【SKiM429GD17E4HD绝对最大额定值符号IGBTVCESICIcnomICRMICRM= 3】,IC型号SKIM429GD17E4HD,SKIM429GD17E4HD PDF资料,SKIM429GD17E4HD经销商,ic,电子元器件-51电子网

SKiM429GD17E4HD

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 3xI

cnom

= 1200 V

≤

15 V

CES

≤

1700 V

= 175 °C

= 25 °C

= 70 °C

1700

595

479

420

1260

-20 ... 20

= 150 °C

-40 ... 175

= 25 °C

= 70 °C

413

298

420

FRM

= 2xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

840

3699

-40 ... 150

终奌站

= 80 °C

交流窦50赫兹， t为1分钟

700

-40 ... 125

3300

°C

条件

值

单位

脱脂93

沟道IGBT模块

SKiM429GD17E4HD

特点

4 IGBT沟槽栅技术

无焊烧结技术

低电感情况下，

由AL孤立

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自限

到6×我

集成的温度传感器

GES

PSC

fnom的

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

逆二极管

= 150 °C

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（ J- S）

条件

= 420 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 15 V

= 0 V

= 1700 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 1200 V

= 420 A

G于

= 3.6

克OFF

= 3.6

的di / dt

= 5200 A / μs的

的di / dt

关闭

= 2200 A / μs的

每个IGBT

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

分钟。

典型值。

1.90

2.1

1.1

1.9

2.6

马克斯。

2.25

2.3

1.2

1.1

2.5

2.9

6.4

0.45

单位

典型应用*

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

, I

= 16.8毫安

= 25 °C

F = 1 MHz的

5.2

5.8

0.15

33.00

1.38

1.08

6660

2.7

390

245

1005

170

180

0.079

K / W

由赛米控

启示录6 - 14.07.2011

SKiM429GD17E4HD

特征

符号

条件

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 420 A

= 125 °C

的di / dt

关闭

= 5990 A / μs的T = 125°C

= -15 V

= 125 °C

= 1200 V

每二极管

= 125 °C

0.9

0.7

1.3

1.8

分钟。

典型值。

1.7

1.6

1.1

0.9

1.3

1.8

500

140

马克斯。

1.9

1.8

1.3

1.1

1.3

1.8

单位

逆二极管

= V

= 420 A

= 0 V

芯片

撇去

沟道IGBT模块

SKiM429GD17E4HD

特点

4 IGBT沟槽栅技术

无焊烧结技术

低电感情况下，

由AL孤立

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自限

到6×我

集成的温度传感器

RRM

日（ J- S）

模块

CC' + EE '

0.169

K / W

终端芯片

= 25 °C

= 125 °C

0.3

0.5

1042

温度传感器

100

100/125

传感器

= 100 ° C（R

= 5 k)

(T)

= R

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/373)];

T [ K] ;

339

4096

典型应用*

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

启示录6 - 14.07.2011

由赛米控

SKiM429GD17E4HD

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

启示录6 - 14.07.2011

SKiM429GD17E4HD

图。 7 ：典型值。开关时间与我

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

启示录6 - 14.07.2011

由赛米控

SKiM429GD17E4HD

脱脂93

这是静电放电敏感器件（ ESDS ），国际标准IEC 60747-1 ，第九章

*我们的组件的规格可能不被视为对器件特性的保证。组件已经被测试

用于相应的应用程序。的调整可能是必要的。在生命支持设备和系统中使用赛米控的产品是

需事先规范和赛米控的书面同意。因此，我们强烈建议我们的工作人员事先协商。

由赛米控

启示录6 - 14.07.2011

SKiM429GD17E4HD

绝对最大额定值

符号

IGBT

CES

cnom

CRM

= 3xI

cnom

= 1200 V

≤

15 V

CES

≤

1700 V

GES

PSC

逆二极管

= 25 °C

= 70 °C

= 150 °C

= 175 °C

= 25 °C

= 70 °C

1700

595

479

420

1260

-20 ... 20

-40 ... 175

413

298

450

FRM

= 2xI

fnom的

= 10毫秒，罪180 ° ，T

= 25 °C

900

3699

-40 ... 150

700

-40 ... 125

交流窦50赫兹， t为1分钟

3300

°C

条件

值

单位

脱脂93

沟道IGBT模块

SKiM429GD17E4HD

= 150 °C

fnom的

特点

4 IGBT沟槽栅技术

无焊烧结技术

低电感情况下，

由AL孤立

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自我

限制到6×我

集成的温度传感器

FRM

FSM

模块

T（ RMS ）

英镑

ISOL

特征

符号

IGBT

CE （ SAT ）

CE0

GE （日）

CES

IES

OES

水库

GINT

D（上）

D（关闭）

关闭

日（ J- S）

= 420 A

= 15 V

chiplevel

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 15 V

= 25 °C

= 125 °C

5.2

= 25 °C

F = 1 MHz的

1.90

2.1

1.1

1.9

2.6

5.8

0.15

1.38

1.08

6660

2.7

= 125 °C

390

245

1005

170

180

0.079

2.25

2.3

1.2

1.1

2.5

2.9

6.4

0.45

K / W

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

典型应用

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

, I

= 16.8毫安

= 0 V

= 1700 V

= 25 V

= 0 V

= - 8 V...+ 15 V

= 25 °C

= 1200 V

= 420 A

G于

= 3.6

克OFF

= 3.6

的di / dt

= 5200 A / μs的

的di / dt

关闭

= 2200 A / μs的

每个IGBT

由赛米控

第4版 - 2009年12月11日

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特征

符号

条件

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

RRM

日（ J- S）

模块

CC' + EE '

终端芯片

到散热器（ M4）的

到终端（ M6）的

= 25 °C

= 125 °C

2.5

0.3

0.5

1100

传感器

= 100 ° C（R

= 5 k)

(T)

= R

100

EXP [B

100/125

(1/T-1/373)];

T [ K] ;

339

4096

温度传感器

100

100/125

= 420 A

= 125 °C

的di / dt

关闭

= 5990 A / μs的T = 125°C

= -15 V

= 125 °C

= 1200 V

每二极管

分钟。

典型值。

1.7

1.6

1.1

0.9

1.3

1.8

500

140

马克斯。

1.9

1.8

1.3

1.1

1.3

1.8

单位

逆二极管

= V

= 420 A

= 0 V

芯片

撇去

沟道IGBT模块

SKiM429GD17E4HD

0.169

K / W

特点

4 IGBT沟槽栅技术

无焊烧结技术

低电感情况下，

由AL孤立

DCB （直接铜

保税）陶瓷基板

压接技术的

热接触和电

往来

高抗短路能力强，自我

限制到6×我

集成的温度传感器

典型应用

车载逆变器

高可靠性AC逆变器的风

高可靠性AC逆变器驱动器

第4版 - 2009年12月11日

由赛米控

SKiM429GD17E4HD

图。 1 ：典型值。输出特性，包括

CC' + EE '

图。 2 ：额定电流与温度I

= F（T

)

图。 3 ：典型值。导通/断电能量= F （Ⅰ

)

图。 4 ：典型值。导通/断电能量= F （r

)

图。 5 ：典型值。传输特性

图。 6 ：典型值。栅极电荷特性

由赛米控

第4版 - 2009年12月11日

SKiM429GD17E4HD

图。 7 ：典型值。开关时间与我

图。 8 ：典型值。开关时间与栅极电阻R

图。 9 ：典型值。瞬态热阻抗

图。 10 ：典型值。 CAL二极管的正向CHARACT 。，含。

CC' + EE '

图。 11 ：典型值。 CAL二极管的反向恢复峰值电流

图。 12 ：典型值。 CAL二极管的恢复电荷

第4版 - 2009年12月11日

由赛米控

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SKIM 93

本技术信息指定的半导体器件。无担保或保证明示或暗示方面取得的交付，

性能或适用性。

由赛米控

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