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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第147页 > SI3434DV
Si3434DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.034 @ V
GS
= 4.5 V
0.050 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6.1
5.0
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定电压为30 V的N沟道
D
低R
DS （ ON）
对于占位面积
应用
D
的锂离子电池保护
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
30
"12
6.1
稳定状态
单位
V
4.6
3.6
30
A
1.0
1.14
0.73
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
4.9
1.7
2.0
1.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
40
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.042
20
0.8
1.2
0.034
0.050
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
8
1.9
2.6
21
45
40
30
40
40
90
80
60
80
ns
12
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通3.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
2.5 V
12
12
6
2V
1.5 V
6
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
Si3434DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.08
1000
C
国际空间站
800
0.06
V
GS
= 2.5 V
0.04
600
V
GS
= 4.5 V
400
C
OSS
C
RSS
0.02
200
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
6
8
10
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.1 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
www.vishay.com
3
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 1毫安
0.00
功率（W）的
40
30
–0.15
20
–0.30
10
–0.45
–0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–3
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
Si3434DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.034 @ V
GS
= 4.5 V
0.050 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6.1
5.0
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定电压为30 V的N沟道
D
低R
DS （ ON）
对于占位面积
应用
D
的锂离子电池保护
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
30
"12
6.1
稳定状态
单位
V
4.6
3.6
30
A
1.0
1.14
0.73
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
4.9
1.7
2.0
1.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
40
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.042
20
0.8
1.2
0.034
0.050
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
8
1.9
2.6
21
45
40
30
40
40
90
80
60
80
ns
12
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通3.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
2.5 V
12
12
6
2V
1.5 V
6
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
Si3434DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.08
1000
C
国际空间站
800
0.06
V
GS
= 2.5 V
0.04
600
V
GS
= 4.5 V
400
C
OSS
C
RSS
0.02
200
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
6
8
10
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.1 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
www.vishay.com
3
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 1毫安
0.00
功率（W）的
40
30
–0.15
20
–0.30
10
–0.45
–0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–3
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
www.vishay.com
4
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
Si3434DV
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(W)
0.034 @ V
GS
= 4.5 V
0.050 @ V
GS
= 2.5 V
I
D
(A)
6.1
5.0
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
2.5 V额定电压为30 V的N沟道
D
低R
DS （ ON）
对于占位面积
应用
D
的锂离子电池保护
(1, 2, 5, 6) D
TSOP-6
顶视图
1
6
(3) G
3 mm
2
5
3
4
(4) S
N沟道MOSFET
2.85 mm
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
GS
5秒
30
"12
6.1
稳定状态
单位
V
4.6
3.6
30
A
1.0
1.14
0.73
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
4.9
1.7
2.0
1.3
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
最大结点到环境
a
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
www.vishay.com
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJF
符号
典型
40
90
25
最大
62.5
110
30
单位
° C / W
C / W
1
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 70_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 2 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.1 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.028
0.042
20
0.8
1.2
0.034
0.050
S
V
0.6
"100
1
5
V
nA
mA
m
A
W
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.1 A
8
1.9
2.6
21
45
40
30
40
40
90
80
60
80
ns
12
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 10通3.5 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
3V
24
30
T
C
= –55_C
25_C
125_C
18
传输特性
18
2.5 V
12
12
6
2V
1.5 V
6
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
www.vishay.com
2
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
Si3434DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与漏电流
0.10
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
1200
Vishay Siliconix公司
电容
- 电容（pF ）
0.08
1000
C
国际空间站
800
0.06
V
GS
= 2.5 V
0.04
600
V
GS
= 4.5 V
400
C
OSS
C
RSS
0.02
200
0.00
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
5
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.1 A
4
1.6
导通电阻与结温
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 6.1 A
1.4
3
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
4
6
8
10
1.2
2
1.0
1
0.8
0
0
2
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.10
导通电阻与栅极至源极电压
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.08
I
D
= 2 A
0.06
I
D
= 6.1 A
0.04
I
S
- 源电流（ A）
10
T
J
= 150_C
T
J
= 25_C
0.02
1
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71610
S- 03617 -REV 。 A， 17 -APR- 01
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3
Si3434DV
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
阈值电压
0.30
50
单脉冲功率
0.15
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 1毫安
0.00
功率（W）的
40
30
–0.15
20
–0.30
10
–0.45
–0.60
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
–3
10
–2
10
–1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 90C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
归瞬态热阻抗，结到脚
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
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