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SC420
电源管理
电源管理
描述
该SC420是一种符合成本效益的双MOSFET驱动器,在 -
法人化升特公司专利的组合式感
TM
术,专为开关高低压侧功率
在降压MOSFET的开关稳压器。一个20ns的最大值
传播延迟从输入过渡到栅极
功率FET的保障工作在高开关
频率。内部的重叠保护电路可防止
直通从VIN至GND在主要和同步的
理性的MOSFET。
高电流驱动能力( 2A峰值),可以快速
切换,从而减少了开关损耗高(可达
为1.5MHz )的频率,而不会造成热应力
该驱动程序。
高速,组合式感
TM
,同步
对于移动应用的功率MOSFET驱动器
目标
特点
u
u
u
u
u
u
u
u
u
高效率
关断模式,以节省电力增加
三态功能
快速的上升和下降时间( 15ns的典型有3000pF的
负载)
5V栅极驱动
超低( <20ns )传播延迟( BG变低)
自适应和可编程的非重叠栅极
驱动器提供直通保护
浮顶驱切换至27V
高频率( 1.5 MHz)的操作允许使用
小型电感器和低成本的陶瓷电容器
欠压锁定
低静态电流
MLP封装提供卓越的热perfor-
曼斯在占用空间小
u
u
的高电压CMOS工艺允许操作达
u
27伏特,使得SC420适于适配器pow-
ERED应用。欠电压锁定和过温
perature关机功能包括用于正确,
安全操作。该SC420提供节省空间
MLP -12封装。
应用
概念应用电路
VIN2
u
高效率的便携式计算机和笔记本电脑
u
电池供电应用
VIN
D1
M1
VIN
VIN2
VIN
TG
PWM
CO
BST
FB
组合式感
TM
控制器IC
SC420
EN
DRN
BG
CDELAY
VPN
CBST
L1
VOUT
EN
GND
CS- CS +
M2
RVPN
CVPN
CDELAY
CL
图1
冯4. 2003年12月
1
美国专利号6441597
www.semtech.com
SC420
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格,可能会导致该设备,或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分,是不是暗示。
参数
VIN2电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
符号
VIN2
条件
最大
30
40
VIN + 2
单位
V
V
V
V
t
脉冲
<100ns
STATIC
-5
-2
-2
- 0.3
34
30
BST + 0.3
VIN + 0.3
30
7
TG
BG
VPN与PGND
VIN至PGND
EN ,CO , CDELAY
连续功率耗散
P
D
TAMB = 25
o
C,T
J
= 125
o
C
TCASE = 25
o
C,T
J
= 125
o
C
热阻结到外壳
热阻结到
环境(1)
工作结温
范围
Storange温度范围
峰值IR回流焊接( 10-40秒)
θ
JC
θ
JA
T
J
T
英镑
T
IRreflow
VPN
VIN
V
V
V
V
V
W
- 0.3
VIN + 0.3
0.66
2.56
3
48
o
C / W
C / W
o
o
- 40
- 65
125
150
240
C
C
C
o
o
注意:
( 1 )当根据生产准则使用性能,是指应用信息部分获取更多信息
( 2 )规范是指应用电路如图1
电气特性
除另有规定:T已
A
= 25°C ; V
IN
= 5V ; 0V < V
DRN
& LT ; 25V
参数
电源
电源电压
符号
条件
典型值
最大
单位
V在
V IN2
4.75
5
6
27
V
V
mA
mA
静态电流,工作
(静态)
静态电流,三态
静态电流,关断
( 1 )保证设计
2003升特公司
IQ
op
IQ
ts
IQ
sd
CO = 0V , EN >
2.2V
CO浮动
CO = 0V , EN = 0V
2
2.3
2.3
0.2
20
A
美国专利号6441597
www.semtech.com
SC420
电源管理
电气特性(续)
除另有规定:T已
A
= 25°C ; V
IN
= 5V ; 0V < V
DRN
& LT ; 25V
参数
欠压锁定
启动阈值(斜坡上)
迟滞
欠压锁定
延时
VIN斜坡向上
(1)
VIN斜坡下降
EN
高电平输入电压
低电平输入电压
CO
高电平输入电压
低电平输入电压
三态水平
热关断
超温跳闸点
(1)
(1)
符号
条件
典型值
最大
单位
VIN
VHYS
4.1
100
4.3
200
4.55
350
V
mV
tPDH时间
UVLO
tPD的
LUVLO
2
2
s
s
V
IH
V
IL
2.0
0.8
V
V
2.0
0.8
CO浮动
1.0
1.9
V
V
V
T
OTP
T
HYST
165
10
o
C
C
迟滞
(1)
高侧驱动器( TG )
峰值输出电流
输出电阻
(1)
o
I
PKH
R
SRC_TG
R
SINK_TG
I=
100mA
V
BST
-V
DRN
= 5V
V
BST
-V
DRN
= 5V
CL = 3nF的,V
BST
- V
DRN
= 5V
1.3
3.4
A
1.1
15
15
24
24
ns
ns
上升时间
(1)
下降时间
(1)
tr
TG
tf
TG
( 1 )保证设计
2003升特公司
3
美国专利号6441597
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SC420
电源管理
电气特性(续)
除另有规定:T已
A
= 25°C ; V
IN
= 5V ; 0V < V
DRN
& LT ; 25V
参数
传播延迟, TG展望
(1)
传播延迟, TG展望
(1)
低侧驱动器( BG )
峰值输出电流
输出电阻
(1)
符号
tpdhTG
tpdlTG
条件
CTG = 3nF的, BG = 0V
CTG = 3nF的, DRN = 0V
20
15
典型值
最大
单位
ns
ns
I
PKL
R
SRC_BG
I = 100毫安
R
SINK_BG
2.0
3.4
A
0.9
C
BG
= 3nF的
C
BG
= 3nF的
C
BG
= 3nF的, DRN = 0V
C
BG
= 3nF的
15
10
12
15
24
17
ns
ns
ns
ns
上升时间
(1)
下降时间
(1)
传播延迟, BG去
(1)
传播延迟, BG去
(1)
拍摄得来速保护( CDELAY )
拍摄得来速保护延时
时间
(1)
编程的延迟
CDELAY充电电流
虚拟相节点( VPN )
输出电阻
tr
BG
tf
BG
tPDH时间
BG
保持tPDL
BG
TSPD
C
CDELAY
开放
20
1
ns
NS / PF
A
I
CDELAY
500
R
SRC_VPN
R
SINK_VPN
65
90
600
泄漏
I
LEAK_VPN
nA
( 1 )保证设计
2003升特公司
4
美国专利号6441597
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SC420
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
设备
(1)
SC420IMLTR
MLP-12
温度范围(T
J
)
-40 °至125°C
保护地
12
北卡罗来纳州
DRN
11
10
注意:
( 1 )只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
9
8
7
TG
BST
CO
1
2
3
BG
VIN
CDELAY
(
2 )此设备ESD敏感。采用标准的ESD
操作注意事项是必需的。
4
5
6
(MLP-12)
引脚说明
#
1
2
3
4
5
6
名字
TG
BST
CO
VIN2
EN
VPN
引脚功能
输出栅极驱动器的开关(高侧)的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚之间发展的浮动自举
电压的高侧MOSFET 。电容值通常是0.1pF和1pF (陶瓷)之间。
逻辑电平的PWM输入信号,由外部控制器提供的SC420 。
输入功率( VBAT)在DC / DC转换器。作为国内组合式检测电源参考
TM
电路。连接尽可能靠近地漏的TOP开关MOSFET 。
活跃的高逻辑电平输入信号。逻辑高电平使TG和BG切换。低级别会禁用
输出并降低智商静态电流
SD
虚拟相节点。连接一个RC这个引脚和输出检测点启用Combi-之间
SENSE
TM
操作。
7
连接在此引脚与GND之间的电容设置额外的传输延迟BG
CDELAY会低到TG变高。总传播延迟为20ns = + 1ns的/ PF 。如果没有电容器连接,所述
propragation延迟= 20ns的。
VIN
BG
保护地
北卡罗来纳州
DRN
输入电源的底部驱动器和逻辑。一
1F-10F
陶瓷电容必须连接
此引脚与PGND ,放置小于0.5"从SC420 。
输出驱动器的同步(底部)的MOSFET 。
地面上。保持此引脚接近同步MOSFET源。
无连接
此脚连接至开关和同步MOSFET的连接点。该引脚可承受
为-2V最小相对PGND不影响操作。
5
美国专利号6441597
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VIN2
VPN
EN
8
9
10
11
12
2003升特公司
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联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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