Si3441DV
2001年4月
初步
Si3441DV
P沟道2.5V指定的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道2.5V指定用途MOSFET
飞兆半导体低电压的PowerTrench工艺。它有
经过优化的电池电源管理
应用程序。
特点
-3.5 A， -20 V.
低栅电荷
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
= 80毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 110毫欧@ V
GS
= –2.5 V
应用
电池管理
负荷开关
电池保护
D
D
S
1
2
G
6
5
4
SuperSOT -6
TM
D
D
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–3.5
–20
1.6
0.8
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.441
设备
Si3441DV
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
生产的Si3441DV版本A （ W）
Si3441DV
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏，正向
门体泄漏，反向
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
民
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–12
–1
100
–100
毫伏/°C的
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
A
I
D
= –250
A,
参考25 ℃下
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –3.5 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= –3.1 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.5A ，T
J
=125°C
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –3.5 A
–0.4
–0.8
3
60
82
77
–1.5
V
毫伏/°C的
80
110
112
m
I
D（上）
g
FS
–10
11
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
779
121
56
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
根
= 6
10
9
27
11
20
19
43
20
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –3.5 A,
7.2
1.7
1.5
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –1.3 A
（注2 ）
–1.3
–0.8
–1.2
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装时， 156 ° C / W
对2盎司最小焊盘
铜
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
生产的Si3441DV版本A （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
星* POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H1
Si3441DV
Vishay Siliconix公司
P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
- 20
r
DS （ ON）
(W)
0.10 @ V
GS
= - 4.5 V
0.135 @ V
GS
= - 2.5 V
I
D
(A)
b
- 3.3
- 2.9
(4) S
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(1, 2, 5, 6) D
P沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25_C
连续漏电流（T
J
= 150_C)
A，B
T
A
= 70_C
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
最大功率耗散
A，B
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
I
DM
I
S
- 1.6
2.0
1.28
- 55 150
I
D
- 2.6
- 16
- 0.8
0.96
0.6
W
_C
- 1.8
A
符号
V
DS
V
GS
5秒
- 20
"8
- 3.3
稳定状态
单位
V
- 2.3
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大
M I
J
结到环境
a
TI T A双向吨
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
50
106
40
最大
62.5
130
50
单位
° C / W
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面安装在FR4板。
B 。吨
v
5秒
通过万维网SPICE模型信息： http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
文档编号： 71839
S- 20211 -REV 。 G， 01 -APR- 02
www.vishay.com
1
Si3441DV
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 4.5 V
I
D( )
D（上）
V
DS
= - 5 V, V
GS
= - 2.5 V
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3.3 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
= - 2.5 V，I
D
= - 2.9 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 3.3 A
I
S
= - 1.6 A，V
GS
= 0 V
- 10
-4
0.067
0.100
8
0.8
- 1.2
0.10
0.135
W
S
V
A
- 0.45
- 0.95
"100
-1
-5
V
nA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
导通状态
在国家漏极电流
a
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= - 1.6 A ， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= - 10 V ，R
L
= 10
W
I
D
^
- 1.6 A，V
根
= - 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= - 10 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 3.3 A
5.5
1.2
1.1
15
40
40
50
50
50
60
80
70
80
ns
14
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 71839
S- 20211 -REV 。 G， 01 -APR- 02
Si3441DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
16
V
GS
= 4.5直通3 V
T
C
= - 55_C
12
I D - 漏电流（ A）
2.5 V
I D - 漏电流（ A）
12
125_C
25_C
16
传输特性
8
2V
4
1, 0.5 V
1.5 V
8
4
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.30
1200
电容
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.24
- 电容（pF ）
1000
800
C
国际空间站
0.18
600
0.12
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
400
C
OSS
C
RSS
0.06
200
0.00
0
4
8
I
D
- 漏电流（ A）
12
16
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.3 A
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
4
1.4
1.6
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.3 A
3
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温（ ° C）
文档编号： 71839
S- 20211 -REV 。 G， 01 -APR- 02
www.vishay.com
3
Si3441DV
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.24
0.30
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
1
T
J
= 150_C
0.18
I
D
= 3.3 A
0.12
0.1
T
J
= 25_C
0.01
0.06
0.001
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.00
0
2
4
6
8
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
20
单脉冲功率
0.3
16
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
0.1
功率（W）的
12
T
J
= 25_C
单一时脉
8
0.0
4
- 0.1
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
T
J
- 温度（℃ ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5℃ / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
4.表层嵌
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
文档编号： 71839
S- 20211 -REV 。 G， 01 -APR- 02
4
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日前，Vishay
放弃
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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