Si4850EY
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.031 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
8.5
7.2
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4850EY
Si4850EY -E3 （无铅）
Si4850EY -T1 （带编带和卷轴）
Si4850EY -T1 -E3 （无铅带卷带式）
S
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
60
"20
8.5
7.1
40
15
11
3.3
2.3
稳定状态
单位
V
6.0
5.0
A
mJ
1.7
1.2
W
_C
55
175
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
36
75
17
最大
45
90
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.0 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
40
0.018
0.031
0.039
0.025
25
0.8
1.2
0.022
0.037
0.047
0.031
S
V
W
60
1
"100
1
20
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
V
GS
= 0.1 V，F = 5兆赫
0.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
18
3.4
5.3
1.4
10
10
25
12
50
2.4
20
20
50
24
80
ns
W
27
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通5 V
40
传输特性
32
I
D
漏电流（ A）
32
I
D
漏电流（ A）
24
4V
16
24
16
T
C
= 150_C
8
25_C
55_C
3
4
5
8
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.06
0.05
C
电容（pF）
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
0.02
0.01
0.00
0
8
16
24
32
40
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
10
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
国际空间站
C
OSS
20
30
40
50
60
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 6.0 A
栅极电荷
2.2
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.06
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 175_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
T
J
= 25_C
0.04
I
D
= 6.0 A
0.03
0.02
0.01
0.00
1
0.00
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
I
D
= 250
mA
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
50
单脉冲功率
40
0.0
30
0.4
20
0.8
10
1.2
50
0
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
温度（℃）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
N沟道降低Q
g
，快速开关MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
r
DS （ ON）
(W)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.031 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
8.5
7.2
D
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订购信息： Si4850EY
Si4850EY -E3 （无铅）
Si4850EY -T1 （带编带和卷轴）
Si4850EY -T1 -E3 （无铅带卷带式）
S
N沟道MOSFET
8
7
6
5
D
D
D
D
G
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
a
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
10秒]
60
"20
8.5
7.1
40
15
11
3.3
2.3
稳定状态
单位
V
6.0
5.0
A
mJ
1.7
1.2
W
_C
55
175
热电阻额定值
参数
最大结到环境
a
结到环境
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
www.vishay.com
t
v
10秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
36
75
17
最大
45
90
20
单位
° C / W
C / W
1
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.1 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.0 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
40
0.018
0.031
0.039
0.025
25
0.8
1.2
0.022
0.037
0.047
0.031
S
V
W
60
1
"100
1
20
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 30 V ，R
L
= 30
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
g
= 6
W
V
GS
= 0.1 V，F = 5兆赫
0.5
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.0 A
18
3.4
5.3
1.4
10
10
25
12
50
2.4
20
20
50
24
80
ns
W
27
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
40
V
GS
= 10直通5 V
40
传输特性
32
I
D
漏电流（ A）
32
I
D
漏电流（ A）
24
4V
16
24
16
T
C
= 150_C
8
25_C
55_C
3
4
5
8
3V
0
0.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
www.vishay.com
2
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
0.06
0.05
C
电容（pF）
0.04
V
GS
= 4.5 V
0.03
0.02
0.01
0.00
0
8
16
24
32
40
V
GS
= 10 V
导通电阻与漏电流
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
10
电容
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
C
国际空间站
C
OSS
20
30
40
50
60
I
D
漏电流（ A）
V
DS
漏极至源极电压（ V）
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 30 V
I
D
= 6.0 A
栅极电荷
2.2
2.0
r
DS （ ON）
上Resiistance
（归一化）
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
总栅极电荷（ NC）
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
0.06
0.05
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 175_C
10
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（ A）
T
J
= 25_C
0.04
I
D
= 6.0 A
0.03
0.02
0.01
0.00
1
0.00
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
SD
源极到漏极电压（V ）
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
0
2
4
6
8
10
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
3
Si4850EY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.8
I
D
= 250
mA
0.4
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
50
单脉冲功率
40
0.0
30
0.4
20
0.8
10
1.2
50
0
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
温度（℃）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
1
方波脉冲持续时间（秒）
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 75 ° C / W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
t
1
t
2
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
4
10
3
10
2
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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4
文档编号： 71146
S- 40572 -REV 。 D， 29 -MAR -04
QQ：2881677436 复制
