SI6928DQ
2001年10月
SI6928DQ
双30V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET是一个坚固的门版本
飞兆半导体的PowerTrench先进
流程。它已被优化的电源管理
需要宽范围的栅极驱动电压的应用
收视率（ 4.5V至20V ） 。
特点
4 A， 30 V.
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 50毫欧@ V
GS
= 4.5 V
扩展V
GSS
范围（ ± 20V ）的电池应用
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
低调TSSOP -8封装
应用
负荷开关
电机驱动
直流/直流转换
电源管理
G2
S2
S2
D2
G1
S1
S1
D1
销1
1
2
3
4
8
7
6
5
TSSOP-8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
4.0
20
1.3
1.0
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1A ）
（注1B ）
100
125
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
6928
设备
SI6928DQ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
SI6928DQ版本B （ W）
SI6928DQ
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
A
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V,V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= –20 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250
A
1
1.6
–5
20
26
20
26
830
183
78
6
10
18
5
I
F
= 1.25 A,
V
GS
= 0 V,
dI
F
/ DT = 100A / μs的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.0 A,
17
8
15
2.8
3
1.25
（注2 ）
20
1
5
100
–100
3
毫伏/°C的
A
nA
nA
V
毫伏/°C的
35
50
A
S
pF
pF
pF
12
20
32
10
60
14
30
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
A
V
m
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
GS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
I
D
= 4.0 A
I
D
= 3.4 A
V
DS
= 5 V
I
D
= 4.0 A
动态特性
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
反向恢复时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.25 A
0.73
1.2
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一）R
θJA
是安装在一个1英寸2铜焊盘上的FR-4时， 100℃ / W （稳态） 。
B ）R
θJA
125
° C / W
（稳态）装上FR- 4的最小铜焊盘的时候。
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
SI6928DQ版本B （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
R
DS （ ON）
(Ω)
0.035在V
GS
= 10 V
0.050在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
± 4.0
± 3.4
特点
无卤素选项可用
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
1
D
2
TSSOP-8
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
顶视图
S
1
订货信息：
Si6928DQ-T1
Si6928DQ -T1- GE3 （铅（ Pb），并且无卤素）
N沟道MOSFET
S
2
N沟道MOSFET
8
D
2
S
2
S
2
G
2
G
1
G
2
Si6928DQ
7
6
5
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
a
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
± 4.0
± 3.2
± 20
1.25
1.0
0.64
- 55 150
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
thJA
极限
125
单位
° C / W
注意事项：
一。表面安装在FR4板，T
≤
10 s.
通过万维网SPICE模型的信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
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1
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
动态
b
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gt
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 15 V ，R
L
= 6
Ω
I
D
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
Ω
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 4.0 A
9
17.5
4.0
2.5
12
9
25
20
25
20
20
50
40
60
ns
14
30
nC
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.4 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.25 A，V
GS
= 0 V
20
0.027
0.038
13
0.73
1.2
0.035
0.050
1.0
± 100
1
5
V
nA
A
A
Ω
S
V
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
V
GS
= 10直通5 V
4V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
12
12
8
8
T
C
= 125 °C
4
25 °C
- 55 °C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.06
1500
传输特性
0.05
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
C
国际空间站
1200
0.04
900
0.03
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0.02
0.01
0
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 4.0 A
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
4
8
12
16
20
0.4
- 50
V
GS
= 10 V
I
D
= 4.0 A
电容
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
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3
Si6928DQ
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
20
0.12
I S - 源电流（ A）
10
R
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
0.09
I
D
= 4.0 A
0.06
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.03
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
1
3
5
7
9
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.6
40
导通电阻与栅极至源极电压
0.3
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.0
功率（W）的
32
24
- 0.3
16
- 0.6
8
- 0.9
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间
(s)
1
10
30
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
单脉冲功率
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 125℃ / W
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（ S）
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
归瞬态热阻抗，结到环境
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?70663 。
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4
文档编号： 70663
S- 81056 -REV 。 D， 12 08年5月
包装信息
Vishay Siliconix公司
TSSOP ：
8引脚
JEDEC编号： MO- 153
MILLIMETERS
暗淡
A
A
1
A
2
B
C
D
E
E
1
e
L
L
1
Y
oK1
民
–
0.05
0.80
0.19
–
2.90
6.20
4.30
–
0.45
0.90
–
0_
喃
–
0.10
1.00
0.28
0.127
3.00
6.40
4.40
0.65
0.60
1.00
–
3_
最大
1.20
0.15
1.05
0.30
–
3.10
6.60
4.50
–
0.75
1.10
0.10
6_
E1
R 0.10
的角）
A
A2
D
e
E
C
A1
B
R 0.10
（ 4个角）
L
oK1
L1
0.25 （ Gage的平面）
ECN ： S- 03946 -REV 。 G， 09 -JUL- 01
DWG ： 5844
文档编号： 71201
06-Jul-01
www.vishay.com
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