SKiiP的NAB 31 12
绝对最大额定值
符号
逆变器
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
F
= –I
C
I
FM
= –I
CM
条件
1)
（斩波见SKiiP的22 NAB 12 ）
值
1200
± 20
45 / 30
90 / 60
38 / 26
76 / 52
1500
35
700
2400
– 40 . . . + 150
– 40 . . . + 125
2500
单位
V
V
A
A
A
A
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
T
散热器
= 25 / 80 °C
t
p
< 1毫秒;牛逼
散热器
= 25 / 80 °C
T
散热器
= 25 / 80 °C
t
p
< 1毫秒;牛逼
散热器
= 25 / 80 °C
的MiniSKiiP 3
赛米控一体化
智能电源
SKiiP的NAB 31 12
3相桥式整流器+
制动斩波器+
三相桥式逆变器
案例M3
桥式整流器
V
RRM
T
散热器
= 80 °C
I
D
t
p
= 10毫秒;罪。 180° ，T
j
= 25 °C
I
FSM
2
t
p
= 10毫秒;罪。 180° ，T
j
= 25 °C
It
T
j
T
英镑
V
ISOL
交流电，1分钟。
特征
符号
条件
1)
IGBT - 逆变器
I
C
= 30为T
j
= 25 (125)
°C
V
CESAT
V
CC
= 600 V; V
GE
= ± 15 V
t
D（上）
I
C
= 30 A;牛逼
j
= 125
°C
t
r
R
坤
= R
高夫
= 39
t
D（关闭）
感性负载
t
f
E
on
+ E
关闭
C
IES
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ， 1 MHz的
每个IGBT
R
thJH
IGBT - 斩波*
V
CESAT
I
C
= 15为T
j
= 25 (125)
°C
V
CC
= 600 V; V
GE
= ± 15 V
t
D（上）
I
C
= 15 A;牛逼
j
= 125
°C
t
r
R
坤
= R
高夫
= 82
t
D（关闭）
t
f
感性负载
E
on
+ E
关闭
C
IES
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ， 1 MHz的
每个IGBT
R
thJH
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
马克斯。
单位
V
2,5(3,1) 3,0(3,7)
ns
110
55
ns
110
55
ns
600
400
ns
90
45
mJ
–
7,8
nF
–
2,0
K / W
0,7
–
V
2,5(3,1) 3,0(3,7)
ns
110
55
ns
90
45
ns
600
400
ns
100
70
mJ
–
4,0
nF
–
1,0
K / W
1,4
–
UL认证文件编号。 E63532
规格温度
传感器见A部分
共同的特点B 16 - 4
选项
也可提供强大的
菜刀。对于特色
请参阅与变频器的IGBT
1)
2)
二极管
2)
- 变频器（二极管
2)
- 菜刀见SKiiP的22 NAB 12 ）
V
2,0(1,8) 2,5(2,3)
–
V
F
= V
EC
I
F
= 25为T
j
= 25 (125)
°C
V
1,2
1,0
–
T
j
= 125 °C
V
TO
m
44
32
–
T
j
= 125 °C
r
T
A
–
25
–
I
F
= 25 A，V
R
= – 600 V
I
RRM
C
–
4,5
–
di
F
/ DT = - 500 A / μs的
Q
rr
mJ
–
1,0
–
V
GE
= 0 V ，T
j
= 125 °C
E
关闭
K / W
1,2
–
–
每二极管
R
thJH
二极管 - 整流器
V
F
I
F
= 35 A，T
j
= 25 °C
每二极管
R
thJH
温度传感器
T =百分之二十五℃，
R
TS
–
–
1,2
–
1000 / 1670
–
1,6
V
K / W
Nm
T
散热器
= 25 ° C，除非
另有规定编
CAL =控制轴向长寿命
技术（软，快
恢复）
机械数据
2,5
案件散热器， SI单位
2
–
M
1
机械大纲见页
M3
例
B 16 – 9
*对于IGBT斩波器的示意图，请参阅SKiiP的NAB 22 12
由赛米控
0698
B 16 – 57
的MiniSKiiP 1200 V
ICOP / IC
1.2
Mini1207
T
j
= 150 °C
V
GE
=
≥
15 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
第[° C]
图。 IGBT的我的7额定电流
COP
/ I
C
= F（T
h
)
ICpuls / IC
2,5
Mini1209
T
j
=
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
ICSC / ICN
12
Mini1210
2
10
T
j
=
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
t
sc
=
≤
10
s
L
EXT
< 25 nH的
8
1,5
6
1
4
注意：
*允许数量
短词CUIT ： <1000
r
*短的时间
电路： >1s
0,5
2
0
0
500
1000
1500
VCE [V]的
0
0
500
1000
1500
VCE [V]的
图。 9关断安全工作区中的IGBT （ RBSOA ）
图。 10安全工作区在IGBT的短路
图。 11典型。续流二极管的正向特性
B 16 – 4
图。输入桥式二极管的正向12特征
0698
由赛米控
SKiiP的NAB 31 06
绝对最大额定值
符号
逆变器
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
F
= –I
C
I
FM
= –I
CM
条件
1)
值
600
± 20
50 / 35
100 / 70
57 / 38
114 / 76
800
25
370
680
– 40 . . . + 150
– 40 . . . + 125
2500
单位
V
V
A
A
A
A
V
A
A
A
2
s
°C
°C
V
T
散热器
= 25 / 80 °C
t
p
< 1毫秒;牛逼
散热器
= 25 / 80 °C
T
散热器
= 25 / 80 °C
t
p
< 1毫秒;牛逼
散热器
= 25 / 80 °C
的MiniSKiiP 3
赛米控一体化
智能电源
SKiiP的NAB 31 06
3相桥式整流器+
制动斩波器+
三相桥式逆变器
案例M3
桥式整流器
V
RRM
I
D
T
散热器
= 80 °C
t
p
= 10毫秒;罪。 180° ，T
j
= 25 °C
I
FSM
I
2
t
t
p
= 10毫秒;罪。 180° ，T
j
= 25 °C
T
j
T
英镑
V
ISOL
交流电，1分钟。
特征
符号
条件
1)
IGBT - 逆变器
V
CESAT
I
C
= 50为T
j
= 25 (125)
°C
V
CC
= 300 V; V
GE
= ± 15 V
t
D（上）
t
r
I
C
= 50 A;牛逼
j
= 125
°C
R
坤
= R
高夫
= 22
t
D（关闭）
t
f
感性负载
E
on
+ E
关闭
C
IES
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ， 1 MHz的
每个IGBT
R
thJH
IGBT - 斩波*
V
CESAT
I
C
= 30为T
j
= 25 (125)
°C
V
CC
= 300 V; V
GE
= ± 15 V
t
D（上）
t
r
I
C
= 30 A;牛逼
j
= 125
°C
R
坤
= R
高夫
= 33
t
D（关闭）
t
f
感性负载
E
on
+ E
关闭
C
IES
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ， 1 MHz的
每个IGBT
R
thJH
二极管
2)
- 逆变器&砍刀
V
F
= V
EC
I
F
= 50为T
j
= 25 (125)
°C
V
TO
T
j
= 125 °C
r
T
T
j
= 125 °C
I
F
= 50 A，V
R
= – 300 V
I
RRM
di
F
/ DT = - 800 A / μs的
Q
rr
E
关闭
V
GE
= 0 V ，T
j
= 125 °C
每二极管
R
thJH
二极管 - 整流器
V
F
I
F
= 25 A，T
j
= 25 °C
每二极管
R
thJH
温度传感器
R
TS
T =百分之二十五℃，
机械数据
M
1
案件散热器， SI单位
例
机械大纲见页
B 16 – 9
2
分钟。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
马克斯。
单位
V
2,1(2,2) 2,7(2,8)
ns
120
60
ns
160
80
ns
500
330
ns
830
550
mJ
–
7,3
nF
–
2,8
K / W
1,0
–
V
2,1(2,2) 2,7(2,8)
ns
100
50
ns
160
80
ns
370
250
ns
750
500
mJ
–
4,0
nF
–
1,6
K / W
1,4
–
V
1,45(1,4) 1,7(1,7)
V
0,9
0,85
m
16
11
–
A
50
–
C
5,0
–
mJ
1,5
1,2
K / W
–
1,2
–
1000 / 1670
–
M3
2,5
–
2,6
V
K / W
Nm
UL认证文件编号。 E63532
规格温度
传感器见A部分
共同的特点看
页面B16-3
选项
也可提供更快的IGBT
（类型... 063 ） ，在数据表
请求
1)
2)
T
散热器
= 25 ° C，除非
另有规定编
CAL =控制轴向长寿命
技术（软，快
恢复）
*对于IGBT斩波器的示意图，请参阅SKiiP的NAB 22 06
由赛米控
0898
B 16 – 31
的MiniSKiiP 2.共同特点
的MiniSKiiP 600 V
ICOP / IC
1.2
Mini0607
T
j
= 150 °C
V
GE
=
≥
15 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
第[° C]
图。 IGBT的我的7额定电流
COP
/ I
C
= F（T
h
)
T
j
=
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
T
j
=
≤
150 °C
V
GE
= ± 15 V
t
sc
=
≤
10
s
L
EXT
< 25 nH的
图。 9关断安全工作区中的IGBT （ RBSOA ）
图。 10安全工作区在IGBT的短路
图。 11典型。续流二极管的正向特性
由赛米控
图。输入桥式二极管的正向12特征
0698
B 16 – 3
QQ：2881677436 复制
