添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1096页 > SI9120DJ
Si9120
Vishay Siliconix公司
通用输入开关模式控制器
特点
D
10至450 V输入范围
D
电流模式控制
D
125 - mA输出驱动器
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
描述
该Si9120是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在低功耗，高效率离线式电源。
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10 450 VDC） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
至小于1.5 mA静态电流。
CMOS输出驱动器提供高速交换的
与栅极电荷，Q MOSFET器件
g
高达25 NC，足够
提供输出功率为30瓦， 100千赫。这些装置中，
当与一个输出MOSFET和变压器组合，可
用于实现单端的功率转换器
拓扑结构（即，反激式和正） 。
该Si9120可在标准和铅（Pb ） - 免费
被指定为16引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
9
OSC
OUT
8
FB
15
COMP
14
错误
扩音器
放电
10
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
R
Q
S
V
REF
11
+
4 V (1%)
REF
根
To
V
CC
电流模式
比较
5
6
产量
V
IN
BIAS
V
CC
+V
IN
16
当前
来源
7
1
To
国内
电路
4
V
CC
12
13
SENSE
8.1 V
+
8.6 V
预调节器/启动
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
应用程序的信息，请参阅AN707和AN708 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si9120
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 V
逻辑输入（ RESET
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
a
连续输出电流（来源或散热器）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP （J后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚SOIC （Y后缀）
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
16引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。连续电流可通过应用程序的最大输入限制
电压和封装的功率耗散。
B 。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至450 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
房间
满
房间
房间
满
3.88
3.82
15
70
4.0
30
100
0.5
4.12
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
振荡器
最大频率
e
f
最大
R
OSC
= 0
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 330千瓦
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 150千瓦
DF /女
= F （ 13.5 V）
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
千赫
240
15
500
%
PPM /°C的
兆赫
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
OSC
DF /女
T
OSC
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益
带宽
e
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
房间
房间
房间
房间
房间
60
1.0
3.92
25
"15
80
1.5
4.08
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
www.vishay.com
2
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
误差放大器（续）
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
Z
OUT
I
OUT
PSRR
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
0.12
50
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
W
mA
dB
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
7.8
7.0
0.3
8.6
8.1
0.6
450
10
9.4
8.9
V
V
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
= 500 pF的在引脚5
房间
房间
10
0.85
15
1.5
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲
宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
=
V
IN
见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
秋天
时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
40
20
25
40
75
9.7
9.5
0.3
0.5
30
50
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ，冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
一。 250 V
v
+V
IN
380 V的地方有10千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
380 V
v
+V
IN
450 V的地方有15千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
连接+ V之间的0.01 -MFD电容
IN
（引脚1）和
V
IN
（引脚6 ） 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
3
Si9120
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT （赫兹）
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻（ W）的
1M
www.vishay.com
4
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式
+V
IN
NC *
NC *
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
4
5
6
7
8
+V
IN
1
SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
顶视图
注：引脚2和3被除去
订购信息
产品型号
Si9120DY
Si9120DY-T1
Si9120DY-T1—E3
Si9120DJ
Si9120DJ—E3
40
至85℃
PDIP-16
PDIP 16
SOIC-16
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9120的低静态电流的要求
控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部调节
低电压供电，或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（引脚1）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET也就是确定
连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚7 ） 。这个启动
电路提供初始功率给IC通过充电的外部
连接至V旁路电容
CC
引脚。恒
目前被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
不
迫使超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
控制逻辑将正常和足够的栅极
驱动电压可在MOSFET导通之前。该
该集成电路的设计是这样的，欠电压锁定阈值
将至少为300毫伏小于所述预调节器的关断
电压。功耗可通过提供一种最小化
外部电源到V
CC
使得恒定电流
源总是被禁用。
注意：
当驱动大功率MOSFET高频无
自举V
CC
供给，功率耗散在预调节器
可能超过所述IC封装的额定功率。操作
的+ V
IN
> 250伏， 10千瓦，
1
/
4
-W电阻器应放置在
系列+ V
IN
（引脚1 ） 。对于+ V
IN
> 380伏， 15千瓦，
1
/
4
-W
电阻。
BIAS
要正确设置偏置为Si9120 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚16）绑
V
IN
（引脚6） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
www.vishay.com
5
Si9120
Vishay Siliconix公司
通用输入开关模式控制器
特点
D
10至450 V输入范围
D
电流模式控制
D
125 - mA输出驱动器
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
描述
该Si9120是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在低功耗，高效率离线式电源。
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10 450 VDC） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
至小于1.5 mA静态电流。
CMOS输出驱动器提供高速交换的
与栅极电荷，Q MOSFET器件
g
高达25 NC，足够
提供输出功率为30瓦， 100千赫。这些装置中，
当与一个输出MOSFET和变压器组合，可
用于实现单端的功率转换器
拓扑结构（即，反激式和正） 。
该Si9120可在标准和铅（Pb ） - 免费
被指定为16引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
9
OSC
OUT
8
FB
15
COMP
14
错误
扩音器
放电
10
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
R
Q
S
V
REF
11
+
4 V (1%)
REF
根
To
V
CC
电流模式
比较
5
6
产量
V
IN
BIAS
V
CC
+V
IN
16
当前
来源
7
1
To
国内
电路
4
V
CC
12
13
SENSE
8.1 V
+
8.6 V
预调节器/启动
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
应用程序的信息，请参阅AN707和AN708 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si9120
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 V
逻辑输入（ RESET
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
a
连续输出电流（来源或散热器）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP （J后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚SOIC （Y后缀）
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
16引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。连续电流可通过应用程序的最大输入限制
电压和封装的功率耗散。
B 。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至450 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
房间
满
房间
房间
满
3.88
3.82
15
70
4.0
30
100
0.5
4.12
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
振荡器
最大频率
e
f
最大
R
OSC
= 0
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 330千瓦
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 150千瓦
DF /女
= F （ 13.5 V）
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
千赫
240
15
500
%
PPM /°C的
兆赫
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
OSC
DF /女
T
OSC
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益
带宽
e
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
房间
房间
房间
房间
房间
60
1.0
3.92
25
"15
80
1.5
4.08
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
www.vishay.com
2
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
误差放大器（续）
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
Z
OUT
I
OUT
PSRR
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
0.12
50
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
W
mA
dB
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
7.8
7.0
0.3
8.6
8.1
0.6
450
10
9.4
8.9
V
V
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
= 500 pF的在引脚5
房间
房间
10
0.85
15
1.5
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲
宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
=
V
IN
见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
秋天
时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
40
20
25
40
75
9.7
9.5
0.3
0.5
30
50
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ，冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
一。 250 V
v
+V
IN
380 V的地方有10千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
380 V
v
+V
IN
450 V的地方有15千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
连接+ V之间的0.01 -MFD电容
IN
（引脚1）和
V
IN
（引脚6 ） 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
3
Si9120
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT （赫兹）
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻（ W）的
1M
www.vishay.com
4
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式
+V
IN
NC *
NC *
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
4
5
6
7
8
+V
IN
1
SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
顶视图
注：引脚2和3被除去
订购信息
产品型号
Si9120DY
Si9120DY-T1
Si9120DY-T1—E3
Si9120DJ
Si9120DJ—E3
40
至85℃
PDIP-16
PDIP 16
SOIC-16
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9120的低静态电流的要求
控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部调节
低电压供电，或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（引脚1）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET也就是确定
连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚7 ） 。这个启动
电路提供初始功率给IC通过充电的外部
连接至V旁路电容
CC
引脚。恒
目前被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
不
迫使超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
控制逻辑将正常和足够的栅极
驱动电压可在MOSFET导通之前。该
该集成电路的设计是这样的，欠电压锁定阈值
将至少为300毫伏小于所述预调节器的关断
电压。功耗可通过提供一种最小化
外部电源到V
CC
使得恒定电流
源总是被禁用。
注意：
当驱动大功率MOSFET高频无
自举V
CC
供给，功率耗散在预调节器
可能超过所述IC封装的额定功率。操作
的+ V
IN
> 250伏， 10千瓦，
1
/
4
-W电阻器应放置在
系列+ V
IN
（引脚1 ） 。对于+ V
IN
> 380伏， 15千瓦，
1
/
4
-W
电阻。
BIAS
要正确设置偏置为Si9120 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚16）绑
V
IN
（引脚6） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
www.vishay.com
5
Si9120
Vishay Siliconix公司
通用输入开关模式控制器
特点
D
10至450 V输入范围
D
电流模式控制
D
125 - mA输出驱动器
D
内部的启动电路
D
内部振荡器（ 1兆赫）
D
关机和重设
描述
该Si9120是一款专为使用BIC / DMOS集成电路
在低功耗，高效率离线式电源。
高电压DMOS输入允许控制器工作在一个
宽输入电压范围（ 10 450 VDC） 。电流模式
PWM控制电路中的CMOS实现的，以减少
至小于1.5 mA静态电流。
CMOS输出驱动器提供高速交换的
与栅极电荷，Q MOSFET器件
g
高达25 NC，足够
提供输出功率为30瓦， 100千赫。这些装置中，
当与一个输出MOSFET和变压器组合，可
用于实现单端的功率转换器
拓扑结构（即，反激式和正） 。
该Si9120可在标准和铅（Pb ） - 免费
被指定为16引脚塑料DIP和SOIC封装
工作在工业温度范围
40
_C
to
85
_C.
功能框图
OSC
IN
9
OSC
OUT
8
FB
15
COMP
14
错误
扩音器
放电
10
OSC
2V
+
+
1.2 V
C / L
比较
时钟（
1
/
2
f
OSC
)
R
Q
S
V
REF
11
+
4 V (1%)
REF
根
To
V
CC
电流模式
比较
5
6
产量
V
IN
BIAS
V
CC
+V
IN
16
当前
来源
7
1
To
国内
电路
4
V
CC
12
13
SENSE
8.1 V
+
8.6 V
预调节器/启动
+
欠压比较器
Q
S
R
关闭
RESET
应用程序的信息，请参阅AN707和AN708 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
1
Si9120
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
（注： V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 V
逻辑输入（ RESET
关机， OSC IN， OSC OUT ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入
（反馈感， BIAS ，V
REF
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流（连续） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
a
连续输出电流（来源或散热器）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温（T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
功率耗散（包）
b
16引脚塑料DIP （J后缀）
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚SOIC （Y后缀）
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
热阻抗（Q
JA
)
16引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
笔记
一。连续电流可通过应用程序的最大输入限制
电压和封装的功率耗散。
B 。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
。减免6毫瓦/ _C以上25_C 。
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9.5 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至450 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
R
L
= 10毫瓦
房间
满
房间
房间
满
3.88
3.82
15
70
4.0
30
100
0.5
4.12
4.14
45
130
1.0
V
kW
mA
毫伏/°C的
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
振荡器
最大频率
e
f
最大
R
OSC
= 0
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 330千瓦
C
杂散
9针
v
5 pF的
R
OSC
= 150千瓦
DF /女
= F （ 13.5 V）
F（ 9.5 V） /女（9.5 V）的
房间
房间
房间
房间
满
1
80
160
3
100
200
10
200
120
千赫
240
15
500
%
PPM /°C的
兆赫
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
OSC
DF /女
T
OSC
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
输入失调电压
开环电压增益
e
单位增益
带宽
e
V
FB
I
FB
V
OS
A
VOL
BW
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
（ OSC已禁用）
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
房间
房间
房间
房间
房间
60
1.0
3.92
25
"15
80
1.5
4.08
500
"40
V
nA
mV
dB
兆赫
www.vishay.com
2
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
具体的测试条件
参数
误差放大器（续）
动态输出阻抗
e
输出电流
电源抑制
Z
OUT
I
OUT
PSRR
误差放大器配置为60 dB增益
源V
FB
= 3.4 V
水槽V
FB
= 4.5 V
9.5 V
v
V
CC
v
13.5 V
房间
房间
房间
房间
0.12
50
1000
2.0
0.15
70
2000
1.4
W
mA
dB
排放量=
V
IN
= 0 V,
V
CC
= 10 V +V
IN
= 300 V
R
BIAS
= 390千瓦，R
OSC
= 330千瓦
范围
后缀
40
至85℃
温度
B
民
C
典型值
D
最大
C
符号
单位
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
V
来源
t
d
V
FB
= 0 V
V
SENSE
= 1.5 V，见图1
房间
房间
1.0
1.2
100
1.4
150
V
ns
预调节器/启动
输入电压
输入漏电流
V
CC
预稳压器关断阈值
电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
+V
IN
+I
IN
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
9.4 V
I
预稳压器
= 10
mA
房间
房间
房间
房间
房间
7.8
7.0
0.3
8.6
8.1
0.6
450
10
9.4
8.9
V
V
mA
供应
电源电流
偏置电流
I
CC
I
BIAS
C
L
= 500 pF的在引脚5
房间
房间
10
0.85
15
1.5
20
mA
mA
逻辑
关机延迟
e
关断脉冲宽度
e
复位脉冲
宽度
e
锁存脉冲宽度
关机和重设低
e
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
C
L
= 500 pF的，V
SENSE
=
V
IN
见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
50
100
ns
产量
输出高电压
输出低电压
输出电阻
上升时间
e
秋天
时间
e
V
OH
V
OL
R
OUT
t
r
t
f
I
OUT
=
10
mA
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 10 mA时，信号源或接收器
C
L
= 500 pF的
房间
满
房间
满
房间
满
房间
房间
40
20
25
40
75
9.7
9.5
0.3
0.5
30
50
75
V
W
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ，冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证，不受生产测试。
一。 250 V
v
+V
IN
380 V的地方有10千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
380 V
v
+V
IN
450 V的地方有15千瓦，
1
/
4
-W串联电阻与+ V
IN
(Pin1).
连接+ V之间的0.01 -MFD电容
IN
（引脚1）和
V
IN
（引脚6 ） 。
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
www.vishay.com
3
Si9120
Vishay Siliconix公司
时序波形
SENSE
0
V
CC
产量
0
1.5 V
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
产量
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
90%
90%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
r
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率
与电阻振荡器
1M
F OUT （赫兹）
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻（ W）的
1M
www.vishay.com
4
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
Si9120
Vishay Siliconix公司
引脚配置和订购信息
双列直插式
+V
IN
NC *
NC *
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
SENSE
产量
V
IN
V
CC
OSC OUT
4
5
6
7
8
+V
IN
1
SOIC
16
15
14
13
12
11
10
9
BIAS
FB
COMP
RESET
关闭
V
REF
放电
OSC IN
顶视图
注：引脚2和3被除去
订购信息
产品型号
Si9120DY
Si9120DY-T1
Si9120DY-T1—E3
Si9120DJ
Si9120DJ—E3
40
至85℃
PDIP-16
PDIP 16
SOIC-16
温度范围
包
详细说明
预稳压器/启动部分
由于Si9120的低静态电流的要求
控制电路，偏压功率可以从供给
未调节的输入功率源，从外部调节
低电压供电，或由辅助“引导”绕组
输出电感器或变压器。
当电源在启动过程中， + V首先施加
IN
（引脚1）会
绘制一个恒定电流。此电流的大小是
由一个高压耗尽型MOSFET也就是确定
连接+ V之间
IN
和V
CC
（引脚7 ） 。这个启动
电路提供初始功率给IC通过充电的外部
连接至V旁路电容
CC
引脚。恒
目前被禁用时， V
CC
超过8.6 V.如果V
CC
不
迫使超过8.6 -V的阈值，则V
CC
会
由预调节器调节到8.6伏的标称值
电路。
作为电源电压升高朝向正常操作
的条件下，一个内部欠压（ UV）锁定电路保持
禁用，直到V的输出驱动器
CC
超过欠压
锁定阈值（通常为8.1 V） 。这保证了
文档编号： 70006
S- 42042 -REV 。 H， 15月， 04
控制逻辑将正常和足够的栅极
驱动电压可在MOSFET导通之前。该
该集成电路的设计是这样的，欠电压锁定阈值
将至少为300毫伏小于所述预调节器的关断
电压。功耗可通过提供一种最小化
外部电源到V
CC
使得恒定电流
源总是被禁用。
注意：
当驱动大功率MOSFET高频无
自举V
CC
供给，功率耗散在预调节器
可能超过所述IC封装的额定功率。操作
的+ V
IN
> 250伏， 10千瓦，
1
/
4
-W电阻器应放置在
系列+ V
IN
（引脚1 ） 。对于+ V
IN
> 380伏， 15千瓦，
1
/
4
-W
电阻。
BIAS
要正确设置偏置为Si9120 ，一个390千瓦的电阻
应该从BIAS （引脚16）绑
V
IN
（引脚6） 。这
确定在所有模拟的偏置电流的大小
部分和所述上拉电流的关断和
RESET引脚。流过偏置电阻器的电流是
名义上15
毫安。
www.vishay.com
5
查看更多SI9120DJPDF信息
推荐型号
SI8235AB-C-IM
SMT15F-12S1V2J
SFH4231
S-1131B19UA-N4ETFG
S-1200B25-M5T1G
SN54HCT540
SN74ABT541
S72NS128ND0AFW7K3
ST72T2511R6T1S
SNJ5407J
SD48D50A2
SP8716
SM518Q
ST2100C40R0
ST92F124JDV9QB
STC05IE150HP
SGM811-ZXKA4
SSW16B51R0ASLF13
SP4446EK/TR
S-882145AMH-M2UTFG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI9120DJ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
SI9120DJ
21+
10000
DIP 16
全新原装正品/质量有保证
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
SI9120DJ
VISHAY
2019+
355
DIP
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳信泰电子器材有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ：519794981 复制

电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
SI9120DJ
VISHAY/SILICONI
24+
37
DIP16
100%原装正品，只做原装正品
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004330546 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SI9120DJ
VISHAY
20+
8090
DIP
原装进口可样品可出
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ：932480677 复制

电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
SI9120DJ
SILICONIX/硅尼克斯
2402+
8324
DIP16
原装正品！实单价优！
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
SI9120DJ
SI
17+
9600
DIP
进口原装正品现货
深圳市格雷迪电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ：962143175 复制

电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
SI9120DJ
VISHAY/威世
24+
32883
DIP
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SI9120DJ
SILICONIX
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SI9120DJ
VISHAY
24+
18650
DIP
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
SI9120DJ
SIL
25+23+
25500
DIP
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
查询更多SI9120DJ供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！