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Si823x
0.5
4 . 0 A
MP
我S 0
,D R I V ê R 5
(2.5
5
K
V
RMS
)
特点
引脚分配
两个完全隔离的驱动器
60 ns的最大传播
在一个封装中
延迟
高达5 kV
RMS
输入 - 输出
独立HS和LS输入或
PWM输入版本
隔离
高达1500 V
DC
峰值驱动程序用于─
瞬变抗扰度>30 KV / μs的
驱动差分电压
重叠保护和
HS / LS和双驱动程序版本
可编程死区时间
高达8 MHz的开关频率
工作温度范围
0.5 A峰值输出( Si8230 / 1/ 2)
-40至+125°C
4.0峰值输出( Si8233 / 4 /5/ 6)
UL / VDE / CSA认证
符合RoHS标准
SOIC -16 (宽)
通过
VIB
VDDI
GNDI
关闭
DT
NC
VDDI
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
VDDA
VOA
GNDA
NC
NC
VDDB
VOB
GNDB
Si8230
Si8233
13
12
11
10
9
应用
SOIC -16 (窄)
通过
1
2
3
16
15
14
VDDA
VOA
GNDA
NC
NC
VDDB
VOB
GNDB
电力输送系统
电机控制系统
隔离式DC -DC电源
照明控制系统
等离子显示器
太阳能和工业逆变器
VIB
VDDI
GNDI
关闭
4
Si8230
13
5
6
7
8
Si8233
12
11
10
9
描述
该Si823x隔离驱动器系列结合了两个独立的,孤立的
司机在单一封装中。该Si8230 / 1 /3/4为高侧/低侧
驱动程序和Si8232 / 5/6是双驱动器。版本,峰值输出
0.5 A( Si8230 / 1/ 2)和4.0中的电流( Si8233 / 4 /5/ 6)可用。所有
司机与24 V的最大电源电压下工作
该Si823x驱动器采用Silicon Labs公司自主研发的硅隔离
技术,该技术提供了高达5 kV
RMS
每UL1577耐压,
快速的60 ns的传播时间。驱动器输出可以被接地到
相同或不同的理由或连接到一个正的或负的电压。
在可用的TTL电平兼容的输入, >400 mV的磁滞
单独的控制输入( Si8230 / 2/3 /5/ 6)或PWM输入( Si8231 / 4)
配置。高集成度,低传输延时小的安装
尺寸,灵活性和成本效益使Si823x家庭理想的
宽范围的隔离MOSFET / IGBT的栅极驱动器的应用程序。
DT
NC
VDDI
LGA- 14 (5× 5mm)的
GNDI
通过
VIB
VDDI
关闭
DT
VDDI
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
VDDA
VOA
GNDA
NC
VDDB
VOB
GNDB
Si8230
Si8233
11
10
7
8
专利正在申请中
安全认证
UL 1577认可
Up
VDE认证合格
IEC
到5000 Vrms的1分钟
CSA组件5A的通知
赞同
IEC
60747-5-2 ( VDE 0884第2部分)
EN 60950 (加强绝缘)
(申请中)
60950, 61010, 60601
(加强绝缘)
修订版0.3 4/10
版权所有 2010 Silicon Laboratories公司
Si823x
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更,恕不另行通知。
Si823x
方框图
通过
VDDA
PWM
VDDA
通过
VDDA
隔离
隔离
DT
VOA
GNDA
DT
VOA
GNDA
隔离
VOA
GNDA
VDDI
UVLO
重叠保护,
可编程死
时间,控制选通
VDDB
VDDI
UVLO
可编程死
时间,控制选通
VDDB
VDDI
UVLO
控制门控
VDDB
隔离
隔离
关闭
VIB
GNDI
VOB
GNDB
关闭
VOB
GNDB
关闭
隔离
VOB
GNDB
VIB
GNDI
GNDI
Si8230/3
Si8231/4
Si8232/5/6
2
修订版0.3
Si823x
T
ABLE
部分
OF
C
ONTENTS
页面
1.顶层框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.6
2.1 。测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.9
2.2 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
3.典型工作特性( 0.5安培) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
4.典型工作特性( 4.0安培) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
5.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
5.1 。产品。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
5.2 。设备行为。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
5.3 。电源连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
5.4 。功耗的考虑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22
5.5 。布局考虑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.6 。设备操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
5.7 。可编程死区时间和重叠保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
6.射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
6.1 。射频,电磁,和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
7.应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
7.1 。高侧/低侧驱动器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
7.2 。双驱动器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
7.3 。双驱动器,热增强型封装( Si8236 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.30
8引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
9.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
10.封装外形: 16引脚宽体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.40
11盘图形:宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
12.包装外形:窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 42
13.土地模式:窄体SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44
14.包装外形: 14 LD LGA ( 5 ×5毫米)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
15.盘图形: 14 LD LGA 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.46
16.包装外形: 14 LD LGA及导热垫( 5 ×5毫米)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.48
17盘图形: 14 LD LGA及导热垫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.51
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.52
修订版0.3
3
Si823x
1.顶级方框图
VDDI
通过
隔离
VDDA
VOA
UVLO
GNDA
DT
DT控制
&放大器;
交叠
保护
VDDI
VDDI
UVLO
VDDI
VDDB
隔离
VOB
UVLO
GNDB
关闭
VIB
GNDI
Si8230/3
图1. Si8230 / 3双输入高侧/低侧驱动器隔离
VDDI
PWM
LPWM
隔离
VDDA
VOA
UVLO
GNDA
DT
VDDI
VDDI
UVLO
DT控制
&放大器;
交叠
保护
VDDI
VDDB
隔离
VOB
UVLO
GNDB
关闭
LPWM
GNDI
Si8231/4
图2. Si8231 / 4单输入高端/低端隔离驱动器
4
修订版0.3
Si823x
VDDI
VDDA
隔离
通过
VOA
UVLO
GNDA
VDDI
VDDI
UVLO
VDDI
VDDB
隔离
关闭
VOB
UVLO
GNDB
VIB
GNDI
Si8232/5/6
图3. Si8232 / 5/6双隔离驱动器
修订版0.3
5
查看更多SI8235AB-C-IMPDF信息
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
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SILICON LABS
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