BCR183.../SEMB11
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10k ,
R
2
= 10k)
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR183/F/L3
BCR183T/W
C
3
BCR183S/U
SEMB11
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TYPE
BCR183
BCR183F
BCR183L3
BCR183S
BCR183T
BCR183U
BCR183W
SEMB11
记号
WMS
WMS
WM
WMS
WMS
WMS
WMS
WM
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
May-18-2004
BCR183.../SEMB11
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
30
-
0,8
1
7
0,9
-
-
-
-
-
-
-
10
1
-
100
0,75
-
0,3
1,8
2,5
13
1,1
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
mA
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0,3 V
输入电阻
电阻率
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
200
3
-
-
兆赫
pF
3
May-18-2004
SEMB11
PNP硅数字晶体管阵列
初步数据
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（ R1 = 10kΩ的，
R
2 =10k)
C1
6
B2
5
E2
4
4
5
3
6
1
2
R
2
R
1
TR1
R
2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TR2
R
1
TYPE
SEMB11
最大额定值
参数
记号
WM
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗
,
T
S
= 75 °C
结温
储存温度
热阻
50
50
10
20
100
250
150
-65 ... 150
V
mA
mW
°C
结 - 焊接点
1)
R
thjs
≤
300
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Feb-09-2004
QQ：2880707522 复制
