S型
压控晶体振荡器
特点
输出频率为65.536MHz
5或3.3伏操作
三态输出
低抖动< 6PS均方根值（对于频率>12MHz ）
VCXO ，CMOS输出
0/70或-40/85
°C
温度范围
密封陶瓷SMD封装
S型压控晶体
振荡器
应用
产量
缓冲器/
三州
SONET / SDH的
xDSL的
数字视频
低抖动PLL的
ESD二极管
描述
Vc
输入
卜FF器
框图
f
O
图1
该VI S型压控晶体
振荡器（VCXO ）为石英稳定化的方
波发生器与CMOS输出和为
在CMOS （ 3.3和5V操作）和TTL测试
（ 5 V工作电压）逻辑电平。器件的测试
绝对拉范围（ APR ），并启动了
在工作温度范围内确保其
的性能和可靠性。
威克创166格洛弗大道，诺瓦克CT 06856-5160
联系电话： 1-88 - VECTRON - 1
电子邮件： vectron@vectron.com
S型压控晶体振荡器
性能特点
表1.电气性能
参数
电源电压（ +5或+ 3.3V ）
电源电流
输出逻辑电平
2
输出逻辑高电平
2
输出逻辑低电平
转换时间
2
上升时间
2
下降时间
3
对称或占空比
标称输出频率选项
对于APR测试条件（ + 5V选项）
对于APR测试条件（ + 3.3V选项）
绝对拉范围（订货
选项）
增益传递
工作温度（订货
选项）
控制电压漏电流
控制电压带宽（ -3dB ）
1
Symbo
l
V
DD
I
DD
V
OH
V
OL
t
R
t
F
符号
f
O
V
C
V
C
APR
民
典型
最大
单位
V
mA
V
V
ns
ns
%
兆赫
V
V
PPM
°C
uA
千赫
0.9*V
DD
1.1*V
DD
10毫安+ 0.25毫安/ MHz的
0.8*V
DD
0.1V
DD
5
5
45/55
65.536
4.5
3.0
50,80或100
积极
0/70或-40/85
±1
10
1.024
0.5
0.3
I
VCXO
BW
1.一个0.01uF的电容应尽量靠近电源地（接地）和一个0.1uF的也推荐。
2.图1中定义了这些参数。图2示出根据该等效5栅极的TTL负载和操作条件
这些参数进行测试并指定。
3.对称性被定义为（接通时间/周期与VS = -1.4V的用于TTL为Vs = 2.5伏，在CMOS ， 5伏的操作中，为Vs = 1.65V为
3.3伏操作。 TTL / CMOS引脚应接地的频率<12MHz 。
T
R
80
%
T
F
I
DD
6
V
DD
+
-
2
5
3
650
50%
20
%
添ê
期
.
1F
.01F
I
C
V
C
1
+
-
4
15pF
1.8k
图2.输出波形
图3.输出测试条件（ 25 ± 5 ° C）
±
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值的应力会永久损坏设备。实用
操作没有在这些暗示或在过量的条件的任何其它条件表示在
该数据表的操作部分。暴露在绝对最大额定值工作会
器件的可靠性产生不利影响。
表2.绝对最大额定值
参数
符号
电源
V
DD
储存温度
TSTORAGE
电压控制范围
V
C
评级
7
-55/125
0到V
DD
单位
VDC
°C
V
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任职资格符合性
的S型发生了以下MIL-STD资格。
表3.环保法规
参数
机械冲击
机械振动
可焊性
格罗斯和精细泄漏
耐溶剂性
条件
MIL -STD- 883C 2002.3 ，测试B
MIL -STD- 883C 2007.1 ，试验C
MIL -STD- 883C 2003.5
MIL -STD- 883C 1014.7 ， 100％测试
MIL -STD- 883C 2016年
操作注意事项
虽然ESD保护circuitrry被设计成S型，适当的预防措施应
搬运和安装时考虑。第六采用人体模型和一个充电装置模型（CDM）的
对ESD敏感试验和外观设计保护的评价。 ESD阈值依赖于
电路参数用于定义模型。虽然没有全行业标准已经通过了
清洁发展机制，电阻= 1.5Kohms标准HBM和电容= 100pF电容被广泛使用，因此，
可用于比较目的。
表4. ESD额定值
模型
人体模型
带电器件模型
最低
1500 V （MIL - STD- 883D ，方法3015 ，第1类）
1500 V
绝对拉范围（ APR ）规格
的S型VCXO的频率偏差被指定在绝对方面拉范围（ APR） 。 APR
为用户提供有保证的规范为在所有的最低可用频率偏差
操作条件。操作条件包括操作温度范围，电源变化，
在输出负载差异和因衰老变化。
一个S型VCXO与APR的+/- 50ppm以下将跟踪+/- 50ppm的基准源在所有
操作条件。同一个设备通常会展示150总拉能力
350 ppm的。
绝对拉范围（ APR）是通过对乘积码的第四个字符指定在表6中。
请参阅Vectron公司网站，
www.vectron.com ，
对于APR应用笔记。
振荡器老化
石英振荡器稳定的典型的老化过程中表现出的小的移位中的输出频率。主要
这导致这种转变的因素是在晶体和质量加载的变化的机械应力
外来物质上的晶体。
作为振荡器的老化，晶体的松弛通过安装应力或环境压力的传递
包到结晶安装布置可导致频率变化。六，已尽量减少这些
通过使用一个微型的AT-剪切带式谐振器的晶体，其允许优良的安装两方面的影响
排列并导致最小的松弛和几乎可以忽略不计的环境应力传递。
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S型压控晶体振荡器
振荡器老化
对晶体质量加载通常导致频率降低，并且通常由于放气的
在较密闭更少的时间内密封封装，或从污染的外部材料材料
封装。第六已经通过确保密封的完整性并减少输出最小化质量负荷的影响
放气通过利用ASIC技术的限制内部部件的数量。
下为40 ℃的工作温度下正常工作条件下， S型将典型地显示出
2 ppm的在运行的第一年老化。然后该设备将典型地显示为1ppm老化以下
一年对数下降后每一年。
220
183
150
60s.
60-90s.
45-60s.
蒂姆· E（ S）
图4.建议IR简介
图5.磁带和卷轴
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图6.外形图
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