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Si4837DY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
特点
I
D
(A)
8.3
6.8
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
–30
r
DS （ ON）
(W)
0.020 @ V
GS
= –10 V
0.030 @ V
GS
= –4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
LITTLE FOOT
Plust
肖特基
应用
D
电池充电
D
DC / DC转换器
- 异步降压
- 电压型逆变器
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.53 V @ 3一
I
F
(A)
3
S
K
SO-8
K
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
A
D
D
D
G
D
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
_
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
A，B
（肖特基）
A，B
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
10秒
–30
30
"20
–8.3
–6.6
–40
–2.3
3
20
2.5
1.6
1.5
0.98
稳定状态
单位
V
–6.1
–4.9
A
–1.25
1.38
0.88
1.0
0.64
-55到150
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
1
Si4837DY
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（T
v
10秒）
a
新产品
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
符号
典型
37
65
最大
50
81
90
125
25
62.5
单位
R
thJA
70
100
20
最大结到环境（ T =稳态）
a
肖特基
MOSFET
R
thJF
° C / W
_
最大结到脚（漏极）
肖特基
50
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 75_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –8.3 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.8 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –8.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
–20
0.0165
0.0245
22
–0.75
–1.1
0.020
0.030
W
S
V
–1.0
"100
–1
–10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –15 V, V
GS
= -5 V，I
D
= –8.3 A
22
9
6.6
1.9
17
15
56
21
45
26
23
85
32
70
ns
W
33
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 15 V
民
典型值
0.485
0.42
0.008
0.4
6.5
102
最大
0.53
0.47
0.1
5
20
单位
V
最大反向漏电流
I
rm
C
T
mA
结电容
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
Si4837DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
40
50
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
30
4V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
–55_C
0
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
3500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
C
国际空间站
0.04
- 电容（pF ）
2800
0.03
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2100
0.02
1400
C
OSS
700
C
RSS
0.01
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 8.3 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.3 A
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
8
16
24
32
40
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
3
Si4837DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.070
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I S - 源电流（ A）
0.056
T
J
= 150_C
10
0.042
0.028
I
D
= 8.3 A
T
J
= 25_C
0.014
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.8
200
单脉冲功率，结到环境
0.6
V GS （ TH）方差（V ）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
160
0.4
120
0.2
80
0.0
40
–0.2
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
4
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
Si4837DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
100
10
I
R
=反向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
1
5
肖特基
正向电压降
T
J
= 150_C
1
0.1
30 V
20 V
0.01
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
500
电容
C
T
- 结电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
6
12
18
24
30
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
5
Si4837DY
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
特点
I
D
(A)
8.3
6.8
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
–30
r
DS （ ON）
(W)
0.020 @ V
GS
= –10 V
0.030 @ V
GS
= –4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
LITTLE FOOT
Plust
肖特基
应用
D
电池充电
D
DC / DC转换器
- 异步降压
- 电压型逆变器
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(V)
二极管的正向电压
0.53 V @ 3一
I
F
(A)
3
S
K
SO-8
K
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
A
D
D
D
G
D
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET ）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
A，B
_
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
A，B
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
A，B
（肖特基）
A，B
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
10秒
–30
30
"20
–8.3
–6.6
–40
–2.3
3
20
2.5
1.6
1.5
0.98
稳定状态
单位
V
–6.1
–4.9
A
–1.25
1.38
0.88
1.0
0.64
-55到150
_C
W
最大功率耗散
工作结存储温度范围
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
www.vishay.com
1
Si4837DY
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结到环境（T
v
10秒）
a
新产品
设备
MOSFET
肖特基
MOSFET
符号
典型
37
65
最大
50
81
90
125
25
62.5
单位
R
thJA
70
100
20
最大结到环境（ T =稳态）
a
肖特基
MOSFET
R
thJF
° C / W
_
最大结到脚（漏极）
肖特基
50
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
10秒。
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 75_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –8.3 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –6.8 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –8.3 A
I
S
= -2.3 A，V
GS
= 0 V
–20
0.0165
0.0245
22
–0.75
–1.1
0.020
0.030
W
S
V
–1.0
"100
–1
–10
V
nA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -2.3 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= –15 V, V
GS
= -5 V，I
D
= –8.3 A
22
9
6.6
1.9
17
15
56
21
45
26
23
85
32
70
ns
W
33
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 3 A
I
F
= 3 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 15 V
民
典型值
0.485
0.42
0.008
0.4
6.5
102
最大
0.53
0.47
0.1
5
20
单位
V
最大反向漏电流
I
rm
C
T
mA
结电容
pF
www.vishay.com
2
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
Si4837DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
50
V
GS
= 10直通5 V
40
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
40
50
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
30
4V
30
20
20
T
C
= 125_C
10
25_C
–55_C
0
10
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.05
3500
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
C
国际空间站
0.04
- 电容（pF ）
2800
0.03
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2100
0.02
1400
C
OSS
700
C
RSS
0.01
0.00
0
10
20
30
40
50
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 8.3 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.8
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 8.3 A
1.6
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0
8
16
24
32
40
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71662
S- 04246 -REV 。 A， 16 -JUL- 01
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3
Si4837DY
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.070
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
50
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I S - 源电流（ A）
0.056
T
J
= 150_C
10
0.042
0.028
I
D
= 8.3 A
T
J
= 25_C
0.014
1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.000
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.8
200
单脉冲功率，结到环境
0.6
V GS （ TH）方差（V ）
I
D
= 250
mA
功率（W）的
160
0.4
120
0.2
80
0.0
40
–0.2
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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4
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Si4837DY
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
100
10
I
R
=反向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
1
5
肖特基
正向电压降
T
J
= 150_C
1
0.1
30 V
20 V
0.01
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
500
电容
C
T
- 结电容（pF ）
400
300
200
100
0
0
6
12
18
24
30
V
KA
- 反向电压（V
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