限制
TC = 125 °C以下，荐。
TOP = -40 ... + 150 ° C，产品
REL 。结果有效期为TJ = 150 °
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
3
端子M6
2.5
0.25
0.5
0.02
0.038
5
5
325
K / W
Nm
Nm
Nm
g
GAL
2
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM400GAL12E4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ： CAL二极管的正向特性
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第0版 - 2009年2月19日
由赛米控
SKM400GAL12E4
SEMITRANS 3
GAL
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第0版 - 2009年2月19日
5
SKM400GAL12E4
图。 7 ：典型值。开关时间与我
C
图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9 ：瞬态热阻抗
图。 10 ： CAL二极管的正向特性
图。 11 ： CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12 ：典型值。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
4
第2版 - 2009年6月16日
由赛米控
SKM400GAL12E4
SEMITRANS 3
GAL
这是静电放电敏感器件（ ESDS ） ，国际标准IEC 60747-1 ，第九章。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。无担保或担保明示或暗示的保证
方面取得的交付，性能或适用性。
由赛米控
第2版 - 2009年6月16日
5
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