Si8409DB
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
6.3
5.3
r
DS （ ON）
(W)
0.046 @ V
GS
=
4.5
V
0.065 @ V
GS
=
2.5
V
Q
g
（典型值）
17
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的微FOOTr芯片级封装
减少占位面积，简介（0.62毫米），
导通电阻每占位面积
D
引脚兼容Si8401DB
应用
D
负荷开关，电池开关，以及用于PA的开关
便携式设备
S
MICRO FOOT
凹凸侧视图
3
D
D
2
后视图
G
8409
xxx
器件标识： 8409
XXX =日期/批次追踪码
订购信息： Si8409DB -T1 -E1
D
P沟道MOSFET
S
4
G
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包装回流条件
b
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
30
"12
单位
V
6.3
5.1
25
2.5
2.77
1.77
55
150
215
220
4.6
3.7
A
1.3
1.47
0.94
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
72
16
最大
45
85
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
www.vishay.com
1
Si8409DB
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
5
0.038
0.052
6.4
0.8
1.1
0.046
0.065
0.6
1.4
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
17
2.2
5.7
22
20
35
140
90
85
30
55
210
135
130
ns
W
26
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 5通3 V
25
2.5 V
20
I
D
漏电流（ A）
传输特性
20
I
D
漏电流（ A）
15
2V
10
15
10
T
C
= 125_C
5
25_C
55_C
5
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
2
Si8409DB
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.16
0.14
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1200
C
国际空间站
900
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
1500
电容
600
C
OSS
C
RSS
300
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
栅极电荷
1.6
1.5
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 1 A
0.06
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
www.vishay.com
3
Si8409DB
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.5
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
20
功率（W）的
I
D
= 250
mA
60
80
单脉冲功率， Juncion到环境
40
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
I
DM
有限
* r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
Si8409DB
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
www.vishay.com
5
Si8409DB
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
6.3
5.3
r
DS （ ON）
(W)
0.046 @ V
GS
=
4.5
V
0.065 @ V
GS
=
2.5
V
Q
g
（典型值）
17
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的微FOOTr芯片级封装
减少占位面积，简介（0.62毫米），
导通电阻每占位面积
D
引脚兼容Si8401DB
应用
D
负荷开关，电池开关，以及用于PA的开关
便携式设备
S
MICRO FOOT
凹凸侧视图
3
D
D
2
后视图
G
8409
xxx
器件标识： 8409
XXX =日期/批次追踪码
订购信息： Si8409DB -T1 -E1
D
P沟道MOSFET
S
4
G
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
包装回流条件
b
VPR
IR /对流
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
30
"12
单位
V
6.3
5.1
25
2.5
2.77
1.77
55
150
215
220
4.6
3.7
A
1.3
1.47
0.94
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
35
72
16
最大
45
85
20
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。参阅IPC / JEDEC （ J-STD- 020A ） ，无需人工或手工焊接。
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
www.vishay.com
1
Si8409DB
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V
V
DS
=
30
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
v
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
5
0.038
0.052
6.4
0.8
1.1
0.046
0.065
0.6
1.4
"100
1
5
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
=
1
A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
=
10
V ，R
L
= 10
W
I
D
^
1
A，V
根
=
4.5
V ，R
g
= 6
W
F = 1MHz的
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
17
2.2
5.7
22
20
35
140
90
85
30
55
210
135
130
ns
W
26
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
25
V
GS
= 5通3 V
25
2.5 V
20
I
D
漏电流（ A）
传输特性
20
I
D
漏电流（ A）
15
2V
10
15
10
T
C
= 125_C
5
25_C
55_C
5
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
2
Si8409DB
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.16
0.14
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
电容（pF）
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1200
C
国际空间站
900
Vishay Siliconix公司
导通电阻与漏电流
1500
电容
600
C
OSS
C
RSS
300
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
5
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
栅极电荷
1.6
1.5
1.4
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1 A
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
源电流（ A）
T
J
= 150_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 1 A
0.06
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
www.vishay.com
3
Si8409DB
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.6
0.5
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
0
0.001
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
20
功率（W）的
I
D
= 250
mA
60
80
单脉冲功率， Juncion到环境
40
25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
温度（℃）
100
安全工作区
I
DM
有限
* r
DS （ ON）
有限
10
I
D
漏电流（ A）
P（吨） = 0.001
1
I
D（上）
有限
P（吨）= 0.01
P（吨） = 0.1
0.1
T
A
= 25_C
单脉冲
BV
DSS
有限
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
漏极至源极电压（ V）
*V
GS
u
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
P（吨）= 1
P（吨） = 10
dc
2
1
归瞬态热阻抗，结到环境
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 72_C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
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4
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
Si8409DB
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
Vishay Siliconix公司
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
文档编号： 73111
S- 41816 -REV 。 A， 11 - OCT- 04
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5
SPICE器件模型Si8409DB
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特征
P沟道垂直DMOS
宏模型（子电路模型）
3级MOS
同时申请线性和开关应用
在精确的
55
至125°C温度范围
模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复
特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
的p沟道垂直DMOS的特性。子电路
模型中提取并优化过
55
至125℃
脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该
饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合
阈值电压。
一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟
同时避免收敛困难的栅极电荷特性
交换的C
gd
模型。所有的模型参数值进行了优化
以提供最适合于所测量的电数据，并且不
目的是作为该装置的一个具体的物理解释。
子电路模型示意图
本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的
相同数量的保证规范限制的数据表。
文档编号： 73188
S- 52398Rev 。 B， 21 - NOV- 05
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1
SPICE器件模型Si8409DB
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
aa
符号
测试条件
模拟
数据
0.90
107
0.038
0.053
8
0.78
测
数据
单位
V
GS （ TH）
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250 A
V
DS
=
5
V, V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1
A
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
A
I
S
=
1
A，V
GS
= 0 V
V
A
0.038
0.052
6.4
0.80
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
10
V, V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1
A
9
2.2
5.7
17
2.2
5.7
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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2
文档编号： 73188
S- 52398Rev 。 B， 21 - NOV- 05
SPICE器件模型Si8409DB
Vishay Siliconix公司
与实测数据模型的比较（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
文档编号： 73188
S- 52398Rev 。 B， 21 - NOV- 05
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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