S595TX/S595TXR/S595TXRW
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
± V
G1/G2SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
100
20
50
8
0.8
14
1.0
250
20
1.4
单位
V
V
μA
μA
nA
μA
mA
V
± I
G1S
= 10 mA时, V
G2S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时, V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
- I
G1SS
± I
G2SS
I
DSS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
- V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏电流
自偏置工作电流
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ,V
G2S
= 4 V
V
DS
= 5 V, V
G1S
= NC ,我
D
= 20
μA
注意事项1号门关断模式:
在1号门无需外部直流电压工作模式!
关机,在1号门与V
G1S
< 0.7 V是可行的。
采用集电极开路开关晶体管( PLL内) ,将10 kΩ的集电极电阻。
AC电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V,I
D
= I
DSP
, F = 1兆赫
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒,G
L
= 0.5毫秒,
F = 200 MHz的
G
S
= 3,3毫秒,G
L
= 1毫秒,
F = 800 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
G
ps
17
民
27
典型值。
30
1.8
20
1.0
28
22
最大
35
2.2
30
单位
mS
pF
fF
pF
dB
dB
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文档编号85083
修订版1.3 , 05月, 08
S595TX/S595TXR/S595TXRW
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85083
修订版1.3 , 05月, 08
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