SiHP16N50C ， SiHB16N50C ， SiHF16N50C
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
（五）在T
J
马克斯。
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
TO-220AB
的TO-220 FULLPAK
特点
560 V
V
GS
= 10 V
68
17.6
21.8
单身
D
低图 - -优异
on
X Q
g
0.38
100 ％雪崩测试
栅极电荷提高
T
rr
/Q
rr
改进
符合RoHS指令2002/95 / EC
G
D
S
G
D
S
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
S
G
D
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
TO-220AB
SiHP16N50C-E3
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHB16N50C-E3
的TO-220 FULLPAK
SiHF16N50C-E3
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
极限
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
c
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
10秒
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
250
- 55至+ 150
300
°C
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
D
2
PAK
TO220-AB
(TO-263)
500
± 30
16
10
40
2
320
38
W / ℃，
mJ
W
A
TO-220
FULLPAK
单位
V
笔记
一。由最高结温的限制。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 2.5毫亨，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 16 A.
。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91401
S10-0811 -REV 。 A， 12 -APR- 10
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SiHP16N50C ， SiHB16N50C ， SiHF16N50C
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
结到环境（印刷电路板安装）
a
符号
R
thJA
R
thJC
R
thJA
TO220 - AB
2
PAK （ TO-263 ）
62
0.5
40
的TO-220 FULLPAK
65
3.3
-
° C / W
单位
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压（N ）
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
前锋
跨
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
门输入电阻
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
体二极管的反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 8 A
V
DS
= 50 V，I
D
= 3 A
分钟。
500
-
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
-
-
0.31
3
1900
230
24
45
18
22
27
156
29
31
1.6
马克斯。
-
-
5.0
± 100
50
250
0.38
-
-
-
-
68
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0 MHz的
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 16 A，V
DS
= 400 V
-
-
-
nC
V
DD
= 250 V，I
D
= 16 A,
R
g
= 9.1
Ω,
V
GS
= 10 V
F = 1MHz时，漏极开路
-
-
-
-
ns
Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
-
555
5.5
18
16
A
30
1.8
-
-
-
V
ns
μC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10 A，V
GS
= 0 V
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
，的di / dt = 100 A / μs的，
V
R
= 20 V
记
这里显示的信息是初步的产品方案，而不是一个商业产品数据表。日前，Vishay Siliconix公司不承诺
产生这种或任何类似的产品。本信息不能被用于设计用途，也没有解释为要约提供或出售
此类产品。
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文档编号： 91401
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SiHP16N50C ， SiHB16N50C ， SiHF16N50C
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
50
V
GS
45
顶部
15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
底部5.0 V
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
T
J
= 25 °C
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
7.0 V
5
10
15
20
25
30
10
12
14
16
18
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性（ TO- 220 ）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。
3
- 典型的传输特性
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
30
V
GS
15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
底部5.0 V
顶部
3
I
D
= 16 A
2.5
2
1.5
1
0.5
V
GS
= 10 V
0
- 60 - 40 - 20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 150 °C
25
20
15
10
5
0
0
7.0 V
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性（ TO- 220 ）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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SiHP16N50C ， SiHB16N50C ， SiHF16N50C
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2800
2400
2000
C
国际空间站
1600
1200
C
OSS
800
400
C
RSS
0
1
10
100
1000
I
SD
，反向漏电流（ A）
C，电容（pF ）
V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
C
国际空间站
= C
gs
+C
gd
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
100
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1
V
GS
= 0 V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
24
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
20
16
12
8
4
0
0
20
40
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
= 16 A
V
DS
= 400 V
V
DS
= 250 V
V
DS
= 100 V
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
10
100 s
1
TT
C
==25 °C
T
CC
= 25 °C
T
C
= 25 °C
25 °C
150 °C
TT
J
==150 °C
T
J J
= 150 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
单脉冲
单脉冲
单脉冲
0.1
10
100
1毫秒
10毫秒
60
80
1000
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 8 - 最高安全工作区（ TO- 220AB ，D
2
PAK ）
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
100 s
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
单脉冲
0.1
10
100
1毫秒
10毫秒
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 9 - 最高安全工作区（ TO- 220 FULLPAK ）
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V
DS
V
GS
R
G
R
D
V
DS
90 %
D.U.T.
+
-
V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 10A - 开关时间测试电路
图。 10B - 开关时间波形
1
0.5
热响应（Z
thJC
)
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（ TO- 220AB ，D
2
PAK ）
1
0.5
热响应（Z
thJC
)
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
单脉冲
（热反应）
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
1
10
P
DM
0.01
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 12 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（ TO- 220 FULLPAK ）
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S10-0811 -REV 。 A， 12 -APR- 10
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