Si8410/20/21
S
我N G - L E
＆放大器;
ü A L
- C
H A N N 左
D
我G I TA L
I
S 0 L A T O服务R 5
特点
高速运行
DC - 150 Mbps的
2500 V
RMS
隔离
瞬态抗扰度
>25 KV / μs的
引脚分配
低传输延迟
小于10纳秒
窄体SOIC
Si841x
V
DD1
A1
V
DD1
GND1
宽工作电源电压：
2.375–5.5 V
低功耗
I1 + I2 < 12毫安/信道在
100 Mbps的
DC正确
无需开机初始化
<10 μs的启动时间
高温作业
125 ℃的速率为100 Mbps
100℃ ，在150 Mbps的
精确定时
2纳秒脉冲宽度失真
1 ns的通道间匹配
2纳秒脉冲宽度偏差
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V
DD2
GND2
B1
GND2
窄体SOIC - 8封装
Si842x
V
DD1
A1
应用
隔离开关模式电源
隔离式ADC ， DAC
电机控制
功率因数校正系统
A2
GND1
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V
DD2
B1
B2
GND2
安全管理机构认证
UL认证： 2500 Vrms的1
每UL1577分钟
CSA元件验收
通告
IEC认证合格
IEC 60747-5-2
（ VDE0884第2部分）
描述
Silicon Laboratories的系列数字隔离器是CMOS器件的
采用射频耦合器跨越隔离传输数字信息
屏障。达到在低功率电平非常高的速度运转。这些
部件采用8引脚窄体SOIC封装。三速
级选项（ 1 ，10，和150 Mbps）的可实现的典型
小于10纳秒的传播延迟。
框图
Si8410
Si8420
Si8421
A1
B1
A1
A2
B1
B2
A1
A2
B1
B2
初步修订版0.1 5/07
版权所有2007 Silicon Laboratories公司
Si8410/20/21
此信息适用于正在研发的产品。其特点和规格如有变更，恕不另行通知。
Si8410/20/21
T
A B L E
部分
OF
C
0：N T E TS
页面
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.典型性能特征。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
3.应用程序信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.1 。操作理论。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
3.2 。眼图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
4.布局建议。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.1 。电源旁路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
4.2 。输入和输出特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
4.3 。射频辐射干扰。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
4.4 。 RF抗扰性和共模瞬态抑制能力。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
5.引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
6.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
7.包装外形： 8引脚SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.26
初步修订版0.1
3
Si8410/20/21
1.电气连接特定的阳离子
表1.电气特性
(V
DD1
= 5 V, V
DD2
= 5 V ，T
A
= -40 125 ℃）
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
Si8410 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8410 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8410 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8410 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8420 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8420 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8420 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8420 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8421 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8421 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8421 -A ， -B，-C ，V
DD1
Si8421 -A ， -B，-C ，V
DD2
Si8410 -B ，-C ，V
DD1
Si8410 -B ，-C ，V
DD2
Si8420 -B ，-C ，V
DD1
Si8420 -B ，-C ，V
DD2
Si8421 -B ，-C ，V
DD1
Si8421 -B ，-C ，V
DD2
Si8410 -C ，V
DD1
Si8410 -C ，V
DD2
Si8420 -C ，V
DD1
Si8420 -C ，V
DD2
Si8421 -C ，V
DD1
Si8421 -C ，V
DD2
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
L
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
4.8
0.2
—
7
3
9
3
7
4
11
4
9
9
10
10
8
5
9
9
12
12
8
15
9
30
21
21
最大
—
0.8
—
0.4
±10
10
5
14
5
10
7
15
6
12
12
14
14
12
7
13
12
16
16
12
22
13
39
27
27
单位
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
陆= -4毫安
笑= 4毫安
V
DD1
,V
DD2
– 0.4
—
—
直流电源电流
（所有输入0 V或电源）
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
所有输入DC 0
所有输入DC 0
所有输入1 DC
所有输入1 DC
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10 Mbps的电源电流
（所有输入= 5 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
100 Mbps的电源电流
（所有输入= 50 MHz的方波， CI = 15 pF的所有输出）
4
初步修订版0.1
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