IRFP31N50L ， SiHFP31N50L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
210
58
100
单身
D
特点
500
0.15
超快速体二极管无需使用
在ZVS应用外部二极管
更低的栅极电荷结果在简单的驱动器
需求
可用的
RoHS指令*
柔顺
增强的dV / dt能力提供了更好的耐用性
较高的栅极电压阈值提供了改进的噪声
免疫
铅（Pb） ，免费提供
TO-247
应用
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
零电压开关SMPS
电信和服务器电源
不间断电源
电机控制应用
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP31N50LPbF
SiHFP31N50L-E3
IRFP31N50L
SiHFP31N50L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩
能源
a
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
500
± 30
31
20
124
3.7
460
31
46
460
19
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 1 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 31 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
31 A， di / dt的
≤
422 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91220
S- 81274 -REV 。 A， 16军08
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IRFP31N50L ， SiHFP31N50L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.24
-
马克斯。
40
-
0.26
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
有效输出电容
有效输出电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复电流
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
V /°C的
V
nA
A
mA
Ω
S
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
C
OSS EFF 。 （ ER）的
Q
g
Q
gs
Q
gd
r
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 19 A
b
V
DS
= 50 V，I
D
= 19 A
b
500
-
3.0
-
-
-
-
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.28
-
-
-
-
0.15
-
5000
553
59
6630
155
276
200
-
-
-
1.1
28
115
54
53
-
-
5.0
± 100
50
2.0
0.18
-
-
-
-
-
-
-
-
210
58
100
-
-
-
-
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
V
DS
= 1.0 V，F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V ， F = 1.0 MHz的
V
DS
= 0 V至400 V
c
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 31 A，V
DS
= 400 V,
参见图。 7和13
b
nC
Ω
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 250 V，I
D
= 31 A,
R
G
= 4.3
Ω,
参见图。 10
b
ns
-
-
-
-
-
170
220
570
1.2
7.9
31
A
124
1.5
250
330
860
1.8
12
V
ns
nC
C
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 31 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 31 A
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 ° C，I
S
= 31 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 125°C ，的di / dt = 100 A / μs的
b
T
J
= 25 °C
-
-
-
-
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
向前开启时间
t
on
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
c. C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，其存储了相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DS
.
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文档编号： 91220
S- 81274 -REV 。 A， 16军08
IRFP31N50L ， SiHFP31N50L
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
顶部
VGS
15
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
100
TJ = 150℃
10
10
1
5.0
V
0.1
20
μs
脉冲
宽度
TJ = 25 C
100
10
TJ = 25 C
1
0.01
0.1
0.1
4
5
V
DS = 50
V
20
μs
脉冲
宽度
6
9
8
7
V
GS ，栅 - 源
电压
(V)
10
11
1
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
100
顶部
RDS （ ON） ，漏极 - 源极导通电阻（标准化）
3.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
VGS
15
V
12
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
ID = 31一
2.5
2.0
1
5.0
V
1.5
1.0
0.1
0.5
V
GS = 10
V
20 40
60
80
100 120 140 160
0.01
0.1
20
μs
脉冲
宽度
TJ = 25 C
10
1
V
DS ，漏 - 源
电压
(V)
100
0.0
- 60 - 40 - 20 0
TJ ，结温
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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