新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.00375在V
GS
= 10 V
0.0047在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
34
30
Q
g
（典型值）
35.7 NC
特点
SkyFET
单片TrenchFET
动力
MOSFET和肖特基二极管
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
笔记本CPU核
降压转换器
同步整流开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si4642DY-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道MOSFET
S
肖特基二极管
D
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
34
27
22.7
B，C
18
B，C
70
7
3.1
B，C
45
101
7.8
5
3.5
B，C
2.2
B，C
- 55 150
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大值为
80
° C / W 。
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
29
13
最大
35
16
单位
° C / W
文档编号： 74430
S- 71069 -REV 。 A， 21日， 07
www.vishay.com
1
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
在-State漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.44
36
34
19
17
T
C
= 25 °C
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
5540
790
346
74
35.7
16.8
10.7
1.5
76
180
53
50
17
24
46
9
2.3
115
270
80
75
26
36
70
15
7
70
0.53
55
52
ns
Ω
110
54
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 100 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
40
0.0031
0.0039
108
0.00375
0.0047
0.05
5.5
30
1.5
3
± 100
0.2
50
V
nA
mA
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源体二极管和肖特基特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 74430
S- 71069 -REV 。 A， 21日， 07
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
70
V
GS
= 10直通4 V
56
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
1.2
1.0
0.8
42
0.6
28
0.4
T
C
= 125 °C
14
3
V
0
0.0
0.2
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
0.0050
7000
6000
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ ）
0.0045
V
GS
= 4.5 V
0.0040
C - C
a
p
a
CIT
a
NCE （PF ）
5000
4000
3000
2000
传输特性
C
国际空间站
0.0035
V
GS
= 10 V
0.0030
1000
0.0025
0
10
20
30
40
50
60
0
0
C
RSS
6
C
OSS
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
1.7
I
D
= 20 A
V
G
S
- G
a
TE-用于─
S
o
u
RCE伏
a
GE （ V）
8
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
的nCE
（范
a
lized ）
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
4
1.5
电容
V
GS
= 4.5 V
1.3
V
GS
= 10 V
1.1
2
0.9
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 74430
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3
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.015
I
D
= 20 A
r
D
S
（上）
- 0：N -回复
s
i
s
t
a
NCE （ ）
0.012
I
S
-
S
o
u
RCE
u
rrent （ A）
10
T
J
= 150 °C
0.009
T
J
= 25 °C
1
0.006
25 °C
0.003
125 °C
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.1
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.01
I
R
- 反向（ A）
30
V
0.001
10 V
20 V
功率（W）的
160
120
0.0001
80
0.00001
40
0.000001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
反向电流（肖特基）
100
*有限
by
r
DS （ ON）
10
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1
s
0.1
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
0.01
0.01
*V
GS
0.1
1
10
10
s
dc
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
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4
文档编号： 74430
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新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
45
36
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
27
18
9
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
10
2.0
8
1.6
功率（W）的
6
动力
4
1.2
0.8
2
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 外壳温度（ ° C）
功率降额，结到脚
功率降额，结到环境
*
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
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Si4642DY
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N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.00375在V
GS
= 10 V
0.0047在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
34
30
Q
g
（典型值）
35.7 NC
特点
SkyFET
单片TrenchFET
动力
MOSFET和肖特基二极管
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
笔记本CPU核
降压转换器
同步整流开关
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
订货信息：
Si4642DY-T1-E3
（铅（Pb ） - 免费）
8
7
6
5
D
D
D
D
G
N沟道MOSFET
S
肖特基二极管
D
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
34
27
22.7
B，C
18
B，C
70
7
3.1
B，C
45
101
7.8
5
3.5
B，C
2.2
B，C
- 55 150
单位
V
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
A
mJ
最大功率耗散
W
工作结存储温度范围
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
B，D
最大结到脚（漏极）
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
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。在稳态条件下最大值为
80
° C / W 。
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型值
29
13
最大
35
16
单位
° C / W
文档编号： 74430
S- 71069 -REV 。 A， 21日， 07
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1
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
在-State漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 13 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 2 A
0.44
36
34
19
17
T
C
= 25 °C
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 3
Ω
I
D
5 A，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 1
Ω
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V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V, V
GS
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5540
790
346
74
35.7
16.8
10.7
1.5
76
180
53
50
17
24
46
9
2.3
115
270
80
75
26
36
70
15
7
70
0.53
55
52
ns
Ω
110
54
nC
pF
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
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GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
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J
= 100 °C
V
DS
≥
5 V, V
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V
GS
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V
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D
= 15 A
V
DS
= 15 V，I
D
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40
0.0031
0.0039
108
0.00375
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0.05
5.5
30
1.5
3
± 100
0.2
50
V
nA
mA
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源体二极管和肖特基特性
A
V
ns
nC
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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2
文档编号： 74430
S- 71069 -REV 。 A， 21日， 07
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
70
V
GS
= 10直通4 V
56
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
1.2
1.0
0.8
42
0.6
28
0.4
T
C
= 125 °C
14
3
V
0
0.0
0.2
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
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1.0
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2.0
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V
DS
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V
GS
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输出特性
0.0050
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6000
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D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
NCE （ ）
0.0045
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GS
= 4.5 V
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C - C
a
p
a
CIT
a
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5000
4000
3000
2000
传输特性
C
国际空间站
0.0035
V
GS
= 10 V
0.0030
1000
0.0025
0
10
20
30
40
50
60
0
0
C
RSS
6
C
OSS
12
18
24
30
I
D
- 漏电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
10
1.7
I
D
= 20 A
V
G
S
- G
a
TE-用于─
S
o
u
RCE伏
a
GE （ V）
8
r
D
S
（上）
- 在铼
s
i
s
t
a
的nCE
（范
a
lized ）
V
DS
= 10 V
6
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
4
1.5
电容
V
GS
= 4.5 V
1.3
V
GS
= 10 V
1.1
2
0.9
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
导通电阻与结温
文档编号： 74430
S- 71069 -REV 。 A， 21日， 07
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3
新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
100
0.015
I
D
= 20 A
r
D
S
（上）
- 0：N -回复
s
i
s
t
a
NCE （ ）
0.012
I
S
-
S
o
u
RCE
u
rrent （ A）
10
T
J
= 150 °C
0.009
T
J
= 25 °C
1
0.006
25 °C
0.003
125 °C
0.1
0.0
0.000
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
-
源极到漏极
电压（V）的
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
源极 - 漏极二极管正向电压
0.1
200
导通电阻与栅极至源极电压
0.01
I
R
- 反向（ A）
30
V
0.001
10 V
20 V
功率（W）的
160
120
0.0001
80
0.00001
40
0.000001
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
0
0.001
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
反向电流（肖特基）
100
*有限
by
r
DS （ ON）
10
I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
单脉冲功率，结到环境
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
1
s
0.1
T
C
= 25 °C
单身
脉冲
0.01
0.01
*V
GS
0.1
1
10
10
s
dc
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
at
其中R
DS （ ON）
is
特定网络版
安全工作区
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文档编号： 74430
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新产品
Si4642DY
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
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I
D
- DR
a
在C
u
rrent （ A）
27
18
9
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
10
2.0
8
1.6
功率（W）的
6
动力
4
1.2
0.8
2
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 外壳温度（ ° C）
功率降额，结到脚
功率降额，结到环境
*
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上显示更多有用
sipation极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
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