高速同步电源
MOS.ET驱动程序
电源管理
描述
该SC1205H是一个符合成本效益，
高驱动电压，
双MOS.ET驱动器，设计用于切换高，低
侧电源MOS.ETs 。每个驱动器能够超超的
快速上升/下降时间以及一个20ns的最大传播
从输入转换推迟到电源.ET ?? S的大门。
内部的重叠保护电路可防止拍摄开启
通过从VIN至GND的主要和同步
MOS.ETs 。自适应重叠保护电路恩
祖雷斯贝尔底部.ET不会打开，直到前.ET
源已经达到了电压足够低，以防止
跨导。
8V的较高的栅极电压驱动能力（顶部和
底部）优化降低功耗MOS.ETs的RDS_ON
没有过多的驱动程序和.ET开关损耗。该
高电流驱动能力（ 5A峰值），可以快速开关
荷兰国际集团，从而降低开关损耗高（最高可达1MHz ）
频率不会造成热应力的驱动程序。
高电压CMOS工艺可工作5
18伏特，在顶部MOS.ET漏电，从而使SC1205H
适用于电池供电的应用。连
使能引脚（ EN）为逻辑低电平关闭两个驱动器和
降低工作电流小于10μA 。
欠电压锁定和过温关断模式
断特性包括，以保证正确和安全
操作。在SC1205H中提供了标准的SO- 8
封装。
SC1205H
初步
.eatures
K
更高的效率（ >90 ％ ）
K
.ast上升和下降时间（ 15ns的典型有3000pF的
负载）
K
更高
栅极驱动电压（ 8V ） ，以获得最佳
MOS.ET RDS_ON以最低的开关损耗
K
超低（ <20ns ）传播延迟（ BG变低）
K
5安培的峰值驱动电流
K
自适应非重叠栅极驱动器提供
贯通保护
K
.loating顶驱切换至18V
K
欠压锁定功能
K
过温关断
K
小于10
供电电流，当EN为低电平
K
低成本
应用
K
K
K
K
K
英特尔奔腾
TM
电源
AMD速龙
TM
和K8
TM
电源
高效率的便携式计算机和笔记本电脑
电池供电应用
高频率（ 1.0 MHz）的操作允许使用
小型电感器和低成本的瓶盖代替
电解
典型应用电路
输入电压5-12V
2200uf
10u,CER
10nf
10
2.5m
+8V
70N03
1
2
3
4
5
6
7
Rf
8
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
ERROUT
FB
RREF
VCC
Bgout
OC +
OUT1
OUT2
OC-
UVLO
GND
16
15
14
13
12
11
BST
TG
+8V
VS
EN
DRN
70N03
BG
CO
SC1205H
GND
1.5V,40A
70N03
10
9
BST
TG
VS
EN
DRN
70N03
RREF
+8V
SC2422B
CO
Ri
SC1205H
BG
GND
第2版， 2002年6月
1
www.semtech.com
SC1205H
电源管理
绝对最大额定值
参数
V
CC
电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
DRN到PGND脉冲
符号
V
IMAXSW
VMAX
BST- PGND
VMAX
BST- DRN
VMAX
DRN - PGN
VMAX
脉冲
t
脉冲
＆ LT ;为100ns
t
脉冲
＆ LT ;为20ns
EN至PGND
输入引脚
连续功率耗散
热阻结到外壳
热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接） 10秒。
VMAX
OVP S-保护地
CO
P
D
θ
J·C
θ
J A
T
J
T
英镑
T
领导
环境温度Tamb = 25° C，T
J
= 125°C
温度上限= 25 ° C，T
J
=125°C
条件
最大
11
30
11
-2 25
-5 25
-10到25
12
-0.3至12
0.66
2.56
40
150
0到+125
-65到+150
300
V
V
W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
初步
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
单位
V
V
V
V
V
注意：
（1）规范指的是应用图1所示电路。
电气特性
除另有规定： -0 <
θ
J
< 125°C ; V
CC
= 5V ; 4V < V
BST
< 26V
参数
POW ER供应
电源电压
静态电流，工作
静态电流
欠压锁定
启动阈值
迟滞
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
CC
Iq_op
Iq_stby
V
CC
V
CC
= 5V ，C
O
= 0V
EN = 0V
4.2
5
1
9.0
V
mA
10
A
V
开始
VHYS
UVLO
4.2
4.4
0.05
4.75
V
V
2002年升特公司
2
www.semtech.com
SC1205H
电源管理
AC操作规范（续）
参数
低 - 侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间
BG变高
传播延迟时间
BG走出低
欠压锁定
V_5斜坡向上
V_5斜坡下降
tPDH时间
UVLO
保持tPDL
UVLO
EN为高电平
EN为高电平
10
10
s
s
tr
BG
tr
BG
tPDH时间
BGHI
保持tPDL
BGHI
CI = 3nF的，V
CI = 3nF的，V
CI = 3nF的，V
CI = 3nF的，V
νs的
初步
条件
民
典型值
最大
单位
符号
= 8V
= 8V
= 8V
= 8V
15
13
12
7
ns
ns
ns
ns
νs的
νs的
νs的
注意：
（ 1 ）此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
时序图
2002年升特公司
4
www.semtech.com
SC1205H
电源管理
引脚配置
顶视图
初步
订购信息
设备
(1)
P ackag ê
SO-8
温度范围（T
J
)
0°到125℃
SC1205HSTR
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含2500设备。
(SO-8)
引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
DRN
TG
BST
CO
EN
VS
BG
保护地
引脚功能
此脚连接至开关和同步MOSFET的连接点。该引脚
可以进行一个-2V最小相对不影响操作到PGND 。
输出栅极驱动器的开关（高侧）的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚发展之间
浮动自举电压的高侧MOSFET 。电容值一般
之间的0.1μF和1μF （陶瓷） 。
TTL电平的输入信号提供给MOSFET驱动器。
当高时，该引脚使器件的内部电路。当低， TG和BG
被强制为低电平，电源电流（5V ）小于10μA 。
5V - 9.0V电源。一个.22-1μF陶瓷电容被连接到5V至PGND
非常靠近该引脚。
输出驱动器的同步（底部）的MOSFET 。
地面上。保持此引脚接近同步MOSFET源。
注意：
（ 1）逻辑电平输入和输出开路集电极TTL兼容。
2002年升特公司
5
www.semtech.com
QQ：2881677436 复制
