【SI230 6N沟道增强型网络场效晶体管特点VDS(V) = 20 VID= 2.8 ARDS （】,IC型号SI2306,SI2306 PDF资料,SI2306经销商,ic,电子元器件-51电子网

SI230 6

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

(V) = 20 V

= 2.8 A

DS （ ON）

- 的60mΩ @ V

= 4.5V

DS （ ON）

= 70mΩ @ V

= 2.5V

低

GS （ TH）

先进的加工技术

对于超低导通电阻高密度电池设计

高功率和电流移交能力

充分界定雪崩电压和电流

等级94V -0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

码头：每MIL -STD- 202方法208

销刀豆网络gurations

请参阅图以下（顶视图）

概述

案例： SOT23

外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类

包装信息

③

①

②

SOT23

单位：mm

绝对最大额定值

= 25° ，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（注1 ）

功率耗散（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

DSS

GSS

, T

英镑

评级

±12

2.8

350

-55到+150

单位

°C

注： 1。安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸，每一个单芯片。

1/3

SI230 6

电气特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

测试条件

= 0V时，我

= 250uA

= 20V, V

= 0V

= ±12V, V

= 0V

最小典型最大

±100

单位

开关特性（注2 ）

基本特征（注2 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250uA

= 4.5V ，我

= 3A

= 2.5V ，我

= 2A

= 10V ，我

= 6A

0.6

0.76

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极

国际空间站

OSS

RSS

= 8V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

562

106

4.86

0.92

1.4

= 10V ，我

=6A,

=4.5V

开关特性

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

D（上）

D（关闭）

= 10V ，我

= 1Α,

根

= 4.5V ，R

= 6

注意：用于最小化自加热效应2.短持续时间的测试脉冲。

典型性能特性

=2.0V

=1.5V

=1.0V

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

=2.5,3.0,3.5,4.0,4.5V

-55 C

25 C

125 C

，漏电流（ A）

，漏源电压（V ）

，漏电流（ A）

图1.输出特性

，栅 - 源极电压（ V）

图2.传输特性

2/3

SI230 6

1000

800

700

600

500

400

300

200

100

DS （ ON）

归一化

DS （ ON）

，导通电阻（毫欧）

-50

100

150

900

C，电容（pF ）

，漏极至源极电压（ V）

图3.电容

TJ ，结温（ C）

图4.导通电阻比。温度

1.0

，栅源

阈值电压（ V）

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-50

是，源极 - 漏极电流（ A）

125 C

25 C

-1

-55 C

-2

TJ ，结温（ C）

图5.门Thershold比。温度

100

150

-3

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

图6.体二极管正向电压

与源电流

，体二极管正向电压（ V）

3/ 3

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