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首字符S的型号第944页
> SKM200GAL125D
SKM 200GB125D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
TM
3
逆二极管
超快速IGBT模块
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
续流二极管
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
特点
典型应用
逆二极管
FWD
热特性
机械数据
GB
GAL
GAR
1
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB125D
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
2
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB125D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 IGBT的9瞬态热阻抗
Z
THP (J -C )
= F(T
p
) ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 FWD的10瞬态热阻抗
Z
THP (J -C )
= F(T
p
) ; D =吨
p
/t
c
= t
p
*f
图。 11 CAL二极管的正向特性
图。 12典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
3
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB125D
图。 13典型。 CAL二极管的恢复电荷
UL认可
文件没有。 ê 63 532
尺寸(mm)
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但承诺没有的特点。无担保或保证
明示或暗示方面取得的交付,性能或适用性。
4
14-09-2005 RAA
由赛米控
SKM 200GB125D
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
3
超快速IGBT模块
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
续流二极管
逆二极管
特点
模块
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GB
GAL
GAR
1
2007年4月5日SEI
由赛米控
SKM 200GB125D
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
3
超快速IGBT模块
续流二极管
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
特点
模块
典型应用
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付,性能或适用性。
GB
GAL
GAR
2
2007年4月5日SEI
由赛米控
SKM 200GB125D
Z
th
符号
Z
日(J -C )升
条件
值
单位
SEMITRANS
3
Z
日(J -C )D
超快速IGBT模块
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
特点
典型应用
GB
GAL
GAR
3
2007年4月5日SEI
由赛米控
SKM 200GB125D
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
4
2007年4月5日SEI
由赛米控
SKM 200GB125D
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
5
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由赛米控
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绝对最大额定值
符号条件
IGBT
值
单位
SEMITRANS
3
超快速IGBT模块
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
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续流二极管
逆二极管
特点
模块
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GB
GAL
GAR
1
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特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITRANS
3
超快速IGBT模块
续流二极管
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
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特点
模块
典型应用
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付,性能或适用性。
GB
GAL
GAR
2
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由赛米控
SKM 200GB125D
Z
th
符号
Z
日(J -C )升
条件
值
单位
SEMITRANS
3
Z
日(J -C )D
超快速IGBT模块
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
特点
典型应用
GB
GAL
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3
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由赛米控
SKM 200GB125D
图。 1典型值。输出特性,包括
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 5典型。传输特性
图。 6典型。栅极电荷特性
4
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由赛米控
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图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 9瞬态热阻抗
图。 10 CAL二极管的正向特性
图。 11典型。 CAL二极管的反向恢复峰值电流
图。 12典型。 CAL二极管的峰值反向恢复电荷
5
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SN74HCT273NSR
S29PL-J55TFI003
S72NS128PD0KJFLG3
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厂家
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封装
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联系人:连
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