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Si9105
Vishay Siliconix公司
1 -W高压开关模式稳压器
描述
该Si9105高压开关模式调节器是单
岩屑BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要的组件实现一个高效率的DC / DC
转换器在ISDN终端可达3瓦。 A 0.5 mA(最大值)
电源电流使可能的直流/直流转换的设计
变频器与60 %的效率在25毫瓦,因此满足
根据CCITT I.430 specifi-推荐业绩
阳离子。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实施隔离反激式电源转换器拓扑结构
提供单个或多个稳压直流输出(即, ± 5 V ) 。
该Si9105可在标准和铅(Pb ) - 免费
16引脚宽体SOIC , 14引脚塑料DIP和20引脚PLCC
这是指定的包工作在工业
温度范围 - 40 ° C至85°C 。
特点
CCITT兼容
电流模式控制
低功耗(小于5毫瓦)
10至120 V输入范围
200 V, 250毫安MOSFET
内部的启动电路
电流模式控制
关机和重设
功能框图
FB
COMP
放电
OSC
IN
OSC
OUT
错误
扩音器
-
V
REF
+
4 V (1 %)
REF
2V
-
+
OSC
Clock (½ f
OSC
)
电流模式
比较
R
Q
S
+
-
1.2 V
C / L
比较
- V
IN
( BODY )
BIAS
当前
来源
To
国内
电路
V
CC
来源
V
CC
欠压比较器
Q
R
RESET
S
关闭
+V
IN
8.7 V
-
+
9.3 V
-
+
文档编号: 70003
S- 70497 -REV 。我, 19 -MAR -07
www.vishay.com
1
Si9105
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
参数
电压参考 - V
IN
(V
CC
& LT ; + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
+V
IN
V
DS
I
D
(峰)( 300微秒的脉冲, 2 %占空比)
I
D
( RMS)
逻辑输入(复位,关机, OSC IN)
线性输入(反馈, SOURCE )
HV预稳压器输入电流(连续)
储存温度
工作温度
结温(T
J
)
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
16引脚塑封宽体SOIC (W后缀)
c
20引脚PLCC (N后缀)
d
14引脚塑料DIP
16引脚塑封宽体SOIC
20引脚PLCC
极限
15
120
200
2
250
- 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
- 0.3 V至7 V
5
- 65 125
- 40-85
150
750
900
1400
167
140
90
单位
V
A
mA
V
mA
°C
mW
热阻抗( θ
JA
)
° C / W
注意事项:
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/°C, 25°C以上。
。减免7.2毫瓦/°C, 25°C以上。
。减免11.2毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
参数
电压参考 - V
IN
V
CC
+ V
IN
f
OSC
R
OSC
线性输入
数字输入
极限
10至13.5
10至120
40千赫至1 MHz
25 kΩ至1 MΩ
0到V
CC
- 3 V
0到V
CC
单位
V
V
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千欧,R
OSC
= 910 kΩ
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10 MΩ
OSC IN = - V
IN
OSC IN = - V
IN
, V
REF
= - V
IN
OSC IN = - V
IN
T = 1000小时,T
A
= 125 °C
R
OSC
= 0
参见附注e
Δf/f
= F( 13.5 Ⅴ) - F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
范围
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
长期稳定性
e
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
www.vishay.com
2
符号
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.00
300
100
0.25
5.00
3
40
10
200
4.08
45
130
1.0
25.00
V
A
毫伏/°C的
mV
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
f
最大
f
OSC
Δf/f
T
OSC
1
32
48
15
500
文档编号: 70003
S- 70497 -REV 。我, 19 -MAR -07
Si9105
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
排放量= - V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, + V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千欧,R
OSC
= 910 kΩ
FB绑COMP
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN = - V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN = - V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN = - V
IN
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
10 V
V
CC
13.5 V
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
I
IN
= 10 A
V
CC
10 V
脉冲宽度
300微秒,V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10 A
R
L
= 100
Ω
从漏极到V
CC
见详细说明
范围
参数
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
输入失调电压
e
符号
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
V
FB
I
FB
A
VOL
V
OS
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
3.96
4
25
4.04
500
± 40
V
nA
dB
mV
兆赫
60
0.5
80
± 15
0.8
1
- 1.2
- 0.32
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
输出电流
电源抑制
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
- V
UVLO
供应
电源电流
偏置电流
关机延迟
关断脉冲宽度
复位脉冲宽度
锁存脉冲宽度
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流输入电压高
输入电流输入电压低
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
流掉泄漏电流
g
0.05
0.08
70
mA
dB
V
来源
t
d
+ V
IN
+ I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
( BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.8
1.0
200
1.2
300
V
ns
V
120
10
8
7.5
7.0
0.25
15
9.3
8.7
0.5
0.35
7.5
50
50
50
25
2.0
8.0
1
- 35
200
- 25
220
5
7
10
5
100
0.5
9.7
9.2
A
mA
V
mA
A
V
来源
= - V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
见图3
ns
V
A
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
I
= 100 A
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
房间
V
Ω
A
C
DS
房间
35
pF
漏极电容
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25 ° C,完全=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
F。
杂散
引脚8 =
5 pF的。
为r的克.Temperature系数
DS ( ON)
为每摄氏度0.75 % ,典型的。
文档编号: 70003
S- 70497 -REV 。我, 19 -MAR -07
www.vishay.com
3
Si9105
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V -
来源
0
V
CC
-
0
50 %
t
d
t
r
10纳秒
V
CC
关闭
0 -
V
CC
-
0
50 %
t
SD
t
f
10纳秒
10 %
10 %
图1 。
图2中。
t
SW
V
CC
关闭
0 -
V
CC
RESET
0 -
50 %
50 %
t
RW
50 %
50 %
t
LW
50 %
t
r
, t
f
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
1M
F OUT (赫兹)
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
- 振荡电阻(Ω )
1M
图4.输出开关频率
与电阻振荡器
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4
文档编号: 70003
S- 70497 -REV 。我, 19 -MAR -07
Si9105
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PDIP-14
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
SO-16
(宽体)
3
16
15
14
13
12
11
10
9
9
顶视图
4
5
6
7
8
PLCC-20
2
1
20 19
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
18
17
16
15
14
10 11 12 13
顶视图
引脚说明
功能
来源
- V
IN
V
CC
OSC
OUT
OSC
IN
放电
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
BIAS
+ V
IN
NC
引脚数
14引脚塑料DIP
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
2
3
16引脚SOIC
1
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
16
3, 15
20引脚PLCC
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
2
3
5
1, 4, 6, 13, 15, 19
订购信息
标准
产品型号
Si9105DJ02
Si9105DW
Si9105DW-T1
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02
Si9105DN02-T1
(用胶带和卷轴)
Si9105DW-T1-E3
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02-E3
Si9105DN02-T1-E3
(用胶带和卷轴)
PLCC-20
SOIC -16 ( WB )
- 4085 ℃下
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9105DJ02-E3
温度范围
PDIP-14
文档编号: 70003
S- 70497 -REV 。我, 19 -MAR -07
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5
Si9105
Vishay Siliconix公司
1 -W高压开关模式稳压器
特点
D
CCITT兼容
D
电流模式控制
D
低功耗
(小于5毫瓦)
D
10至120 V输入范围
D
200 V, 250 mA的MOSFET
D
内部的启动电路
D
电流模式控制
D
关机和重设
描述
该Si9105的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要的组件实现一个高效率的DC / DC
转换器在ISDN终端可达3瓦。 A 0.5 - mA(最大值)
电源电流使可能的一个DC / DC变换器的设计
用60%的效率,在25毫瓦,因此满足
推荐
性能
CCITT
I.430规范。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实施隔离反激式电源转换器拓扑结构
提供单个或多个稳压直流输出(即,
"5
V).
该Si9105可在标准和铅(Pb ) - 免费
16引脚宽体SOIC , 14引脚塑料DIP和20引脚PLCC
这是指定的包工作在工业
的温度范围内
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
COMP
放电
OSC
IN
OSC
OUT
错误
扩音器
V
REF
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
V
CC
+V
IN
8.7 V
+
9.3 V
+
欠压比较器
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
Clock (½ f
OSC
)
R
Q
S
V
IN
( BODY )
V
CC
来源
S
Q
R
关闭
RESET
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9105
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰) ( 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚塑封宽体SOIC (W后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚塑封宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
长期
稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN = V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
, V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
T = 1000小时,T
A
= 125_C
房间
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.00
300
100
0.25
5.00
4.08
45
130
1.0
25.00
V
kW
mA
毫伏/°C的
mV
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
参见附注e
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
1
32
3
40
10
200
48
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
输入失调电压
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
A
VOL
V
OS
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
10 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.05
0.5
60
3.96
4
25
80
"15
0.8
1
1.2
0.08
70
0.32
"40
4.04
500
V
nA
dB
mV
兆赫
kW
mA
dB
2
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
V
来源
t
d
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.5
7.0
0.25
15
9.3
8.7
0.5
9.7
9.2
V
120
10
0.8
1.0
200
1.2
300
V
ns
V
mA
mA
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
供应
电源电流
偏置电流
关机延迟
关断脉冲宽度
复位脉冲宽度
锁存脉冲宽度
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流。输入电压低
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
ns
0.35
7.5
50
100
0.5
mA
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V(
BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
35
200
220
5
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ,冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9105
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
来源
0
V
CC
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率与振电阻
1M
F OUT (赫兹)
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
www.vishay.com
4
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PLCC-20
3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
9
10 11 12 13
顶视图
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
2
1
20 19
PDIP-14
SO-16
(宽体)
引脚说明
引脚数
功能
来源
V
IN
V
CC
OSC
OUT
OSC
IN
放电
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
BIAS
+V
IN
NC
14引脚塑料DIP
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
2
3
16引脚SOIC
1
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
16
3, 15
20引脚PLCC
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
2
3
5
1, 4, 6, 13, 15, 19
订购信息
标准
产品型号
Si9105DJ02
Si9105DW
Si9105DW-T1
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105DW-T1—E3
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02—E3
SOIC -16 ( WB )
PLCC-20
www.vishay.com
40
85
_C
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9105DJ02—E3
PDIP-14
温度
范围
5
Si9105
Vishay Siliconix公司
1 -W高压开关模式稳压器
特点
D
CCITT兼容
D
电流模式控制
D
低功耗
(小于5毫瓦)
D
10至120 V输入范围
D
200 V, 250 mA的MOSFET
D
内部的启动电路
D
电流模式控制
D
关机和重设
描述
该Si9105的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要的组件实现一个高效率的DC / DC
转换器在ISDN终端可达3瓦。 A 0.5 - mA(最大值)
电源电流使可能的一个DC / DC变换器的设计
用60%的效率,在25毫瓦,因此满足
推荐
性能
CCITT
I.430规范。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实施隔离反激式电源转换器拓扑结构
提供单个或多个稳压直流输出(即,
"5
V).
该Si9105可在标准和铅(Pb ) - 免费
16引脚宽体SOIC , 14引脚塑料DIP和20引脚PLCC
这是指定的包工作在工业
的温度范围内
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
COMP
放电
OSC
IN
OSC
OUT
错误
扩音器
V
REF
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
V
CC
+V
IN
8.7 V
+
9.3 V
+
欠压比较器
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
Clock (½ f
OSC
)
R
Q
S
V
IN
( BODY )
V
CC
来源
S
Q
R
关闭
RESET
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9105
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰) ( 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚塑封宽体SOIC (W后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚塑封宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
长期
稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN = V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
, V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
T = 1000小时,T
A
= 125_C
房间
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.00
300
100
0.25
5.00
4.08
45
130
1.0
25.00
V
kW
mA
毫伏/°C的
mV
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
参见附注e
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
1
32
3
40
10
200
48
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
输入失调电压
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
A
VOL
V
OS
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
10 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.05
0.5
60
3.96
4
25
80
"15
0.8
1
1.2
0.08
70
0.32
"40
4.04
500
V
nA
dB
mV
兆赫
kW
mA
dB
2
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
V
来源
t
d
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.5
7.0
0.25
15
9.3
8.7
0.5
9.7
9.2
V
120
10
0.8
1.0
200
1.2
300
V
ns
V
mA
mA
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
供应
电源电流
偏置电流
关机延迟
关断脉冲宽度
复位脉冲宽度
锁存脉冲宽度
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流。输入电压低
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
ns
0.35
7.5
50
100
0.5
mA
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V(
BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
35
200
220
5
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ,冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9105
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
来源
0
V
CC
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率与振电阻
1M
F OUT (赫兹)
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
www.vishay.com
4
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PLCC-20
3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
9
10 11 12 13
顶视图
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
2
1
20 19
PDIP-14
SO-16
(宽体)
引脚说明
引脚数
功能
来源
V
IN
V
CC
OSC
OUT
OSC
IN
放电
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
BIAS
+V
IN
NC
14引脚塑料DIP
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
2
3
16引脚SOIC
1
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
16
3, 15
20引脚PLCC
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
2
3
5
1, 4, 6, 13, 15, 19
订购信息
标准
产品型号
Si9105DJ02
Si9105DW
Si9105DW-T1
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105DW-T1—E3
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02—E3
SOIC -16 ( WB )
PLCC-20
www.vishay.com
40
85
_C
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9105DJ02—E3
PDIP-14
温度
范围
5
Si9105
Vishay Siliconix公司
1 -W高压开关模式稳压器
特点
D
CCITT兼容
D
电流模式控制
D
低功耗
(小于5毫瓦)
D
10至120 V输入范围
D
200 V, 250 mA的MOSFET
D
内部的启动电路
D
电流模式控制
D
关机和重设
描述
该Si9105的高电压开关模式稳压器是单片
BIC / DMOS集成电路,其中包含了大部分的
必要的组件实现一个高效率的DC / DC
转换器在ISDN终端可达3瓦。 A 0.5 - mA(最大值)
电源电流使可能的一个DC / DC变换器的设计
用60%的效率,在25毫瓦,因此满足
推荐
性能
CCITT
I.430规范。
这种装置可以与一个合适的变压器所使用
实施隔离反激式电源转换器拓扑结构
提供单个或多个稳压直流输出(即,
"5
V).
该Si9105可在标准和铅(Pb ) - 免费
16引脚宽体SOIC , 14引脚塑料DIP和20引脚PLCC
这是指定的包工作在工业
的温度范围内
40
_C
85
_C.
功能框图
FB
COMP
放电
OSC
IN
OSC
OUT
错误
扩音器
V
REF
+
4 V (1%)
REF
2V
+
+
1.2 V
BIAS
V
CC
+V
IN
8.7 V
+
9.3 V
+
欠压比较器
当前
来源
To
国内
电路
C / L
比较
电流模式
比较
OSC
Clock (½ f
OSC
)
R
Q
S
V
IN
( BODY )
V
CC
来源
S
Q
R
关闭
RESET
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
1
Si9105
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
电压参考
V
IN
(V
CC
< + V
IN
+ 0.3 V)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
+V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 V
V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 V
I
D
(峰) ( 300
ms
脉冲,2%占空比)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2将
I
D
(有效值) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 250毫安
逻辑输入( RESET ,
关机, OSC IN) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
线性输入(反馈源)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V至7 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至125℃
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
40
至85℃
结温(T
J
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免6毫瓦/ _C以上25_C
。减免7.2毫瓦/ _C以上25_C
。减免11.2毫瓦/ _C以上25_C
功率耗散(包)
a
14引脚塑料DIP (J后缀)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 750毫瓦
16引脚塑封宽体SOIC (W后缀)
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
20引脚PLCC (N后缀)
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1400毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
14引脚塑料DIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 167_C / W
16引脚塑封宽体SOIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 140_C / W
20引脚PLCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90_C / W
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电压参考
V
IN
V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至13.5 V
+V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 V至120 V
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40千赫至1 MHz
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25千瓦至1兆瓦
线性输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
3 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考
输出电压
输出阻抗
e
短路电流
温度稳定性
e
长期
稳定性
e
V
R
Z
OUT
I
SREF
T
REF
OSC IN = V
IN
( OSC已禁用)
R
L
= 10毫瓦
OSC IN =
V
IN
OSC IN =
V
IN
, V
REF
=
V
IN
OSC IN =
V
IN
T = 1000小时,T
A
= 125_C
房间
房间
房间
房间
3.92
15
70
4.00
300
100
0.25
5.00
4.08
45
130
1.0
25.00
V
kW
mA
毫伏/°C的
mV
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
振荡器
最大频率
e
初始精度
电压稳定
温度COEF网络cient
e
f
最大
f
OSC
DF /女
T
OSC
R
OSC
= 0
参见附注e
DF /女
= F ( 13.5 V)
F( 9.5 V) /女(9.5 V)的
房间
房间
房间
1
32
3
40
10
200
48
15
500
兆赫
千赫
%
PPM /°C的
误差放大器器
反馈输入电压
输入偏置电流
开环电压增益
e
输入失调电压
单位增益带宽
e
动态输出阻抗
输出电流
电源抑制
www.vishay.com
V
FB
I
FB
A
VOL
V
OS
BW
Z
OUT
I
OUT
PSRR
源(V
FB
= 3.4 V)
水槽(V
FB
= 4.5 V)
10 V
v
V
CC
v
13.5 V
OSC IN =
V
IN
FB绑COMP
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
OSC IN =
V
IN
, V
FB
= 4 V
OSC IN =
V
IN
( OSC已禁用)
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.05
0.5
60
3.96
4
25
80
"15
0.8
1
1.2
0.08
70
0.32
"40
4.04
500
V
nA
dB
mV
兆赫
kW
mA
dB
2
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流限制
阈值电压
延迟输出
e
输入电压
输入漏电流
预稳压器的启动电流
V
CC
预稳压器
关断阈值电压
欠压锁定
V
REG
V
UVLO
V
来源
t
d
+V
IN
+I
IN
I
开始
V
REG
V
UVLO
V
DELTA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
FB
= 0 V
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
V
来源
= 1.5 V,见图1
I
IN
= 10
mA
V
CC
w
10 V
脉冲宽度
v
300
女士,
V
CC
= 7 V
I
预稳压器
= 10
mA
R
L
= 100
W
从漏极到V
CC
见详细说明
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
8
7.5
7.0
0.25
15
9.3
8.7
0.5
9.7
9.2
V
120
10
0.8
1.0
200
1.2
300
V
ns
V
mA
mA
范围
温度
b
c
典型值
d
最大
c
单位
符号
排放量=
V
IN
= 0 V
V
CC
= 10 V, +V
IN
= 48 V
R
BIAS
= 820千瓦,R
OSC
= 910千瓦
供应
电源电流
偏置电流
关机延迟
关断脉冲宽度
复位脉冲宽度
锁存脉冲宽度
关机和重设低
输入低电压
输入高电压
输入电流,输入电压高
输入电流。输入电压低
I
CC
I
BIAS
t
SD
t
SW
t
RW
t
LW
V
IL
V
IH
I
IH
I
IL
V
IN
= 10 V
V
IN
= 0 V
见图3
V
来源
=
V
IN
,参见图2
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
8.0
1
25
5
50
50
25
2.0
V
mA
ns
0.35
7.5
50
100
0.5
mA
mA
MOSFET开关
击穿电压
漏源导通电阻
g
流掉泄漏电流
漏极电容
V(
BR ) DSS
r
DS ( ON)
I
DSS
C
DS
I
= 100
mA
I
= 100毫安
V
= 100 V
房间
房间
房间
35
200
220
5
7
10
V
W
mA
pF
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。房间= 25℃ ,冷热=由操作温度决定的后缀。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
C
杂散
引脚8 =
v
5 pF的
克。为r的温度系数
DS ( ON)
每0.75 %
_C,
典型的。
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
www.vishay.com
3
Si9105
Vishay Siliconix公司
时序波形
1.5 V
来源
0
V
CC
0
50%
t
d
t
r
v
10纳秒
V
CC
关闭
0
V
CC
0
50%
t
SD
t
f
v
10纳秒
10%
10%
图1 。
图2中。
V
CC
关闭
0
V
CC
RESET
0
50%
50%
t
SW
50%
t
LW
50%
t
RW
50%
t
f
, t
f
v
10纳秒
网络连接gure 3 。
典型特征
输出开关频率与振电阻
1M
F OUT (赫兹)
100 k
10 k
10 k
100 k
r
OSC
振荡器电阻( W)的
1M
图4中。
www.vishay.com
4
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105
Vishay Siliconix公司
销刀豆网络gurations
PLCC-20
3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
9
10 11 12 13
顶视图
4
5
6
7
8
18
17
16
15
14
2
1
20 19
PDIP-14
SO-16
(宽体)
引脚说明
引脚数
功能
来源
V
IN
V
CC
OSC
OUT
OSC
IN
放电
V
REF
关闭
RESET
COMP
FB
BIAS
+V
IN
NC
14引脚塑料DIP
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
2
3
16引脚SOIC
1
2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
16
3, 15
20引脚PLCC
7
8
9
10
11
12
14
16
17
18
20
2
3
5
1, 4, 6, 13, 15, 19
订购信息
标准
产品型号
Si9105DJ02
Si9105DW
Si9105DW-T1
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02
文档编号: 70003
S- 42030 -REV 。 H, 15月, 04
Si9105DW-T1—E3
(用胶带和卷轴)
Si9105DN02—E3
SOIC -16 ( WB )
PLCC-20
www.vishay.com
40
85
_C
铅(Pb ) - 免费
产品型号
Si9105DJ02—E3
PDIP-14
温度
范围
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SI9105DW-T1
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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