Si5904DC
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
特点
I
D
(A)
"4.2
"3.1
r
DS （ ON）
(W)
0.075 @ V
GS
= 4.5 V
0.134 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定
D
铅（Pb ） - 免费版，符合RoHS
柔顺
可用的
1206-8 ChipFETt
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
D
2
G
1
标识代码
CB XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
G
2
S
2
N沟道MOSFET
底部视图
订购信息： Si5904DC -T1
Si5904DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
零件编号代码
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
20
"12
"4.2
"3.0
"10
1.8
2.1
1.1
稳定状态
单位
V
"3.1
"2.2
0.9
1.1
0.6
55
150
260
W
_C
A
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀）作为单片化的结果
工艺制造。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧的焊料在互连
接口上。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71065
S- 50695 -REV 。 C， 18 -APR- 05
www.vishay.com
1
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
10
0.065
0.115
8
0.8
1.2
0.075
0.143
0.6
1.5
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
4
0.6
1.3
12
35
19
9
40
18
55
30
15
80
ns
6
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 5通3 V
8
I
D
漏电流（ A）
2.5 V
I
D
漏电流（ A）
8
10
T
C
=
55_C
25_C
传输特性
6
6
125_C
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71065
S- 50695 -REV 。 C， 18 -APR- 05
2
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.30
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 2.5 V
C
电容（pF）
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
4
8
12
16
20
C
OSS
C
国际空间站
电容
V
GS
= 4.5 V
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
2
3
4
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
0.15
I
D
= 3.1 A
0.10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.05
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71065
S- 50695 -REV 。 C， 18 -APR- 05
www.vishay.com
3
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
40
I
D
= 250
mA
功率（W）的
30
0.0
0.2
20
0.4
10
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
4
10
3
10
2
10
1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
温度（℃）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1000
600
10
100
2
1
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技术的可靠性和数据
封装可靠性代表的所有合格的地点的复合物。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?71065 。
www.vishay.com
文档编号： 71065
S- 50695 -REV 。 C， 18 -APR- 05
4
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
双N沟道2.5 V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
20
R
DS （ ON）
(Ω)
0.075在V
GS
= 4.5 V
0.134在V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
± 4.2
± 3.1
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET ： 2.5 V额定
符合RoHS指令2002/95 / EC
1206-8 ChipFE
T
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
D
1
D
2
标识代码
CB XX
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
S
1
S
2
N沟道MOSFET
G
1
G
2
底部视图
订货信息：
Si5904DC -T1 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
Si5904DC -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
B，C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 85 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
1.8
2.1
1.1
- 55 150
260
± 4.2
± 3.0
± 10
0.9
1.1
0.6
W
°C
5s
20
± 12
± 3.1
± 2.2
A
稳定状态
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
t
≤
5s
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
50
90
30
最大
60
110
40
° C / W
单位
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀） ，结果
在制造单片化过程。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不要求保证
充足的底侧焊接互连。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71065
S10-0548 -REV 。 D， 08 -MAR- 10
www.vishay.com
1
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
Ω
I
D
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 6
Ω
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
4
0.6
1.3
12
35
19
9
40
18
55
30
15
80
ns
6
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.1 A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
10
0.065
0.115
8
0.8
1.2
0.075
0.143
0.6
1.5
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
V
GS
= 5 V直通3 V
8
8
10
T
C
= - 55 °C
25 °C
125 °C
6
I
D
- 漏电流（ A）
6
2.5 V
4
2V
2
1.5 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
D
- 漏电流（ A）
4
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
传输特性
www.vishay.com
2
文档编号： 71065
S10-0548 -REV 。 D， 08 -MAR- 10
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.30
600
0.25
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
- 电容（pF ）
500
C
国际空间站
400
0.20
0.15
V
GS
= 2.5 V
0.10
V
GS
= 4.5 V
0.05
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.1 A
4
R
DS （ ON）
- 导通电阻
1.4
1.6
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
电容
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
（归一化）
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
0.20
导通电阻与结温
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
I
S
- 源电流（ A）
0.15
I
D
= 3.1 A
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.10
0.05
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅极至源极电压
文档编号： 71065
S10-0548 -REV 。 D， 08 -MAR- 10
www.vishay.com
3
Si5904DC
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.4
50
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
A
功率（W）的
0.0
40
30
- 0.2
20
- 0.4
10
- 0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
时间（s）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
单脉冲功率
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间（ S）
归瞬态热阻抗，结到脚
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
www.vishay.com/ppg?71065.
www.vishay.com
4
文档编号： 71065
S10-0548 -REV 。 D， 08 -MAR- 10
包装信息
Vishay Siliconix公司
1206-8 ChipFETr
4
D
8
7
6
5
5
4
E
1
E
4
1
2
3
4
3
2
1
6
7
8
L
S
e
b
c
x
后视图
2X 0.10 / 0.13
A
C1
细节X
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
所有尺寸都在millimeaters 。
模具浇口毛刺不得超过每边0.13毫米。
引线框模制体偏移是水平和垂直的，不得超过
0.08 mm.
独特的外形尺寸模具浇口毛刺。
没有允许的顶部和底部表面的铅模具闪光灯。
MILLIMETERS
暗淡
A
b
c
c1
D
E
E
1
e
L
S
民
1.00
0.25
0.1
0
2.95
1.825
1.55
0.28
英寸
民
0.039
0.010
0.004
0
0.116
0.072
0.061
0.011
喃
0.30
0.15
3.05
1.90
1.65
0.65 BSC
0.55 BSC
5_Nom
最大
1.10
0.35
0.20
0.038
3.10
1.975
1.70
0.42
喃
0.012
0.006
0.120
0.075
0.065
0.0256 BSC
0.022 BSC
5_Nom
最大
0.043
0.014
0.008
0.0015
0.122
0.078
0.067
0.017
ECN ： C- 03528 -REV 。女，19 -JAN- 04
DWG ： 5547
文档编号： 71151
15-Jan-04
www.vishay.com
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