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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第153页 > SI5504DC
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
补充30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.085 @ V
GS
= 10 V
0.143 @ V
GS
= 4.5 V
0.165 @ V
GS
= -10 V
I
D
(A)
"3.9
"3.0
"2.8
"2.1
D
1
S
2
P沟道
-30
0.290 @ V
GS
= -4.5 V
1206-8 ChipFET
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
2
G
1
标识代码
EA XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
零件编号代码
订货信息：
Si5504DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P沟道
5秒
稳定状态
-30
"20
V
"2.8
"2.0
"10
-1.8
2.1
1.1
-55到150
260
"2.1
"1.5
-0.9
1.1
0.6
W
_C
_
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
30
单位
"3.9
"2.8
1.8
2.1
1.1
"2.9
"2.1
0.9
1.1
0.6
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET /的PowerPAK是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀），为的结果
拆分处理而制得。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
I
D（上）
V
DS
p
-5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -10 V，I
D
= -2.1 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.6 A
正向跨导
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.9 A
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= -2.1 A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -0.9 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-10
0.072
0.137
0.120
0.240
6
3
0.8
-0.8
1.2
-1.2
V
S
0.085
0.165
0.143
0.290
W
A
1.0
V
-1.0
"100
"100
1
-1
5
-5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= -15 V, V
GS
= -10 V，I
D
= -2.1 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
t
rr
I
F
= -0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
5
5.5
0.8
nC
1.2
1.0
0.9
7
8
12
11
12
14
7
8
40
40
11
12
18
18
18
21
11
12
80
80
ns
7.5
6.6
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%,
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2-2
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通5 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
8
10
N沟道
传输特性
6
4V
6
4
4
T
C
= -125_C
2
25_C
-55
_C
2
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
400
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
C
国际空间站
- 电容（pF ）
0.15
V
GS
= 4.5 V
0.10
300
V
GS
= 10 V
200
0.05
100
C
OSS
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 2.9 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.9 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.15
I
D
= 2.9 A
0.10
T
J
= 150_C
0.05
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
-0.0
功率（W）的
30
-0.2
20
-0.4
10
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
2-4
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
N沟道
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
I D - 漏电流（ A）
6V
10
P- CHANNEL
传输特性
T
C
= -55_C
5V
I D - 漏电流（ A）
8
25_C
6
125_C
4
6
4
4V
2
3V
0
0.0
2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
V
GS
= 4.5 V
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.3
400
电容
320
C
国际空间站
240
0.2
V
GS
= 10 V
160
C
OSS
80
C
RSS
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
www.vishay.com
2-5
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
补充30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.085 @ V
GS
= 10 V
0.143 @ V
GS
= 4.5 V
0.165 @ V
GS
= -10 V
I
D
(A)
"3.9
"3.0
"2.8
"2.1
D
1
S
2
P沟道
-30
0.290 @ V
GS
= -4.5 V
1206-8 ChipFET
1
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
S
2
G
2
G
2
G
1
标识代码
EA XX
很多可追溯性
和日期代码
S
1
N沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
底部视图
零件编号代码
订货信息：
Si5504DC-T1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
N沟道
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
温度）
B，C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
P沟道
5秒
稳定状态
-30
"20
V
"2.8
"2.0
"10
-1.8
2.1
1.1
-55到150
260
"2.1
"1.5
-0.9
1.1
0.6
W
_C
_
A
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
30
单位
"3.9
"2.8
1.8
2.1
1.1
"2.9
"2.1
0.9
1.1
0.6
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
50
90
30
最大
60
110
40
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。见可靠性手册资料。该ChipFET /的PowerPAK是无铅封装。引线端子的端部露出的铜（未镀），为的结果
拆分处理而制得。的焊料圆角在暴露的铜尖不能得到保证，并且不需要以确保足够的底侧上的焊料
互联。
。返工条件：手工焊接用烙铁不推荐用于无铅元件。
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-1
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
通态漏电流
a
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
I
D（上）
V
DS
p
-5 V, V
GS
= -10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -10 V，I
D
= -2.1 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.6 A
正向跨导
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.9 A
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= -2.1 A
I
S
= 0.9 A，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -0.9 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
10
-10
0.072
0.137
0.120
0.240
6
3
0.8
-0.8
1.2
-1.2
V
S
0.085
0.165
0.143
0.290
W
A
1.0
V
-1.0
"100
"100
1
-1
5
-5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 2.9 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= -15 V, V
GS
= -10 V，I
D
= -2.1 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= -15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
t
rr
I
F
= -0.9 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
5
5.5
0.8
nC
1.2
1.0
0.9
7
8
12
11
12
14
7
8
40
40
11
12
18
18
18
21
11
12
80
80
ns
7.5
6.6
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%,
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2-2
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10直通5 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
8
10
N沟道
传输特性
6
4V
6
4
4
T
C
= -125_C
2
25_C
-55
_C
2
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.20
400
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
C
国际空间站
- 电容（pF ）
0.15
V
GS
= 4.5 V
0.10
300
V
GS
= 10 V
200
0.05
100
C
OSS
0.00
0
2
4
6
8
10
0
0
C
RSS
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
1.8
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
V
DS
= 15 V
I
D
= 2.9 A
1.6
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.9 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
www.vishay.com
2-3
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
0.20
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.15
I
D
= 2.9 A
0.10
T
J
= 150_C
0.05
T
J
= 25_C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
40
50
单脉冲功率
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
-0.0
功率（W）的
30
-0.2
20
-0.4
10
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
时间（秒）
1
10
100
600
T
J
- 温度（℃ ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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2-4
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
Si5504DC
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
N沟道
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
I D - 漏电流（ A）
6V
10
P- CHANNEL
传输特性
T
C
= -55_C
5V
I D - 漏电流（ A）
8
25_C
6
125_C
4
6
4
4V
2
3V
0
0.0
2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.4
V
GS
= 4.5 V
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
0.3
400
电容
320
C
国际空间站
240
0.2
V
GS
= 10 V
160
C
OSS
80
C
RSS
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
文档编号： 71056
S- 21251 -REV 。 B， 05 - 8 - 02
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
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