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S I 5× X - VB
E
估价
B
OARD
描述
本文档介绍了硅的操作
实验室Si5xx -EVB评估板评估
无论Silicon Laboratories的Si55x压控石英振荡器和Si53x XO系统。
该Si55x和Si53x器件采用Silicon Laboratories的
先进的DSPLL
电路,用以提供一个低抖动时钟
在高频率下。该Si55x / Si53x IC为基础的设备
工厂配置为各种各样的用户
规格,包括频率,电压,
输出和控制斜率。具体的结构是
在工厂的时候编入Si55x / Si53x
出货,从而消除了很长的时间
定制振荡器有关。 Si55x / Si53x
样品应在同一时间作为订购
Si5xx -EVB ,因为EVB不来的
装置。这允许最终用户最大的灵活性。
Silicon Laboratories的可焊下来的样品时,
订购的EVB ;请在订货时注明。
Si53
X
XO
S
特点
S I5 5
X
V ×○
S
评估Silicon Laboratories的Si55x的/ 53X系列
交流耦合差分输出时钟
电压控制(V
C
)输入端口( Si55x器件)
跳线选择为多频输出
跳线选择为输出使能
功能框图
CON组fi guration
跳线
电源输入
V
C
输入
RC滤波器
(无- POP)
Si5xx
设备
CLK +
产量
BIAS
DC
CLK “
牧师0.14 2/06
版权所有 2006年由Silicon Laboratories公司
Si5xx-EVB
Si5xx-EVB
1.功能描述
该Si5xx -EVB可以访问所有信号
配置和操作该设备。此板允许
的Si55x VCXO器件的评估通过其自身
(开环),或在一个原型的PLL (闭环) 。该
的Si53x XO装置的性能,也可
评价该板上( Vc的端口不被用于XO
设备)。
1.2 。对于压控石英振荡器电压控制
电压控制(V
C
)的Si55x器件的输入
通过SMA接口( J3)方便地访问,但
也可以驱动(与观察到的)通过100 MIL-
中心职位( JP4 ) 。对于原型的目的,二
0603焊盘所在的设备V附近
C
输入
( R3和C3)。传统的PLL可以利用这些作为
单时间常数的低通滤波器( RC滤波器) 。在EVB
附带一0
Ω
电阻焊接在R3 ; C3是左
开。的电压控制输入端上不使用的XO
设备。
表1.跳线控制
部件类型
Si530
Si532
Si534
Si550
Si552
Si554
JP1
不适用
不适用
不适用
不适用
JP2
不适用
不适用
不适用
不适用
JP3
OE
OE
OE
OE
频率SEL
OE
JP4
不适用
频率SEL
不适用
V
C
V
C
V
C
1.3 。输出时钟
因为Si55x / Si53x设备可以支持一个
LVPECL缓冲器类型(除了LVDS和CMOS )
下拉电阻(R1和R2 )可用于适当的
输出偏置。对于LVPECL缓冲器,偏置可
通过各种等效电路的实现;该
Si5xx -EVB允许130
Ω
下拉电阻。后
输出偏置,高速输出直流
阻塞用于连接不同的输入偏置等
作为标准的测试设备或一个相位检测器EVB 。
请查阅“ 1.4 。准备EVB “非LVPECL
设备。
频率SEL1 SEL2频率
频率SEL1 SEL2频率
注意事项:
1.
安装跳线(多个) ,信号(多个)被驱动为低电平。
2.
用跳线(S )没有安装,信号(S )被拉高。
1.1 。电源
从Si55x / Si53x器件支持的操作
1.8 , 2.5额定电压和3.3 V.审查
器件的数据手册和零件号为允许
输出缓冲区类型和设备的电源配置
供应量。
1.4 。准备EVB
默认情况下,该评估板设置为接受
LVPECL配置的设备。该配置使用
130
Ω
下拉电阻偏置LVPECL输出
阶段。如果一个LVDS或CMOS等基于CML的设备是
被安装时,输出偏置电阻R1和R2 ,
应被删除。
2
转。 0.14
VDD
C4
DNS
C5
DNS
C6
DNS
J4
VDD
2.原理图
POS1
POS2
MKDSN 2,5 / 3-5,08
VDD
1
2
EVB电源输入
主输出;路线为差分对
U1
VDD
OE
C1
R3
2
OE
6
SMA
J1
J3
SMA
1
VC
CLKOUT-
R1
F1
DNS
DNS
R2
0.1uF
C2
0
C3
DNS
CLKOUT +
4
0.1uF
5
SMA
J2
7
F1
DNC
高阶极
9
Si550
F2
F2
3
转。 0.14
JP4
Silicon Labs的VCXO
备用Vc的输入
发生在线路与J3
JP3
JP1
OE
F1
GND
VC输入
8
JP2
F2
OUTPUT ENABLE
频率选择
Si5xx-EVB
图1. Si5xx -EVB示意图
3
Si5xx-EVB
材料(三)票据
1
2
3
4
5
6
7
8
9
QUANTITY
2
2
1
1
4
3
1
1
2
参考
C1,C2
C5
C4
C6
JP1,JP2,JP3,JP4
J1,J2,J3
J4
R3
R1,R2
描述
CAP,SM,0.1UF,16V,20%,X7R,0402
CAP,SM,0.1UF,16V,20%,X7R,0603
CAP,SM,10UF,10V,10%,TANTALUM,3216
CAP,SM,100PF,50V,10%,C0G,0603
CONN,HEADER,2X1
CONN , SMA侧装
CONN ,电源,2个位置
RES , SM , 0欧姆, 0603
RES,SM,150,1%,0603
制造商#
生产厂家
C0402X7R160-104KNE
Venkel
C0603X7R160-104KNE
Venkel
TA010TCM106KAR
Venkel
C0603C0G500-101KNE
Venkel
TSW - 150-07 -T - D或TSW - 150-07 -T -S SAMTEC
901-10003
安费诺
1729018
菲尼克斯电气
CR0603-16W-000T
Venkel
CR0603-16W-1500FT
Venkel
空载
11
10
1 C3
1 U1
CAP,SM,0.1UF,16V,20%,X7R,0603
Si5XX
C0603X7R160-104KNE
Si5XX
Venkel
Silicon Laboratories公司
4
转。 0.14
Si5xx-EVB
4.布局
图2.装配图
图3.第1层主
图4. 2层二次
转。 0.14
5
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    -
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