新产品
Si7121DN
Vishay Siliconix公司
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
I
D
(A)
- 16
d
-
16
d
Q
g
（典型值）。
22 NC
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.018在V
GS
= - 10 V
0.0305在V
GS
= - 4.5 V
无卤
TrenchFET
功率MOSFET
100% R
g
经过测试
100 ％ UIS测试
RoHS指令
柔顺
的PowerPAK
1212-8
应用
笔记本电脑电池充电
笔记本适配器开关
S
3.30 mm
S
1
2
3
S
S
3.30 mm
G
4
G
D
8
7
6
5
D
D
D
底部视图
D
P沟道MOSFET
订货信息：
Si7121DN -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 25
- 16
d
- 16
d
- 10.6
A，B
- 8.6
A，B
- 50
- 16
d
- 3.0
A，B
- 20
20
52
33
3.7
A，B
2.4
A，B
- 55 150
260
单位
V
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
I
D
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
最大功率耗散
P
D
W
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
E，F
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A，C
最大结到外壳
t
≤
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
26
1.9
最大
33
2.4
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为81 ° C / W 。
。包装有限。
。见焊接温度曲线
（ http://www.vishay.com/doc?73257 ） 。
采用PowerPAK 1212-8是一种无引线封装。引线端子的端部露出
铜（未镀），为在制造单片化过程的结果。焊料圆角处露铜提示不能得到保证，
并不需要保证足够的底侧的焊料互连。
F。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 69956
S- 81466 -REV 。 C， 23军， 08
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1
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Si7121DN
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 2 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 2 A，V
GS
= 0 V
- 0.75
28
20
13
15
T
C
= 25 °C
- 16
- 50
- 1.2
45
40
A
V
ns
nC
ns
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 25 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
- 10 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 7 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
分钟。
- 30
典型值。
马克斯。
单位
V
- 31
5.5
- 1.0
- 3.0
± 100
-1
-5
- 30
0.015
0.0255
23
1960
0.018
0.0305
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 10 A
F = 1 MHz的
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
- 5 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
0.3
380
325
43
22
6
11
1.3
11
13
32
9
44
2.5
22
25
50
18
70
160
50
30
65
33
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
- 5 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
100
28
15
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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Si7121DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
60
V
GS
= 10直通5
V
4
I
D
- 漏电流（ A）
5
50
I
D
- 漏电流（ A）
40
V
GS
= 4
V
30
3
2
V
GS
= 125 °C
1
20
10
V
GS
= 3
V
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 25 °C
0
0
1
2
3
V
GS
= - 55 °C
4
5
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
0.05
3000
传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.04
- 电容（pF ）
2400
C
国际空间站
1800
0.03
V
GS
= 4.5
V
0.02
V
GS
= 10
V
0.01
1200
C
OSS
600
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
导通电阻与漏电流
10
I
D
= 10 A
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
8
R
DS （ ON）
- 导通电阻
V
DS
= 10
V
6
V
DS
= 20
V
4
V
DS
= 15
V
1.4
1.6
I
D
= 10 A
电容
V
GS
= - 10
V
（归一化）
1.2
V
GS
= - 4.5
V
1.0
2
0.8
0
0
10
20
30
40
50
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
文档编号： 69956
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导通电阻与结温
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新产品
Si7121DN
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.10
I
D
= 10 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
10
I
S
- 源电流（ A）
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.08
1
0.06
0.1
0.04
T
J
= 125 °C
0.02
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
源极 - 漏极二极管正向电压
0.8
50
导通电阻与栅极至源极电压
0.6
I
D
= 5毫安
V
GS （ TH）
方差
(V)
0.4
功率（W）的
40
30
0.2
I
D
= 250
A
20
0.0
10
- 0.2
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
时间（s）
10
100
1000
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
100
有限
by
R
DS （ ON）
*
I
D
- 漏电流（ A）
10
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1s
10 s
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
DC
0.1
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区
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文档编号： 69956
S- 81466 -REV 。 C， 23军， 08
新产品
Si7121DN
Vishay Siliconix公司
MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
45
36
I
D
- 漏电流（ A）
27
18
包装有限公司
9
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
65
2.0
52
1.6
功率（W）的
26
功率（W）的
0
25
50
75
100
125
150
39
1.2
0.8
13
0.4
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
动力方面，结至外壳
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
文档编号： 69956
S- 81466 -REV 。 C， 23军， 08
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5
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