IRF9Z14S ， SiHF9Z14S ， IRF9Z14L ， SiHF9Z14L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
12
3.8
5.1
单身
- 60
0.50
特点
先进的工艺技术
表面贴装（ IRF9Z14S / SiHF9Z14S ）
低ProfileThrough洞（ IRF9Z14L / SiHF9Z14L ）
175 ° C的工作温度
快速开关
P沟道
全额定雪崩
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
I
2
PAK （ TO- 262 ）
D
2
PAK （ TO-263 ）
S
G
G
D
S
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
对于大电流应用，因为是低内部
连接性和可耗散高达2.0 W的一
典型的表面贴装应用。
通孔版（ IRF9Z14L / SiHF9Z14L ）是
适用于薄型应用。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z14SPbF
SiHF9Z14S-E3
IRF9Z14S
SiHF9Z14S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF9Z14STRLPbF
a
SiHF9Z14STL-E3
a
IRF9Z14STRL
a
SiHF9Z14STL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF9Z14LPbF
SiHF9Z14L-E3
-
-
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
极限
- 60
± 20
- 6.7
- 4.7
- 27
0.29
140
- 6.7
4.3
3.7
43
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91089
S-挂起-REV 。 A， 02军， 08
WORK -IN -PROGRESS
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1
IRF9Z14S ， SiHF9Z14S ， IRF9Z14L ， SiHF9Z14L
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
峰值二极管恢复
dv / dt的
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 3.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 6.7 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRF9Z14 / SiHF9Z14数据和试验条件。
符号
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
最大结到环境（PCB
安装，稳态）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
3.5
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
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2
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
参考至25℃ ，我
D
= - 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 4.0 A
b
V
DS
= - 25 V，I
D
= - 4.0 A
c
- 60
-
- 2.0
-
-
-
-
1.4
-
- 0.06
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.5
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= - 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
270
170
31
-
-
-
11
63
10
31
7.5
-
-
-
12
3.8
5.1
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 6.7 A，V
DS
= - 48 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= - 30 V，I
D
= - 6.7 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 4.0
Ω,
参见图。 10
b
铅，模具联络中心之间
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 6.7
A
- 27
- 5.5
V
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 6.7 A，V
GS
= 0 V
b
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
t
rr
Q
rr
t
on
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 6.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
-
-
80
96
160
190
ns
nC
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。使用IRF9Z14 / SiHF9Z14数据和试验条件。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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3
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
V
DD
图。 10A - 开关时间测试电路
t
D（上）
V
GS
10
%
t
r
t
D（关闭）
t
f
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
I
AS
D.U.T.
I
AS
V
DS
-
+ V
DD
V
DD
t
p
- 10 V
t
p
0.01
Ω
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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图。 12B - 松开电感的波形
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5
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