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SD1285
RF &微波晶体管
短波单边带应用
.
.
.
.
.
.
30兆赫
12.5伏
共发射极
镀金
IMD
30分贝
P
OUT
=
20瓦最小。 15 dB的增益
0.380 4LFL （ M113 ）
环氧树脂密封
订货编号
SD1285
BRANDING
SD1285
引脚连接
描述
该SD1285是12.5 V外延NPN平面
晶体管主要用于SSB通信
系统蒸发散。该器件采用发射极平衡，以
实现在恶劣的能操作的极端耐用性
阿婷条件。
绝对最大额定值
(T
例
=
25
°
C)
符号
参数
价值
单位
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
器件的电流
功耗
结温
储存温度
36
18
4.0
4.5
80
+200
65 150
V
V
V
A
W
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
结 - 壳热阻
1992年10月
2.2
° C / W
1/3
SD1285
电气规格
(T
例
=
25
°
C)
STATIC
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
h
FE
I
C
=
50mA
I
C
=
50mA
I
C
=
50mA
I
E
=
5mA
V
CE
=
15V
V
CE
=
5V
I
E
=
0mA
V
BE
=
0V
I
B
=
0mA
I
C
=
0mA
I
E
=
0mA
I
C
=
1A
36
36
18
4.0
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
200
V
V
V
V
mA
—
动态
符号
测试条件
价值
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
P
OUT
G
P
IMD
C
OB
注意：
P
I N
f
=
30兆赫
f
=
30兆赫
f
=
30兆赫
f
=
1兆赫
=
0.65
W
V
CC
=
12.5 V
V
CC
=
12.5 V
V
CC
=
12.5 V
V
CB
=
12.5 V
I
CQ
=
25毫安
I
CQ
=
25毫安
I
CQ
=
25毫安
20
15
—
—
—
18
—
100
—
—
30
—
W
dB
dB
pF
2/3
SD1285
包装机械数据
参考：的Dwg 。 No.12-0113
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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1994 SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
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3/3
SD1285
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI SD1285
是专为
在商业宽带运营
和业余通信
设备高达30 MHz 。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点：
P
G
= 15分贝分钟。在20W / 30兆赫
IMD
= -30 dBc的最大值。在20瓦特
（PEP）
Omnigold
金属化系统
发射极镇流
E
B
C
D
F
E
C
E
.125 NOM 。
，完全R
J
.125
G
H I
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
4.5 A
36 V
18 V
4.0 V
80瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
2.2 C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
ob
G
P
IMD
3
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 5.0毫安
V
CE
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
36
18
36
4.0
5.0
单位
V
V
V
V
mA
---
pF
dB
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 30 MHz的
10
100
15
18
200
V
CB
= 12.5 V
I
CQ
= 25毫安
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
20瓦特
（PEP）
-30
dBc的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本B
1/1
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SB48U15-15
SMDT-70I-16
S29CD016G0JFAN003
ST92250R1T6
S-80808CLUA-B9N-T2
S5KP58A
S71PL129JB0BFI9B3
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型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    SD1285
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-23609091
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ST
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M113
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ST
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