SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿
电压
I
R
=10
m
A
测试条件
TYPE
符号最小典型最大单位
SD103A V
（ BR ）R
40
V
SD103B V
（ BR ）R
30
V
SD103C V
（ BR ）R
20
V
SD103A
I
R
5
m
A
SD103B
I
R
5
m
A
SD103C
I
R
5
m
A
V
F
0.37
V
V
F
0.6
V
C
D
50
pF
t
rr
10
ns
V
R
= 30 V
漏电流
g
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
I
F
=20mA
正向电压降
I
F
=200mA
结电容V
R
= 0 V ， F = 1MHz的
反向恢复时间我
F
=I
R
= 50 200mA的，恢复到0.1 I
R
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
1000
1000.000
100
100.000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
16765
10000
I
R
- 反向电流（
m
A )
1000
100
10
1
0
16767
20
40
60
80
100 120 140 160
V
F
- 正向电压（MV ）
T
j
- 结温（
°C
)
图1.正向电流与正向电压
5
4
3
2
1
0
0
16766
图3.反向电流与结温
30
f=1MHz
C
D
- 二极管电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
I
F
- 正向电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
16768
0
5
10
15
20
25
30
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2 (4)
文档编号85633
第1版， 22 -NOV- 00
SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
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4 (4)
文档编号85633
第1版， 22 -NOV- 00
SD103A通SD103C
小信号二极管
肖特基二极管
特点
对于一般用途的应用
该SD103系列是金属对硅肖特基器件
这是由一个PN结的保护环。
低正向压降和快速开关使其非常适合
为保护MOS器件，转向，偏置和耦合
二极管，用于快速开关和低逻辑电平的应用程序。
其他应用是点击抑制，高效的全波
桥梁在电话的子集，并阻断二极管可充电
能低电压电池系统。
这些二极管也可在MiniMELF例类型
名称LL103A通LL103C 。
机械数据
案例： DO -35玻璃柜
重量：约。 0.13克
最大额定值和热特性
（等级25
o
C环境温度，除非另有规定。 ）
参数
S.D。 103A
S.D。 103B
S.D。 103C
符号
价值
40
30
20
400
15
0.3
125
(1)
(1)
单位
峰值反向电压
功率耗散（无限散热器）
单周期浪涌60Hz的正弦波
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
V
RRM
P
合计
I
FSM
R
θ
JA
T
j
T
S
伏
mW
安培
o
C /毫瓦
o
(1)
C
C
-55到+150
(1)
o
注意事项：
1.有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
691
小信号肖特基
垒二极管
SD103A - SD103C
小信号肖特基势垒二极管
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
低反向恢复时间
低反向电容
DO-35
符合RoHS
机械数据
案例：
终端：
极性：
重量：
模压玻璃DO- 35
每MIL -STD- 202E ，方法208
颜色频带端为负极
0.13克
最大额定值和电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
参数
马克斯。反向重复峰值电压
马克斯。 RMS反向电压
马克斯。平均整流电流
峰值正向浪涌电流（ t≤0.3ms ）
功率耗散减免上述25°C
马克斯。正向电压
马克斯。反向电流
典型值。结电容
典型值。反向恢复时间
马克斯。热阻
5.0@30V
SD103A
40
28
SD103B
30
21
0.35
15
400
0.37
0.60
5.0@20V
50
10
250
5.0@10V
SD103C
20
14
单位
V
V
A
A
条件
V
RRM
V
RMS
I
AV
I
FSM
P
D
V
F
I
R
C
J
T
rr
R
θJA
mW
V
A
pF
ns
° C / W
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
从我
F
= 50mA至
I
R
= 200毫安，R
L
=100
I
F
=20mA
I
F
=200mA
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFAX
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2007-12-24
第1页3
小信号肖特基势垒二极管
SD103A - SD103C
符号
参数
存储温度范围
SD103A
SD103B
-65 175
SD103C
单位
°C
条件
T
英镑
典型特性曲线
(T
A
= 25°C除非另有说明）
图。 2 ，典型正向特性
Fig.1-容许功耗与环境
温度
功耗（MW ）
环境温度T
a
(°C)
正向电流（mA ）
正向电压（ V）
图。 3 ，典型结电容
结电容（pF ）
反向电压（ V）
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分页： 1 2 3
小信号肖特基势垒二极管
SD103A - SD103C
英制尺寸（mm）
DO-35
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKAWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 247-2232 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈
C.P. 42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON COMPONETS Incorporated电子REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001
巴西
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON COMPONETS INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-54249942
传真： + 86-21-5424-9931
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第3页3
BL
特点
银河电子
SD103A - - - SD103C
电压范围：
40 -- 20 V
当前位置： 400毫瓦
小信号肖特基二极管
对于一般用途的应用
这是保护金属硅肖特基器件
由一个PN结保护环。低正向电压
下降和快速开关使其非常适用于保护
MOS器件，转向，偏置和耦合二极管
快速开关和低逻辑电平的应用
DO - 35 （玻璃）
机械数据
案例： JEDEC DO - 35 ，玻璃柜
极性：颜色频带端为负极
重量：约。 0.13克
绝对额定值（极限值）
符号
峰值反向电压
POW ER耗散（无限散热器）
单周期浪涌60Hz的正弦瓦特大街
正向连续电流
SD103A
40
SD103B
30
400
1)
15
SD103C
20
单位
V
mW
A
V
RRM
P
合计
I
FSM
I
（AV）
350
125
-55 ---+ 150
mA
结tenperature
存储温度范围
T
J
T
英镑
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度下
电气特性
（等级25
环境温度除非指定otherw ISE）
符号
反向breakdow N个电压
@ I
R
=10 A
SD103A
分钟。
40
30
20
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
50
10
250
马克斯。
-
5
0.37
0.6
-
-
-
单位
V
μA
V
pF
SD103B
SD103C
V
R
I
R
V
F
C
J
t
rr
R
θJA
漏电流
@ V
R
=50V
SD103A,V
R
=30V
SD103B,V
R
=20V
SD103C,V
R
=10V
FORW ARD压降@我
F
=20mA
I
F
=200mA
结电容@ V
R
=0V,f=1MHz
反向恢复时间@我
F
=I
R
=50mA
200mA的，收回
0.1我
R
热阻结到环境空气
ns
K / W
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文档编号0265011
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
SD103A - - - SD103C
图1 - FWD的典型变化。电流与FWD 。
XXXXXXXX -VOLTAGE
FOR主导电THROUGH THE
XXXXXXXX-肖特基
屏障
图2 - 典型正向传导曲线的
XXXXX
组合肖特基和PN
XXXXX
JUNCTION保护环
1000
1000.000
100
100.000
I
F
- 正向电流（mA ）
5
- 正向电流（ A）
F
4
3
2
1
0
0.0
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F - 正向电压（MV ）
I
0.5
1.0
1.5
2.0
V
F
- 正向电压（ V）
图3 - 的反向电流在典型变化
XXXXXXXXX
温度变化
图4 - 典型电容曲线一
结加反向电压
10000
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
R
- 反向电流（ A）
30
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
1000
100
10
1
0
20
40 60 80 100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
0
5
10
15
20
25
30
V
R
- 倒V
oltage （ V）
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文档编号0265011
BL
银河电子
2.
数据表
SD103A~SD103C
小信号肖特基BARRIES开关二极管
电压
20至40伏特
当前
0.35安培
DO-35
单位：英寸（毫米）
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
低反向恢复时间
低反向电容
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
1.02(26.0)MIN.
.020(0.52)TYP.
机械数据
案例：模压玻璃DO- 35
码头：每MIL -STD- 202E ，方法208
极性：参见下图
约。重量： 0.13克
安装位置：任意
订购信息
说明： “ -35 ”命令DO- 35封装
包装信息
B - 每散装箱2K
T / R - 10K每13"塑料卷
T / B - 每HORIZ 5K 。磁带&弹药箱
.153(3.9)MAX.
最大额定值和电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
PA RA M E TE
P EAK epetiti已经 已经RSE V oltage
R M S R ê已经R 5 ê V L T A G é
M A X 。一个已经R A克é 权证T I F I E D C-UR 鄂西北
P EAK F orward S乌尔GE C-UR重新NT ，T < 0 。 3米每秒
P奥尔 issipation 受这个微博已经2 5
O
C
M A X I M ü M F R W A R D V L T A G E，I
F
= 2 0为m的
I
F
= 2 0 0为m的
米喜米庵 已经R 5式C乌尔鄂西北
泰皮卡尔 unctioncapacitance （N OTE 1 ）
泰皮卡尔 EVERSE ecovery （N OTE 2 ）
米喜米庵的R M一l研究（E S） I S T A NC é
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RM S
I
O
I
F S M
P
D
V
F
I
R
CJ
T
RR
Rθ J A
T
s TG
5@30V
SD103A
40
28
SD103B
30
21
350
15
400
0 .3 7
0 .6 0
5@20V
50
10
250
- 6 5 TO + 1 7 5
O
1.02(26.0)MIN.
.079(2.0)MAX.
SD103C
20
14
加利它s
V
V
mA
A
mW
V
5@10V
uA
pF
ns
C / W
O
C
注意：
1. CJ在V
R
= 0中，f = 1MHz的
2.从我
F
= 50mA至我
R
= 200毫安，R
L
=100
STAD-JUL.30.2004
PAGE 。 1
SD103A ... SD103C
SD103A ... SD103C
硅肖特基势垒二极管
硅肖特基势垒Dioden
版本2005-06-21
额定电流
Nennstrom
1.9
0.2 A
20...40 V
DO-35
(SOD-27)
0.13 g
LL103C...LL103A
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
玻璃柜
Glasgehuse
重量约。
Gewicht约
62.5
3.9
0.52
相当于SMD版
quvalente SMD- Ausführung
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
=25°C)
TYPE
典型值
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
20
30
40
Grenzwerte （T
A
=25°C)
正向电压
Durchlass - Spannung
V
F
[V]
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
< 0.6
< 0.6
< 0.6
400毫瓦
1
)
15 A
-50...+125°C
-50...+175°C
< 0.37
< 0.37
< 0.37
T
A
= 25°C
P
合计
I
FSM
SD103C
SD103B
SD103A
功耗
Verlustleistung
峰值正向浪涌电流， 60Hz的正弦半波
Stostrom献给EINE 60赫兹窦Halbwelle
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
T
j
T
S
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在5毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
SD103A ... SD103C
特性（T
j
= 25°C)
漏电流
Sperrstrom
马克斯。结电容
马克斯。 Sperrschichtkapazitt
反向恢复时间
Sperrverzug
SD103C
SD103B
SD103A
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
V
R
= 30 V
Kennwerte （T
j
= 25°C)
I
R
< 5 μA
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 200 mA通/尤伯杯
I
R
= 200 mA至我
R
= 20毫安
C
合计
t
rr
R
THA
（典型值） 。 50 pF的
（典型值） 。 10纳秒
< 250 K / W
1
)
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
120
[%]
100
10
[A]
1
80
60
10
-1
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
-2
I
F
10
-3
T
j
= 25°C
0
V
F
0.4
0.6
[V]
1.0
额定正向电流与环境温度
1
)
祖尔。 Richtstrom在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。
1
)
正向特性（典型值）
Durchlasskennlinien （ typische Werte ）
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为5毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在5毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SD103A - SD103C
产品特点：
对于一般用途的应用
在SD103系列是金属 - 硅肖特基
这是由一个PN结的保护挡板装置
保护环。
低正向压降和快速开关
使其非常适用于保护MOS器件，
转向，偏置和耦合二极管快速
开关和低逻辑电平的应用程序。
其他应用是点击抑制，高效
在电话的子集全波桥和
阻塞二极管充电电压低
电池系统。
这些二极管也可在MiniMELF情况下可
与型号标识LL103A通LL103C 。
无铅/符合RoHS免费
肖特基势垒二极管
DO - 35玻璃
(DO-204AH)
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
阴极
标志
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
机械数据：
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和热特性
（评级为
参数
SD103A
反向重复峰值电压
SD103B
SD103C
单周期浪涌60Hz的正弦波
功率耗散（无限散热器）
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
25
°
C环境温度，除非另有规定。 ）
符号
V
RRM
价值
40
30
20
单位
V
I
FSM
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
15
400
(1)
0.3
(1)
(1)
A
mW
° C /毫瓦
°C
°C
125
-55到+ 150
(1)
注：（1 ）有效的设置，导致在从情况下的距离为4mm保持在环境温度。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
反向电流
SD103A
SD103B
SD103C
符号
I
R
测试条件
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
I
F
= 20mA下
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1mHz的
I
F
= I
R
= 50mA至200毫安
恢复到0.1I
R
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
50
10
最大
5
5
5
0.37
0.6
-
-
单位
A
正向电压降
结电容
反向恢复时间
V
F
CTOT
TRR
V
pF
ns
第1页2
启示录02 ： 2005年3月24日
额定值和特性曲线（ SD103A - SD103C ）
正向电流的典型变化
和正向电压对初级传导
通过肖特基势垒
10
3
典型的正向电流
导曲线
TP = 300毫秒，占空比= 2 ％
5
正向电流，I
F
（MA ）
10
正向电流，I
F
(A)
10
2
4
3
1
2
10
-1
1
10
-2
0
0.5
正向电压，V
F
(V)
1
0
0
0.5
1
1.5
正向电压，V
F
(V)
阻断电压降额
随温度的不同
平均正向电流
50
10
3
反向电流的典型变化
在不同温度
TA = 125℃
40
反向电压， V（ V）
R
反向电流，I
R
(
A)
百毫安
10
2
30
200毫安
I
F
= 400毫安
10
20
10
1
25°C
0
0
100
环境温度，钽（℃）
200
10
-1
0
10
20
30
40
50
反向电压， V
R
(V)
第1页2
启示录02 ： 2005年3月24日
SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
反向击穿
电压
I
R
=10
m
A
测试条件
TYPE
符号最小典型最大单位
SD103A V
（ BR ）R
40
V
SD103B V
（ BR ）R
30
V
SD103C V
（ BR ）R
20
V
SD103A
I
R
5
m
A
SD103B
I
R
5
m
A
SD103C
I
R
5
m
A
V
F
0.37
V
V
F
0.6
V
C
D
50
pF
t
rr
10
ns
V
R
= 30 V
漏电流
g
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
I
F
=20mA
正向电压降
I
F
=200mA
结电容V
R
= 0 V ， F = 1MHz的
反向恢复时间我
F
=I
R
= 50 200mA的，恢复到0.1 I
R
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
1000
1000.000
100
100.000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
16765
10000
I
R
- 反向电流（
m
A )
1000
100
10
1
0
16767
20
40
60
80
100 120 140 160
V
F
- 正向电压（MV ）
T
j
- 结温（
°C
)
图1.正向电流与正向电压
5
4
3
2
1
0
0
16766
图3.反向电流与结温
30
f=1MHz
C
D
- 二极管电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
I
F
- 正向电流（ A）
0.5
1.0
1.5
2.0
16768
0
5
10
15
20
25
30
V
F
- 正向电压（ V）
V
R
- 反向电压（ V）
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
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文档编号85633
第1版， 22 -NOV- 00
SD103A–SD103C
日前，Vishay
半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay -半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.com
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文档编号85633
第1版， 22 -NOV- 00
MCC
特点
l
l
l
低反向恢复时间
低反向电容
低正向压降
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
SD103A
THRU
SD103C
小信号
肖特基二极管
l
保护环结构的瞬态保护
机械数据
l
案例： DO - 35 ，玻璃
l
码头：每MIL -STD- 202方法208
l
极性：由阴极频带指示
DO-35
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
D
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
最高事务所周期浪涌60Hz的
正弦波
功率耗散（注1 ）
热阻，结到
环境
结Tmperature
操作/储存温度。范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
FSM
P
d
R
T
j
T
英镑
SD103A
SD103B
SD103C
40V
30V
20V
A
阴极
标志
28V
21V
15A
400mW
300K/W
125 C
-55 + 150℃
o
o
14V
B
D
C
电气特性@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
SD103A
泄漏
当前
SD103B
SD103C
V
F M
-----
I
R
-----
符号
TYPE
最大
5.0uA
5.0uA
5.0uA
0.37V
0.60V
测试条件
V
R
=30V
V
R
=20V
V
R
=10V
I
F
=20mA
I
F
=200mA
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
I
F
=I
R
= 50mA时恢复到
200mA/0.1I
R
暗淡
A
B
C
D
英寸
民
---
---
---
1.000
尺寸
MM
民
---
---
---
25.40
最大
.166
.079
.020
---
最大
4.2
2.00
.52
---
记
最大正向
电压降
结电容
反向恢复时间
Cj
t
rr
50pF
10ns
-----
-----
记
1.有效的规定，电极被保持在环境温度
www.mccsemi.com
QQ：2880707522 复制
