STL15N3LLH5
N沟道30 V ， 0.0045
15 A ， PowerFLAT （ 3.3× 3.3 ）
,
的STripFET V功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STL15N3LLH5
V
DSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0054
I
D
15A
(1)
1.该值根据Rthj -的pcb额定
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
极低的开关栅极电荷
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
PowerFLAT(3.3x3.3)
（芯片级封装）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了5
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
最低可用
DS （ ON）
*Q
g
在这种芯片规模
包，使该器件适合于大多数
苛刻的DC-DC转换器的应用，其中
高功率密度来实现。
表1中。
设备简介
订货编号
记号
15N3LLH5
包
PowerFLAT （ 3.3× 3.3 ）
包装
磁带和卷轴
STL15N3LLH5
2008年8月
REV 1
1/10
www.st.com
10
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STL15N3LLH5
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/10
STL15N3LLH5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT(3)
P
TOT(1)
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
30
± 22
15
9.3
60
50
2
0.4
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
W / ℃，
°C
T
J
T
英镑
工作结温
储存温度
1.该值根据Rthj -的pcb额定
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. vaule是根据Rthj -C评分
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB （ 1 ）
R
THJ -印刷电路板（2）
热阻
参数
热阻结到外壳（漏）
热阻结到PCB
热阻结到PCB
价值
2.5
42.8
63.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜，叔< 10秒
2.稳态
3/10
STL15N3LLH5
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15 V，I
D
= 7.5 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=4.5 V
（参见图2）
分钟。
典型值。
9.3
14.5
22.7
4.5
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 15 A，V
GS
=0
I
SD
=15 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
（参见图7 ）
25
17.5
1.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
15
60
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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