【SPICE器件模型Si4465ADYVishay Siliconix公司P沟道1.8 -V （G -】,IC型号SI4465ADY,SI4465ADY PDF资料,SI4465ADY经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE器件模型Si4465ADY

Vishay Siliconix公司

P沟道1.8 -V （G -S ）的MOSFET

特征

P沟道垂直DMOS

宏模型（子电路模型）

3级MOS

同时申请线性和开关应用

在精确的

至125°C温度范围

模型的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复

特征

描述

所附的SPICE模型描述了典型的电

的p沟道垂直DMOS的特性。子电路

模型中提取并优化过

至125℃

脉冲0 V至5 V栅极驱动下的温度范围。该

饱和输出阻抗是在靠近栅极偏压最佳拟合

阈值电压。

一种新颖的栅极 - 漏极电容的反馈网络是用来模拟

同时避免收敛困难的栅极电荷特性

交换的C

模型。所有的模型参数值进行了优化

以提供最适合于所测量的电数据，并且不

目的是作为该装置的一个具体的物理解释。

子电路模型示意图

本文档的目的是作为一个SPICE建模准则，不构成商业产品数据表。设计师应该参考相应的

相同数量的保证规范限制的数据表。

文档编号： 74212

S- 61686Rev 。 A， 01 -JAN- 07

www.vishay.com

SPICE器件模型Si4465ADY

Vishay Siliconix公司

规格（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

栅极阈值电压

通态漏电流

GS （ TH）

D（上）

= V

, I

250 A

≤ 5

V, V

4.5

V，I

漏源导通电阻

符号

测试条件

模拟

数据

0.61

410

0.0074

0.0092

0.012

0.82

测

数据

单位

0.0075

0.0092

0.013

0.57

DS （ ON）

2.5

V，I

1.8

V，I

正向跨导

二极管的正向电压

V，I

2.1

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V, V

4.5

V，I

笔记

一。脉冲测试;脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

B 。通过设计保证，不受生产测试。

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S- 61686Rev 。 A， 01 -JAN- 07

SPICE器件模型Si4465ADY

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与实测数据模型的比较（T

= 25 ° C除非另有说明）

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文档编号： 91000

修订： 18 -JUL- 08

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