红外发光二极管,侧视型
SIM-22ST
在SIM - 22ST是GaAs红外发光二极管装在侧面发射。高输出
1.5
镜头。
■应用
光源为传感器
■特点
1 )小型封装( 4.7x4.6毫米)镜头。
2 )高效率,高输出。
3 )发射光谱非常适合硅探测器
(
P
= 950纳米)。
4 )良好的电流,光输出线性度。
5 )使用寿命长,可靠性高。
尺寸
(单位:毫米)
2.54
±
0.1
注意事项:
1.
公差
±
0.2除非
另有说明。
2.价值parenthese是大小
在引线基地。
1.0
4.1
其余门
0.3Max.
4.6
±
0.1
1.8
±
0.05
1.9
0.15
R0.5
R0.75
2-C0.7
1.5
4.7
±
0.1
2.8
20.65
20.45
R0.5
1
(2.54)
2
0.64
1阴极
12Min.
1.0
0.40
2阳极
“绝对
最大额定值
(Ta=25C)
参数
正向电流
反向电压
功耗
脉冲正向电流
工作温度
储存温度
符号
I
F
V
R
P
D
I
FP
TOPR
TSTG
范围
50
5
80
0.5
25
+85
30
+100
单位
mA
V
mW
A
°C
°C
脉冲宽度= 0.1毫秒,占空比1 %
ⅵELECTRICAL
和光学特性
(Ta=25C)
参数
发光强度
发光强度
正向电压
反向电流
峰值发光波长
光谱线半宽
半视角
响应时间
截止频率
符号
I
E
I
E
V
F
I
R
λ
P
Δλ
θ
1/2
tr
fc
tf
分钟。
0.48
典型值。
0.8
1.3
1.3
950
40
马克斯。
1.94
1.6
10
单位
毫瓦/ SR
mA
V
μA
nm
nm
度
μs
兆赫
I
F
=10mA
I
F
=10mA
I
F
=50mA
V
R
=5V
I
F
=10mA
I
F
=20mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
I
F
=50mA
条件
±
30
1.0
1.0
根据我们的测量程序。
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2010.06 - Rev.B的
SIM-22ST
ⅵELECTRICAL
和光学特性曲线
70
数据表
14
EMITTING强度I:我
E
(毫瓦/ SR )
正向电流:我
F
(MA )
正向电流:我
F
(
毫安)
50
60
50
40
30
20
10
0
0
25°C
0
°C
25
°C
50
°C
75
°C
12
10
8
6
4
2
0
0
40
30
20
10
0
20
0
20
40
60
80
100
环境温度: TA(
°C)
0.4
0.8
1.2
1.6
10
20
30
40
50
正向电压: V
F
(
V)
正向电流:我
F
(MA )
图1正向电流衰减
图2正向电流与正向电压
图3发光强度与
正向电流
相对EMITTING强度:我
E
(%)
100
200
相对光输出:P
O
(%)
80
100
60
50
40
20
20
10
25
0
25
50
75
100
0
900
920
940
960
980
1000
环境温度: TA(
°C)
光波长:
λ
(
纳米)
图4相对发光强度与
环境温度
图5波长
20°
30°
40°
50°
10°
0°
100
相对EMITTING强度(%)
80
60
60°
40
70°
80°
90°
100
20
80
60
40
20
0
0
10° 20° 30° 40° 50° 60° 70° 80° 90°
角位移:
θ
(度)
相对EMITTING强度(%)
图。 6方向模式
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这可以从ROHM要求获得。
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在设计用于大规模生产的电路时,必须考虑到。
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仪表,交通运输设备,航空器械,核反应器,燃
控制器或其他安全装置) 。 ROHM应承担以任何方式使用任何不承担责任
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R1010A
传感器
红外发光二极管,侧视
TYPE
SIM-22ST
在SIM - 22ST是GaAs红外发光二极管装在侧面发射。高输出
φ1.5
镜头。
FApplications
光源为传感器
FExternal
尺寸(单位:毫米)
FFeatures
1 )小型封装( 4.7
4.6毫米)镜头。
2 )高效率,高输出。
3 )发射光谱非常适合硅探测器
(λ
P
= 950纳米)。
4 )良好的电流,光输出线性度。
5 )使用寿命长,可靠性高。
FAbsolute
最大额定值(Ta = 25_C )
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