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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第206页 > SGH10N60RUFD
SGH10N60RUFD
IGBT
SGH10N60RUFD
短路额定IGBT
概述
飞兆半导体的RUFD系列绝缘栅双极型的
晶体管（IGBT ）提供低传导和开关
损耗以及短路坚固性。该RUFD
系列是专为应用，如电机控制，
不间断电源（UPS ）和通用变频器
其中，短路耐用是必需的功能。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 10A
高输入阻抗
CO- PAK ， IGBT与FRD ：吨
rr
= 42ns （典型值）。
应用
交流&直流电机的控制，一般用途的逆变器，机器人和伺服控制。
C
G
TO-3P
克碳ê
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
SGH10N60RUFD
600
±
20
16
10
30
12
92
10
75
30
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
us
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
1.6
2.5
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
SGH10N60RUFD牧师A1
SGH10N60RUFD
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 10毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 16A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
660
115
25
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
内置发射器电感
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
15
30
36
158
141
215
356
16
33
42
242
161
452
613
--
30
5
8
14
--
--
50
200
--
--
500
--
--
60
350
--
--
860
--
45
10
16
--
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
us
nC
nC
nC
nH
V
CC
= 300 V，I
C
= 10A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 10A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载，T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 10A,
V
GE
= 15V
测量5毫米从PKG
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 12A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 12A,
的di / dt = 200A / us的
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.4
1.3
42
60
3.5
5.6
80
220
马克斯。
1.7
--
60
--
6.0
--
180
--
单位
V
ns
A
nC
2002仙童半导体公司
SGH10N60RUFD牧师A1
SGH10N60RUFD
40
35
共发射极
T
C
= 25℃
30
20V
15V
25
12V
集电极电流，I
C
[A]
30
25
20
15
10
V
GE
= 10V
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
20
15
10
5
5
0
0
2
4
6
8
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
4.0
16
共发射极
V
GE
= 15V
14
20A
12
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
3.5
3.0
负载电流[ A]
10
8
6
4
2.5
10A
2.0
I
C
= 5A
1.5
2
1.0
-50
0
50
100
150
0
占空比： 50 ％
T
C
= 100℃
功耗= 18W
0.1
1
10
100
1000
外壳温度，T
C
[
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
16
12
12
8
8
4
I
C
= 5A
0
0
4
8
20A
10A
20A
4
I
C
= 5A
0
10A
12
16
20
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
SGH10N60RUFD牧师A1
SGH10N60RUFD
1400
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
100
1200
吨
电容[ pF的]
开关时间[ NS ]
1000
资本投资者入境计划
800
Tr
600
400
卓越中心
200
CRES
0
1
10
10
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1000
花花公子
花花公子
Tf
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 10A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
EOFF
宙
EOFF
Tf
开关损耗[ UJ ]
100
100
10
100
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
吨
开关时间[ NS ]
100
开关时间[ NS ]
花花公子
Tf
花花公子
Tf
100
Tr
10
6
8
10
12
14
16
18
20
6
8
10
12
14
16
18
20
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2002仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
SGH10N60RUFD牧师A1
SGH10N60RUFD
15
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 20
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
门 - 发射极电压，V
GE
[ V ]
共发射极
R
L
= 30
T
C
= 25℃
V
CC
= 100 V
300 V
200 V
12
开关损耗[ UJ ]
9
EOFF
6
100
宙
3
0
5
10
15
20
0
10
20
30
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
50us
I
C
MAX 。 （连续）
50
集电极电流，I
C
[A]
10
100us
1
集电极电流，I
C
[A]
10
直流操作
1
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
0.1
1
10
100
1000
1
1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
= 100℃
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
10
热响应， Zthjc [
℃
/W]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
PDM
t1
t2
0.01
单脉冲
10
-5
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGH10N60RUFD牧师A1
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SP804TCP
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SN74AS757NSRG4
S204R
S75WS256NEFBAWNK0
SZ3C200
STB6100T
SM6804
SMBJ26A
SKD116/16-L75
S72NS256PE0AJGLG2
SHD114613
SN74LS382ADW
SFR9210F
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    SGH10N60RUFD
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    -
    -
    -
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32883
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联系人：李小姐
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22+
12245
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联系人：销售部
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2024
20918
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作
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2024
19600
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