Si4947DY
双P通道30 - V（D -S ）额定的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–30
30
r
DS （ ON）
(W)
0.085 @ V
GS
= –10 V
0.19 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.5
"2.5
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–30
"20
"3.5
"2.8
"20
–1.7
2.0
1.3
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70156 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70554 ） 。
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
1
Si4947DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 1.8 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.5 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–15
0.066
0.125
5.0
–0.8
–1.2
0.085
0.19
1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –2.5 A
8.7
1.9
1.3
7
9
14
8
50
15
18
27
15
80
ns
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
12
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
8
4V
4
3V
0
0
2
4
6
8
8
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.40
700
600
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
- 电容（pF ）
500
400
300
电容
C
国际空间站
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.16
V
GS
= 10 V
C
OSS
200
100
C
RSS
0.08
0
0
3
6
9
12
15
I
D
- 漏极电流（ A）
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
栅极电荷
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
3
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–50
阈值电压
单脉冲功率
30
25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
–25
0
25
50
75
100
125
150
20
15
10
5
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
Si4947DY
双P通道30 - V（D -S ）额定的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–30
30
r
DS （ ON）
(W)
0.085 @ V
GS
= –10 V
0.19 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.5
"2.5
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–30
"20
"3.5
"2.8
"20
–1.7
2.0
1.3
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70156 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70554 ） 。
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
1
Si4947DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 1.8 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.5 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–15
0.066
0.125
5.0
–0.8
–1.2
0.085
0.19
1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –2.5 A
8.7
1.9
1.3
7
9
14
8
50
15
18
27
15
80
ns
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
12
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
8
4V
4
3V
0
0
2
4
6
8
8
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.40
700
600
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
- 电容（pF ）
500
400
300
电容
C
国际空间站
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.16
V
GS
= 10 V
C
OSS
200
100
C
RSS
0.08
0
0
3
6
9
12
15
I
D
- 漏极电流（ A）
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
栅极电荷
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
3
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–50
阈值电压
单脉冲功率
30
25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
–25
0
25
50
75
100
125
150
20
15
10
5
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
Si4947DY
双P通道30 - V（D -S ）额定的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
–30
30
r
DS （ ON）
(W)
0.085 @ V
GS
= –10 V
0.19 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"3.5
"2.5
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
D
1
P沟道MOSFET
D
2
P沟道MOSFET
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
绝对最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
150 C)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
极限
–30
"20
"3.5
"2.8
"20
–1.7
2.0
1.3
-55到150
单位
V
A
W
_C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70156 。
Spice模型数据表可说明此产品（ FaxBack文档＃ 70554 ） 。
符号
R
thJA
极限
62.5
单位
° C / W
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
1
Si4947DY
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
b
漏极 - 源极导通状态
漏源导通电阻
b
正向跨导
b
二极管的正向电压
b
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 1.8 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –2.5 A
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
–15
0.066
0.125
5.0
–0.8
–1.2
0.085
0.19
1.0
"100
–1
–25
V
nA
mA
A
W
S
V
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
a
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= -10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –10 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –2.5 A
8.7
1.9
1.3
7
9
14
8
50
15
18
27
15
80
ns
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
2
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6 V
16
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
5V
12
16
20
T
C
= –55_C
25_C
125_C
12
传输特性
8
4V
4
3V
0
0
2
4
6
8
8
4
0
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.40
700
600
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.32
- 电容（pF ）
500
400
300
电容
C
国际空间站
0.24
V
GS
= 4.5 V
0.16
V
GS
= 10 V
C
OSS
200
100
C
RSS
0.08
0
0
3
6
9
12
15
I
D
- 漏极电流（ A）
0
0
6
12
18
24
30
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
栅极电荷
2.0
1.8
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.5 A
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
Siliconix公司
S- 49520 -REV 。 C， 18日-12月96
3
Si4947DY
典型特性（ 25 ° C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.5
导通电阻与栅极至源极电压
I
S
- 源电流（ A）
10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.4
0.3
I
D
= 2.5 A
0.2
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
0.8
0.6
V
GS （ TH）
方差（ V）
0.4
0.2
0.0
–0.2
–0.4
–50
阈值电压
单脉冲功率
30
25
I
D
= 250
mA
功率（W）的
–25
0
25
50
75
100
125
150
20
15
10
5
0
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
1
10
30
方波脉冲持续时间（秒）
4
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