Si4728CY
Vishay Siliconix公司
N沟道MOSFET的同步与断裂前先
特点
D
D
D
D
4.5- 30 V工作
驱动阻抗- 3
W
欠压锁定
快速的切换时间（ 30ns的典型值）。
D
D
D
D
30 -V的MOSFET
高压侧： 0.018
W
@ V
DD
= 4.5 V
低端： 0.0105
W
@ V
DD
= 4.5 V
开关频率： 250 kHz至1 MHz的
描述
该Si4728CY n沟道MOSFET同步使用
突破前先（ BBM ）是一种高速驱动器设计
工作在高频率DC-DC开关模式电源。
它的目的是为了简化使用n沟道MOSFET中
高频降压稳压器。此设备是设计成为
与任何单个输出的PWM集成电路或ASIC ，以产生用于
高效率低成本的同步整流转换器。一
同步使能引脚（禁用=低，使=高）
控制所述同步功能，用于轻负荷的情况。
该Si4728CY封装在日前，Vishay Siliconix的高
性能几乎没有FOOTR SO- 16封装。
功能框图
4.5 V至30 V
5V
V
DD
Si4728
C
BOOT
D
1
Q
1
MOSFET
驱动电路
同
打破先接后
使
S
1
D
2
C
BOOT
V
OUT
+
SYNC EN
直流 - 直流
调节器
IN
GND
Q
2
S
2
GND
GND
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
www.vishay.com
1
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
逻辑电源
逻辑输入
漏源电压
自举电压
同步引脚电压
最大功率
耗散
a
司机
工作结存储温度范围
MOSFET的
T
j
, T
英镑
符号
V
DD
V
IN
V
DS
V
BOOT
V
SYNC
P
D
稳定状态
7
- 0.7 V
DD
+ 0.3
- 1.0 30
7
- 0.7 V
DD
+0.3
4
- 65 125
- 65 150
单位
V
W
_C
_
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板，全铜两面。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
漏极电压
逻辑电源
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
自举电容
环境温度
符号
V
D1
V
DD
V
IH
V
IL
C
BOOT
T
A
稳定状态
4.5 30
4.5 5.5
0.7
V
DD
到V
DD
V
DD
单位
V
- 0.3 0.3
100 N至1
m
- 40-85
F
_C
热电阻额定值
参数
海赛德结到环境
a
低边结到环境
a
海赛德结到脚（漏极）
b
低边结到脚（漏极）
b
稳定状态
符号
R
thJA1
R
thJA2
R
thJF1
R
thJF2
典型
85
68
24
16
最大
105
85
30
20
单位
° C / W
_
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。结到脚的热阻抗表示所有的载热在平行导线的有效的热阻抗和旨在用于结合
的印刷电路板焊盘到环境R中的热阻抗（
thJA
= R
thJF
+ R
thPCB -A
） 。它也可以被用来估计芯片温度如果功耗和
的载热（漏极）引线的引线的温度是已知的。
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2
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
电源
逻辑电压
LOGIC CURRENT
V
DD
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
V
DD
= 4.5 V, V
IN
= 4.5 V
V
DD
= 4.5 V, V
IN
= 0 V
4.5
280
220
5.5
500
500
V
mA
m
范围
民
典型值
最大
单位
符号
T
J
= 25_C
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 5.5 V ， 4.5 V < V
D1
< 30 V
逻辑输入
高
逻辑输入电压（V
IN
)
低
V
IH
V
IL
3.15
V
DD
= 4.5 V
- 0.3
2.3
2.25
0.8
V
保护
突破前先参考
欠压锁定
欠压闭锁滞后
V
BBM
V
UVLO
V
H
V
DD
= 5.5 V
SYNC = 4.5 V
3.75
2.4
4
0.4
4.25
V
MOSFET驱动器
驱动器阻抗
R
DR1
R
DR2
DRIVER 1
V
DD
= 4.5 V
司机2
3.6
2
W
MOSFET的
漏源电压
漏源导通电阻
a
二极管的正向电压
a
V
DS
r
DS(on)1
r
DS(on)2
V
SD1
V
SD2
I
D
= 250
mA
V
DD
= 4.5 V，I
D
= 10 A
T
J
= 25_C
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
30
13
8
0.7
0.7
18
10.5
1.1
1.1
V
V
mW
W
动态
b
（除非指定-F
s
= 250 kHz时，直流= 10％ 。 V
DD
= 5 V ， I = 10 A，请参阅切换测试设置）
上升时间
t
rdr1
t
rdr2
t
fdr1
t
fdr2
t
d(off)1
t
d(off)2
Dt
1-2
Dt
2-1
t
r
t
f
t
fr2
10% - 90%
90% - 10%
I
F
2.7 A， di / dt的= 100 A / MS
见时序图
DRIVER 1
10% - 90%
司机2
DRIVER 1
90% - 10%
司机2
V
IN
至G
1
V
IN
至G
2
G
1
至G
2
G
2
至G
1
S
1
/D
2
S
1
/D
2
31
23
9
15
50
27
19
38
29
10
50
60
40
20
40
100
60
40
80
60
20
80
ns
下降时间
关断延时
Dt
D
上升时间
下降时间
源漏反向恢复
时间-Q
2
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士;
占空比
v
2%.
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
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3
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
详细的框图。
V
DD
C
BOOT
V
DC
V
OUTH
电平转换
V
S
欠压
封锁
V
DD
IN
SYNC EN
V
OUTL
S
1
D
2
Q
1
Q
2
+
-
GND
V
BBM
图1 。
引脚配置
SO-16
D
1
D
1
GND
IN
SYNC EN
S
2
S
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
订单号：
Si4728CY
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
S
1
C
BOOT
V
DD
D
2
D
2
D
2
D
2
真值表
SYNC EN
H
H
L
L
V
IN
H
L
H
L
Q
1
ON
关闭
ON
关闭
Q
2
关闭
ON
关闭
关闭
引脚说明
引脚数
1, 2
3
4
5
6, 7, 8
9, 10, 11, 12
13
14
15, 16
www.vishay.com
符号
D
1
GND
IN
SYNC EN
S
2
D
2
V
DD
C
BOOT
S
1
地
描述
高边MOSFET的漏极
输入逻辑信号
同步启用
低边MOSFET源极
低边MOSFET的漏极
逻辑电源
自举电容上MOSFET
高边MOSFET源极
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
4
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
时序图
V
IN
V
IN
G
1
G
2
G
2
G
1
t
D（关闭）
产量
(S
1
/D
2
，不按比例）
dt1- 2
t
D（关闭）
dt2-1
产量
(S
1
/D
2
，不按比例）
图2中。
Dt
1-2
网络连接gure 3 。
Dt
2-1
开合试验设置
20 V
C
V
DD
5V
D
1
C
G
1
C
BOOT
MOSFET
驱动电路
同
打破先接后
使
S
1
G
2
D
2
S
1
/D
2
C
L
S
2
GND
+
R
L
L
C
BOOT
SYNC EN
IN
信号输入
GND
GND
图4中。
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
www.vishay.com
5
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
N沟道MOSFET的同步与断裂前先
特点
D
D
D
D
4.5- 30 V工作
驱动阻抗- 3
W
欠压锁定
快速的切换时间（ 30ns的典型值）。
D
D
D
D
30 -V的MOSFET
高压侧： 0.018
W
@ V
DD
= 4.5 V
低端： 0.0105
W
@ V
DD
= 4.5 V
开关频率： 250 kHz至1 MHz的
描述
该Si4728CY n沟道MOSFET同步使用
突破前先（ BBM ）是一种高速驱动器设计
工作在高频率DC-DC开关模式电源。
它的目的是为了简化使用n沟道MOSFET中
高频降压稳压器。此设备是设计成为
与任何单个输出的PWM集成电路或ASIC ，以产生用于
高效率低成本的同步整流转换器。一
同步使能引脚（禁用=低，使=高）
控制所述同步功能，用于轻负荷的情况。
该Si4728CY封装在日前，Vishay Siliconix的高
性能几乎没有FOOTR SO- 16封装。
功能框图
4.5 V至30 V
5V
V
DD
Si4728
C
BOOT
D
1
Q
1
MOSFET
驱动电路
同
打破先接后
使
S
1
D
2
C
BOOT
V
OUT
+
SYNC EN
直流 - 直流
调节器
IN
GND
Q
2
S
2
GND
GND
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
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1
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
逻辑电源
逻辑输入
漏源电压
自举电压
同步引脚电压
最大功率
耗散
a
司机
工作结存储温度范围
MOSFET的
T
j
, T
英镑
符号
V
DD
V
IN
V
DS
V
BOOT
V
SYNC
P
D
稳定状态
7
- 0.7 V
DD
+ 0.3
- 1.0 30
7
- 0.7 V
DD
+0.3
4
- 65 125
- 65 150
单位
V
W
_C
_
笔记
一。表面装在1 “×1 ” FR4板，全铜两面。
B 。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士，
占空比
v2%.
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
漏极电压
逻辑电源
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
自举电容
环境温度
符号
V
D1
V
DD
V
IH
V
IL
C
BOOT
T
A
稳定状态
4.5 30
4.5 5.5
0.7
V
DD
到V
DD
V
DD
单位
V
- 0.3 0.3
100 N至1
m
- 40-85
F
_C
热电阻额定值
参数
海赛德结到环境
a
低边结到环境
a
海赛德结到脚（漏极）
b
低边结到脚（漏极）
b
稳定状态
符号
R
thJA1
R
thJA2
R
thJF1
R
thJF2
典型
85
68
24
16
最大
105
85
30
20
单位
° C / W
_
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
B 。结到脚的热阻抗表示所有的载热在平行导线的有效的热阻抗和旨在用于结合
的印刷电路板焊盘到环境R中的热阻抗（
thJA
= R
thJF
+ R
thPCB -A
） 。它也可以被用来估计芯片温度如果功耗和
的载热（漏极）引线的引线的温度是已知的。
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2
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
电源
逻辑电压
LOGIC CURRENT
V
DD
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
V
DD
= 4.5 V, V
IN
= 4.5 V
V
DD
= 4.5 V, V
IN
= 0 V
4.5
280
220
5.5
500
500
V
mA
m
范围
民
典型值
最大
单位
符号
T
J
= 25_C
4.5 V＆ LT ; V
DD
< 5.5 V ， 4.5 V < V
D1
< 30 V
逻辑输入
高
逻辑输入电压（V
IN
)
低
V
IH
V
IL
3.15
V
DD
= 4.5 V
- 0.3
2.3
2.25
0.8
V
保护
突破前先参考
欠压锁定
欠压闭锁滞后
V
BBM
V
UVLO
V
H
V
DD
= 5.5 V
SYNC = 4.5 V
3.75
2.4
4
0.4
4.25
V
MOSFET驱动器
驱动器阻抗
R
DR1
R
DR2
DRIVER 1
V
DD
= 4.5 V
司机2
3.6
2
W
MOSFET的
漏源电压
漏源导通电阻
a
二极管的正向电压
a
V
DS
r
DS(on)1
r
DS(on)2
V
SD1
V
SD2
I
D
= 250
mA
V
DD
= 4.5 V，I
D
= 10 A
T
J
= 25_C
I
S
= 2 A，V
GS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
30
13
8
0.7
0.7
18
10.5
1.1
1.1
V
V
mW
W
动态
b
（除非指定-F
s
= 250 kHz时，直流= 10％ 。 V
DD
= 5 V ， I = 10 A，请参阅切换测试设置）
上升时间
t
rdr1
t
rdr2
t
fdr1
t
fdr2
t
d(off)1
t
d(off)2
Dt
1-2
Dt
2-1
t
r
t
f
t
fr2
10% - 90%
90% - 10%
I
F
2.7 A， di / dt的= 100 A / MS
见时序图
DRIVER 1
10% - 90%
司机2
DRIVER 1
90% - 10%
司机2
V
IN
至G
1
V
IN
至G
2
G
1
至G
2
G
2
至G
1
S
1
/D
2
S
1
/D
2
31
23
9
15
50
27
19
38
29
10
50
60
40
20
40
100
60
40
80
60
20
80
ns
下降时间
关断延时
Dt
D
上升时间
下降时间
源漏反向恢复
时间-Q
2
笔记
一。脉冲测试：脉冲宽度
v300
女士;
占空比
v
2%.
B 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
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3
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
详细的框图。
V
DD
C
BOOT
V
DC
V
OUTH
电平转换
V
S
欠压
封锁
V
DD
IN
SYNC EN
V
OUTL
S
1
D
2
Q
1
Q
2
+
-
GND
V
BBM
图1 。
引脚配置
SO-16
D
1
D
1
GND
IN
SYNC EN
S
2
S
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
订单号：
Si4728CY
16
15
14
13
12
11
10
9
S
1
S
1
C
BOOT
V
DD
D
2
D
2
D
2
D
2
真值表
SYNC EN
H
H
L
L
V
IN
H
L
H
L
Q
1
ON
关闭
ON
关闭
Q
2
关闭
ON
关闭
关闭
引脚说明
引脚数
1, 2
3
4
5
6, 7, 8
9, 10, 11, 12
13
14
15, 16
www.vishay.com
符号
D
1
GND
IN
SYNC EN
S
2
D
2
V
DD
C
BOOT
S
1
地
描述
高边MOSFET的漏极
输入逻辑信号
同步启用
低边MOSFET源极
低边MOSFET的漏极
逻辑电源
自举电容上MOSFET
高边MOSFET源极
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
4
Si4728CY
Vishay Siliconix公司
时序图
V
IN
V
IN
G
1
G
2
G
2
G
1
t
D（关闭）
产量
(S
1
/D
2
，不按比例）
dt1- 2
t
D（关闭）
dt2-1
产量
(S
1
/D
2
，不按比例）
图2中。
Dt
1-2
网络连接gure 3 。
Dt
2-1
开合试验设置
20 V
C
V
DD
5V
D
1
C
G
1
C
BOOT
MOSFET
驱动电路
同
打破先接后
使
S
1
G
2
D
2
S
1
/D
2
C
L
S
2
GND
+
R
L
L
C
BOOT
SYNC EN
IN
信号输入
GND
GND
图4中。
文档编号： 71286
S- 03075 -REV 。 C， 03 -FEB -03
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
