SC420
电源管理
电源管理
描述
该SC420是一种符合成本效益的双MOSFET驱动器,在 -
法人化升特公司专利的组合式感
TM
技
术,专为开关高低压侧功率
在降压MOSFET的开关稳压器。一个20ns的最大值
传播延迟从输入过渡到栅极
功率FET的保障工作在高开关
频率。内部的重叠保护电路可防止
直通从VIN至GND在主要和同步的
理性的MOSFET。
高电流驱动能力( 2A峰值),可以快速
切换,从而减少了开关损耗高(可达
为1.5MHz )的频率,而不会造成热应力
该驱动程序。
高速,组合式感
TM
,同步
对于移动应用的功率MOSFET驱动器
目标
特点
u
u
u
u
u
u
u
u
u
高效率
关断模式,以节省电力增加
三态功能
快速的上升和下降时间( 15ns的典型有3000pF的
负载)
5V栅极驱动
超低( <20ns )传播延迟( BG变低)
自适应和可编程的非重叠栅极
驱动器提供直通保护
浮顶驱切换至27V
高频率( 1.5 MHz)的操作允许使用
小型电感器和低成本的陶瓷电容器
欠压锁定
低静态电流
MLP封装提供卓越的热perfor-
曼斯在占用空间小
u
u
的高电压CMOS工艺允许操作达
u
27伏特,使得SC420适于适配器pow-
ERED应用。欠电压锁定和过温
perature关机功能包括用于正确,
安全操作。该SC420提供节省空间
MLP -12封装。
应用
概念应用电路
VIN2
u
高效率的便携式计算机和笔记本电脑
u
电池供电应用
VIN
D1
M1
VIN
VIN2
VIN
TG
PWM
CO
BST
FB
组合式感
TM
控制器IC
SC420
EN
DRN
BG
CDELAY
VPN
CBST
L1
VOUT
EN
GND
CS- CS +
M2
RVPN
CVPN
CDELAY
CL
图1
冯4. 2003年12月
1
美国专利号6441597
www.semtech.com
SC420
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格,可能会导致该设备,或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分,是不是暗示。
参数
VIN2电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
符号
VIN2
条件
民
最大
30
40
VIN + 2
单位
V
V
V
V
t
脉冲
<100ns
STATIC
-5
-2
-2
- 0.3
34
30
BST + 0.3
VIN + 0.3
30
7
TG
BG
VPN与PGND
VIN至PGND
EN ,CO , CDELAY
连续功率耗散
P
D
TAMB = 25
o
C,T
J
= 125
o
C
TCASE = 25
o
C,T
J
= 125
o
C
热阻结到外壳
热阻结到
环境(1)
工作结温
范围
Storange温度范围
峰值IR回流焊接( 10-40秒)
θ
JC
θ
JA
T
J
T
英镑
T
IRreflow
VPN
VIN
V
V
V
V
V
W
- 0.3
VIN + 0.3
0.66
2.56
3
48
o
C / W
C / W
o
o
- 40
- 65
125
150
240
C
C
C
o
o
注意:
( 1 )当根据生产准则使用性能,是指应用信息部分获取更多信息
( 2 )规范是指应用电路如图1
电气特性
除另有规定:T已
A
= 25°C ; V
IN
= 5V ; 0V < V
DRN
& LT ; 25V
参数
电源
电源电压
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V在
V IN2
4.75
5
6
27
V
V
mA
mA
静态电流,工作
(静态)
静态电流,三态
静态电流,关断
( 1 )保证设计
2003升特公司
IQ
op
IQ
ts
IQ
sd
CO = 0V , EN >
2.2V
CO浮动
CO = 0V , EN = 0V
2
2.3
2.3
0.2
20
A
美国专利号6441597
www.semtech.com
SC420
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
设备
(1)
SC420IMLTR
包
MLP-12
温度范围(T
J
)
-40 °至125°C
保护地
12
北卡罗来纳州
DRN
11
10
注意:
( 1 )只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
9
8
7
TG
BST
CO
1
2
3
BG
VIN
CDELAY
(
2 )此设备ESD敏感。采用标准的ESD
操作注意事项是必需的。
4
5
6
(MLP-12)
引脚说明
针
#
1
2
3
4
5
6
针
名字
TG
BST
CO
VIN2
EN
VPN
引脚功能
输出栅极驱动器的开关(高侧)的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚之间发展的浮动自举
电压的高侧MOSFET 。电容值通常是0.1pF和1pF (陶瓷)之间。
逻辑电平的PWM输入信号,由外部控制器提供的SC420 。
输入功率( VBAT)在DC / DC转换器。作为国内组合式检测电源参考
TM
电路。连接尽可能靠近地漏的TOP开关MOSFET 。
活跃的高逻辑电平输入信号。逻辑高电平使TG和BG切换。低级别会禁用
输出并降低智商静态电流
SD
虚拟相节点。连接一个RC这个引脚和输出检测点启用Combi-之间
SENSE
TM
操作。
7
连接在此引脚与GND之间的电容设置额外的传输延迟BG
CDELAY会低到TG变高。总传播延迟为20ns = + 1ns的/ PF 。如果没有电容器连接,所述
propragation延迟= 20ns的。
VIN
BG
保护地
北卡罗来纳州
DRN
输入电源的底部驱动器和逻辑。一
1F-10F
陶瓷电容必须连接
此引脚与PGND ,放置小于0.5"从SC420 。
输出驱动器的同步(底部)的MOSFET 。
地面上。保持此引脚接近同步MOSFET源。
无连接
此脚连接至开关和同步MOSFET的连接点。该引脚可承受
为-2V最小相对PGND不影响操作。
5
美国专利号6441597
www.semtech.com
VIN2
VPN
EN
8
9
10
11
12
2003升特公司