Si6968ADQ
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）电池开关
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"6.2
"5.3
D
D
TSSOP-8
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6968ADQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
"6.2
"5.3
"30
1.5
1.5
0.96
稳定状态
单位
V
"5.1
"3.4
A
1.0
1.0
0.64
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
72
100
55
最大
83
120
70
单位
° C / W
2-1
Si6968ADQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 6.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.014
0.018
0.018
0.024
25
0.89
1.2
0.022
0.030
S
V
0.6
"100
1
15
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 6.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.2 A
V
4.5 V,
62
13.5
2
3.7
18
25
50
25
40
30
50
100
50
70
ns
20
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
传输特性
18
2V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
0
6
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
Si6968ADQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.02
0.01
500
C
RSS
C
OSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.2 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.2 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.060
0.075
导通电阻与栅极至源极电压
0.045
I
D
= 6.2 A
0.030
T
J
= 25_C
0.015
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71111
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S
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Si6968ADQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
25
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
20
–0.0
功率（W）的
单脉冲功率，结到环境
15
–0.2
10
–0.4
5
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
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Si6968ADQ
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）电池开关
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"6.2
"5.3
D
D
TSSOP-8
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6968ADQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
"6.2
"5.3
"30
1.5
1.5
0.96
稳定状态
单位
V
"5.1
"3.4
A
1.0
1.0
0.64
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
72
100
55
最大
83
120
70
单位
° C / W
2-1
Si6968ADQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 6.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.014
0.018
0.018
0.024
25
0.89
1.2
0.022
0.030
S
V
0.6
"100
1
15
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 6.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.2 A
V
4.5 V,
62
13.5
2
3.7
18
25
50
25
40
30
50
100
50
70
ns
20
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
传输特性
18
2V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
0
6
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
Si6968ADQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.02
0.01
500
C
RSS
C
OSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.2 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.2 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.060
0.075
导通电阻与栅极至源极电压
0.045
I
D
= 6.2 A
0.030
T
J
= 25_C
0.015
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
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Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
25
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
20
–0.0
功率（W）的
单脉冲功率，结到环境
15
–0.2
10
–0.4
5
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
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2-4
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
Si6968ADQ
新产品
Vishay Siliconix公司
N沟道2.5 -V （G -S ）电池开关
产品概述
V
DS
(V)
20
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
"6.2
"5.3
D
D
TSSOP-8
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
D
8
D
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6968ADQ
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲（ 10
ms
脉冲宽度）
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
20
"12
"6.2
"5.3
"30
1.5
1.5
0.96
稳定状态
单位
V
"5.1
"3.4
A
1.0
1.0
0.64
-55到150
_C
W
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到脚
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
72
100
55
最大
83
120
70
单位
° C / W
2-1
Si6968ADQ
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.2 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.3 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.2 A
I
S
= 6.2 A，V
GS
= 0 V
30
0.014
0.018
0.018
0.024
25
0.89
1.2
0.022
0.030
S
V
0.6
"100
1
15
V
nA
mA
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 6.2 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 10 V ，R
L
= 10
W
V,
I
D
^
1 ，V
根
4 = 5 V R
G
= 6
W
A
4.5 V,
V
DS
= 10 V, V
GS
4 = 5 V I
D
= 6.2 A
V
4.5 V,
62
13.5
2
3.7
18
25
50
25
40
30
50
100
50
70
ns
20
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
传输特性
18
2V
12
18
12
T
C
= 125_C
6
25_C
0
6
1.5 V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-2
文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
Si6968ADQ
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.06
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
2500
Vishay Siliconix公司
电容
0.05
- 电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1500
0.04
0.03
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1000
0.02
0.01
500
C
RSS
C
OSS
0
0
6
12
18
24
30
0
0
4
8
12
16
20
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.2 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.2 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
6
9
12
15
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
3
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
T
J
= 150_C
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.060
0.075
导通电阻与栅极至源极电压
0.045
I
D
= 6.2 A
0.030
T
J
= 25_C
0.015
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71111
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Si6968ADQ
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.4
30
25
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 250
mA
20
–0.0
功率（W）的
单脉冲功率，结到环境
15
–0.2
10
–0.4
5
–0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 100 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
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文档编号： 71111
S- 99586 -REV 。 A， 20日-12月99
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