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SPN03N60S5
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
2
1
VPS05163
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
600
1.4
0.7
SOT-223
4
V
A
3
TYPE
SPN03N60S5
包
SOT-223
订购代码
Q67040-S4203
记号
03N60S5
最大额定值
参数
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
T
A
= 25 °C
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
A
= 25°C
符号
I
D
价值
0.7
0.4
单位
A
I
PULS
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
3
±20
±30
1.8
-55... +150
W
°C
V
工作和存储温度
2.2版
第1页
2005-02-21
SPN03N60S5
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 3.2 A,
T
j
= 125 °C
符号
dv / dt的
价值
20
单位
V / ns的
热特性
参数
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
值
典型值。
马克斯。
单位
热阻，结 - 焊接点
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
-
-
-
25
110
-
-
62
70
K / W
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
Tj=25°C
除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=135Α,
V
GS
=V
DS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C,
T
j
=150°C
值
典型值。
-
700
4.5
0.5
-
-
1.26
3.4
马克斯。
-
-
5.5
600
-
3.5
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=3.2A
A
1
50
100
1.4
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=2A,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
2.2版
第2页
2005-02-21
SPN03N60S5
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
0.73
440
230
12
35
20
120
30
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.4A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=0.7 A,
R
G
=20
ns
-
-
-
-
3
7.5
12.8
8
-
-
-
-
nC
V
（高原）
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A
V
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
2.2版
第3页
2005-02-21
SPN03N60S5
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
I
SM
符号
I
S
条件
分钟。
T
A
=25°C
值
典型值。
-
-
0.85
200
0.9
马克斯。
0.7
3
1.05
-
-
-
-
单位
A
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=
I
S
V
R
=350V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
V
ns
C
2.2版
第4页
2005-02-21
SPN03N60S5
1功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
1.9
SPN03N60S5
2安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A
=25°C
10
1
W
1.6
1.4
A
10
0
P
合计
1
0.8
0.6
I
D
10
-1
1.2
10
-2
0.4
0.2
0
0
10
-3 0
10
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
10
2
T
A
10
V
V
DS
3
3瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
2
4典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 10 s,
V
GS
8.5
K / W
10
1
A
7
6
Z
thJC
9V
10
0
I
D
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
5
4
3
2
10
-1
10
-2
7V
1
10
-3 -7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
10
10
10
10
10
10
10
s
10
1
0
0
4
8
12
16
20
V
26
t
p
V
DS
第5页
2.2版
2005-02-21
SPN03N60S5
酷MOS 功率晶体管
特征
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
2
1
VPS05163
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
600
1.4
0.7
SOT-223
4
V
A
3
TYPE
SPN03N60S5
包
SOT-223
订购代码
Q67040-S4203
记号
03N60S5
最大额定值
参数
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
脉冲漏极电流，
t
p
受
T
JMAX
T
A
= 25 °C
门源电压
栅极 - 源极电压AC （F >1Hz ）
功耗，
T
A
= 25°C
符号
I
D
价值
0.7
0.4
单位
A
I
PULS
V
GS
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
3
±20
±30
1.8
-55... +150
W
°C
V
工作和存储温度
2.1版
第1页
2004-03-30
SPN03N60S5
最大额定值
参数
漏源电压斜率
V
DS
= 480 V,
I
D
= 3.2 A,
T
j
= 125 °C
符号
dv / dt的
价值
20
单位
V / ns的
热特性
参数
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
值
典型值。
马克斯。
单位
热阻，结 - 焊接点
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
-
-
-
25
110
-
-
62
70
K / W
焊接温度，
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
Tj=25°C
除非另有说明
参数
符号
条件
分钟。
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,
I
D
=0.25mA
漏源雪崩
击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
DSS
I
D
=135Α,
V
GS
=V
DS
V
DS
=600V,
V
GS
=0V,
T
j
=25°C,
T
j
=150°C
值
典型值。
-
700
4.5
0.5
-
-
1.26
3.4
马克斯。
-
-
5.5
600
-
3.5
-
-
-
-
-
单位
V
V
（ BR ） DS
V
GS
=0V,
I
D
=3.2A
A
1
50
100
1.4
-
nA
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
V
GS
=20V,
V
DS
=0V
V
GS
=10V,
I
D
=2A,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
2.1版
第2页
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SPN03N60S5
电气特性
在
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
特征
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A,
V
GS
= 0至10V
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A
符号
条件
分钟。
值
典型值。
0.73
440
230
12
35
20
120
30
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.4A
V
GS
=0V,
V
DS
=25V,
f
=1MHz
-
-
-
-
-
-
-
-
S
pF
V
DD
=350V,
V
GS
=0/10V,
I
D
=0.7 A,
R
G
=20
ns
-
-
-
-
3
7.5
12.8
8
-
-
-
-
nC
V
（高原）
V
DD
=350V,
I
D
=0.7 A
V
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
2.1版
第3页
2004-03-30
SPN03N60S5
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流，
脉冲
I
SM
符号
I
S
条件
分钟。
T
A
=25°C
值
典型值。
-
-
0.85
200
0.9
马克斯。
0.7
3
1.05
-
-
-
-
单位
A
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V,
I
F
=
I
S
V
R
=350V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
V
ns
C
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SPN03N60S5
1功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
1.9
SPN03N60S5
2安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A
=25°C
10
1
W
1.6
1.4
A
10
0
P
合计
1
0.8
0.6
I
D
10
-1
1.2
10
-2
0.4
0.2
0
0
10
-3 0
10
TP = 0.001毫秒
TP = 0.01毫秒
TP = 0.1毫秒
TP = 1毫秒
TP = 10毫秒
DC
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
10
2
T
A
10
V
V
DS
3
3瞬态热阻抗
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
2
4典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数：
t
p
= 10 s,
V
GS
8.5
K / W
10
1
A
7
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Z
thJC
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0
I
D
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
单脉冲
5
4
3
2
10
-1
10
-2
7V
1
10
-3 -7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
10
10
10
10
10
10
10
s
10
1
0
0
4
8
12
16
20
V
26
t
p
V
DS
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2.1版
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S29GL032A90BFIR30
SMCJLCE80A
S9-A13ATDG-FREQ
SI3440DV-T1-E3
ST72311J2B6S
SP3220ET
S29AL008D70MAIR11
SI4837DY
SST29LE010-150-3C-EH
S29PL256N70FAI003
SDT004
SMB6.8
SSY39L200704EE1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SPN03N60S5
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SPN03N60S5
Infineon Technologies
2422+
6640
SOT-223-4
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
地址：江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
SPN03N60S5
Infineon Technologies
24+
5000
TO-261-4, TO-261AA
原装正品现货
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
SPN03N60S5
INFINEON
24+
658
SOT223
100%原装正品，只做原装正品
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
SPN03N60S5
INF
22+
9600
SOT-22
全新原装现货热卖可长期供货
深圳市银芯龙科技有限公司
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电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
SPN03N60S5
INFINEON
20+
30000
SOT223
全新原装现货假一赔十
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
SPN03N60S5
Infineon Technologies
24+
10000
PG-SOT223-4
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
SPN03N60S5
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
NA
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
SPN03N60S5
INFINEON/英飞凌
24+
9634
SOT-223
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华胜英科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ：1402770874 复制

电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
SPN03N60S5
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