IRFBC40LC ， SiHFBC40LC
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
39
10
19
单身
D
特点
600 V
1.2
超低栅极电荷
降低栅极驱动要求
增强型30 V ，V
GS
等级
减少的C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
极高频操作
额定重复性雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
描述
这一系列新的低充电功率MOSFET实现
与传统的电源显著降低栅极电荷
的MOSFET。利用新LCDMOS技术，
设备的改进，而不添加产品实现
成本，从而允许减小栅极驱动器的要求和总
系统的积蓄。除了降低开关损耗和
提高效率实现在各种高
频率的应用。数MHz的高频
目前可能使用新的低功率充电
的MOSFET。
这些设备的改进加上成熟的
耐用性和可靠性是电力的特征
提供的MOSFET设计在电源的新标准
晶体管开关应用。
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220
IRFBC40LCPbF
SiHFBC40LC-E3
IRFBC40LC
SiHFBC40LC
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
± 30
6.2
3.9
25
1.0
530
6.2
13
125
3.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 25 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
6.2 A， di / dt的
≤
80 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
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S- 81567 -REV 。 A， 7月28日 - 08
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
=
±
20
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.7 A
b
A
b
V
DS
= 100 V，I
D
= 3.7
600
-
2.0
-
-
-
-
3.7
-
0.70
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
100
500
1.2
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1100
140
15
-
-
-
12
20
27
17
4.5
7.5
-
-
-
39
10
19
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.2 A，V
DS
= 360 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 300 V，I
D
= 6.2 A
R
G
= 9.1
Ω,
R
D
= 47
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
-
-
-
-
-
440
2.1
6.2
A
25
1.5
680
3.2
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 6.2 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 6.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
1
I
D
，漏电流（ A）
10
0
4.5
V
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
顶部
10
1
150
°
C
25
°
C
10
0
10
-1
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-2
91114_01
10
-1
4
91114_03
20
s
脉冲
宽度
V
DS
=
100
V
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
10
1
I
D
，漏电流（ A）
10
0
V
GS
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 6.2 A
V
GS
= 10
V
4.5
V
10
-1
10
-2
10
-2
91114_02
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91114_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
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2400
2000
I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
1600
1200
C
OSS
800
400
0
10
0
10
1
C
RSS
10
1
150
°
C
25
°
C
10
0
0.6
91114_07
V
GS
= 0
V
0.8
1.0
1.2
1.4
91114_05
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= 5.2 A
V
DS
= 300
V
10
3
5
2
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
16
I
D
，漏电流（ A）
10
2
5
2
V
DS
= 240
V
12
V
DS
= 180
V
10
5
2
10
s
100
s
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
0.1
2
5
8
1
5
2
4
测试电路
见图13
0.1
5
2
0
0
91114_06
10
-2
8
16
24
32
40
91114_08
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
2
5
10
4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
10
V
7.0
6.0
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
I
D
，漏电流（ A）
5.0
图。 10A - 开关时间测试电路
4.0
3.0
V
DS
2.0
1.0
0.0
25
90 %
50
75
100
125
150
91114_09
T
C
，外壳温度（ ° C）
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
0
0.5
P
DM
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
91114_11
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
变化
t
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
10
V
t
p
0.01
Ω
I
AS
+
-
V
DD
V
DS
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
文档编号： 91114
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图。 12B - 松开电感的波形
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