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沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com

描述

该SC1110是一款低成本，功能齐全，同步

电压模式控制装置设计成产生端接

在双倍数据速率（ DDR ）内存系化电压

统和其他的应用中的数据总线需要

要积极终止。的同步控制

MOSFET半桥功率可双向流动

定向。终止电压可以紧紧地

调节，以跟踪所述芯片组的电压，也就是要准确地

50％的，在任何时候。

该SC1110是理想的低成本实施之三的

mination电源电压。 SC1110的功能包括

温度补偿的电压基准，三角

波振荡器和电流检测比较器电路，

并允许使用廉价的N沟道功率的

开关。

在SC1110工作在固定的250kHz ，提供了一个

效率，瞬态之间的最佳折衷

性能，外部组件的尺寸和成本。

特点

=

产生的终止电压为主动端接

=

=

=

=

=

=

=

=

化计划

1 ％设定值精确度

对于± 7A的输出电流，瞬时调控bet-

之三大于± 80mV的

V

REFIN

引脚可用

缓冲V

REFOUT

系统使用

R

DSON

感应过电流保护打嗝

模式

软启动和逻辑使能输入

250kHz的切换至最佳的瞬态和效率

性能

栅极驱动能力为0.5A采购和下沉

应用

=

对于DDR内存系统

=

对于高速逻辑有源终端方案

系统

订购信息

设备

(1)

包

SO-14

温度。范围（T

J

)

0 - 125°C

SC1110CSTR

注意：

典型应用电路

REFOUT

（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄

包含2500设备。

+5Vcc

+

R1

5k

C1

0.01

R2

1.24k

C2

0.1

R3

10

U1

SC1110

VCC

REFOUT

14

R4

1k

C4

0.022

C7

1.0

C8,9

2个10uF的

C10,11

2× 560uF

VIN为2.5V

_

1

SS / ENBL

2

C3

0.1

PWRGD

4

C25

0.1

5

SS / ENBL

REFIN

13

R5

1k

3

OCSET

SENSE

12

R6

4.7k

C5

0.047

PWRGD

COMP

11

GND

BSTL

10

D1

MBRM120

6

相

BSTH

9

R7

2.2

R8

2.2

Q1

Si9426DY

Q2

Si9426DY

C12-14

3× 560uF

C15-24

10× 10uF的

C6

1.0

L1

800 nH的

7

DL

DH

8

+

VOUT = 1.25V @ 7A

_

C 10-14 ：三洋， 4SP560M

C8,9,15-24 ： TDK ， CC3216AX5R0J106K

L1 ：松下， ETQP6F0R8L或法尔科， QPIP1205-809-3

Q1 ， Q2的选项： Si9426DY ， FDS6890A ， IRF7401

D1 ：安森美半导体（摩托罗拉）

1

2000 SEMTECH CORP 。

652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320

沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

绝对最大额定值

参数

V

CC

， BSTL到GND

PGND到GND

相对于GND

BSTH以相

热阻结到外壳

热阻结到环境

工作温度范围

存储温度范围

引线温度（焊接） 10秒

θ

JC

θ

JA

T

A

T

英镑

T

领导

符号

V

IN

最大

-0.5到14

± 0.5

-0.5到18

14

45

115

0到70

-65到+150

300

单位

V

V

V

V

° C / W

° C / W

°C

°C

°C

电气特性

除另有规定： V

CC

= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V

O

; V

BSTL

= 12V; V

BSTH -PHASE

= 12V ;牛逼

J

= 25

o

C

参数

电源

电源电压

电源电流

线路调整

欠压锁定

导通阈值

关断阈值

误差放大器器

跨

开环DC增益

带宽-3dB

COMP源能力

输入偏置

振荡器

振荡器频率

振荡器的最大占空比

斜坡的高度

定时

最小关断时间

死区时间

80

100

ns

ns

225

90

250

95

1

275

千赫

%

V

2

50

500

±250

5

8

mS

dB

千赫

A

A

待定

待定

4.2

4.0

待定

待定

V

V

V

CC

EN = V

CC

V

IN

= 2.5 ± 0.5V, V

O

= V

IN

/2 @ 0A

4.4

8

0.5

12.6

V

mA

%

条件

民

典型值

最大

单位

2

2000 SEMTECH CORP 。

652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320

沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

电气特性

除另有规定： V

CC

= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V

O

; V

BSTL

= 12V; V

BSTH -PHASE

= 12V ;牛逼

J

= 25

o

C

参数

MOSFET驱动器

峰值DH吸入/源出电流

BSTH - DH = 4.5V ， DH - PHASE = 3.0V

DH - PHASE = 1.5V

山顶DL吸入/源出电流

BSTL - DL = 4.5V ， DL - GND = 3.0V

DL - GND = 1.5V

保护

过电流设置ISOURCE

软启动

充电电流

放电电流

电源良好

阈值上限

阈值下限

PWRGD电压低

参考

REFOUT源电流

输入偏置

注意：

（1）规范是指应用电路（图1 ）。

条件

民

典型值

最大

单位

0.5

0.1

0.5

0.1

A

A

V

OCSET

= 4.5V

V

SS

= 1.5V

V

SS

= 1.5V

180

200

220

A

10

2

A

A

112

88

I

PWRGD

= 2毫安

3

5

8

0.5

%

%

V

mA

A

框图

3

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导言 - 2000年10月9日

SC1110

引脚配置

顶视图

（ 14引脚SOIC ）

引脚说明

针＃

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

注意：

（ 1）逻辑电平输入和输出开路集电极TTL兼容。

引脚名称

VCC

SS / ENBL

OCSET

PWRGD

GND

相

DL

DH

BSTH

BSTL

COMP

SENSE

REFIN

REFOUT

引脚功能

芯片的电源电压。

软启动/启用。

电流限制设定点。

逻辑高电平表示正确的输出。

地面上。

与MOSFET的结点相连接。

低侧驱动器输出。

高侧驱动器输出。

高侧驱动电源。

低侧驱动电源。

误差放大器输出的补偿。

误差放大器负输入端。

误差放大器的同相输入。

缓冲基准电压。

4

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终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

工作原理

同步降压转换器

V

终止

功率由同步设置，

电压模式脉冲宽度调制（PWM）控制器。

本节的所有构建所需的功能

高效率同步降压转换器termi-

国家电力应用。

同步转换器的输出电压被设置

并且由误差放大器的输出控制。该

电阻分压器产生的参考电压为

从外部芯片组的电压误差放大器，其

通常是2.5V 。误差放大器的反相输入端

从SENSE引脚接收到的电压。

内部振荡器使用一个片上电容器并

修剪精密电流源设定振荡

频率为250kHz 。对骨质的三角形输出

cillator设定参考电压的反相输入端

PWM比较器。的非反相输入

比较器接收来自误差它的输入电压

放大器。当该振荡器输出电压下降BE-

低误差放大器的输出电压，则比较器

输出为高电平。这拉DL低，关闭低

侧FET和DH被拉高，开启高

侧FET （一旦交叉电流控制允许的话）。

当振荡器电压回升到高于错误

放大器的输出电压，则比较器的输出变为

低。这拉DH低，关闭高侧FET ，

和DL拉高，开启低边FET

（一次交当前控制允许的话）。

如SENSE的增加，错误的输出电压

放大器降低。这将导致在导通的降低

高侧MOSFET连接到DH的时候，

因此降低了输出电压。

欠压锁定

在SC1110 AS-的欠压锁定电路

祖雷斯贝尔，无论是高边MOSFET驱动器输出

保持在关断状态时的电源电压

低于设定的参数。发生停摆，如果V

CC

瀑布

下面4.0V 。恢复正常运行，一旦V

CC

上升

上面的4.2V 。

软启动

首先， SS / ENABLE源电流为10μA

充电的外部电容器。错误的输出

放大器被钳位到正比于电压

电压SS / ENABLE 。这限制了导通时间

高侧MOSFET ，从而导致受控的斜坡

向上的输出电压的。

R

DS （ ON）

限流

电流限制阈值，通过连接EX-设置

从V ternal电阻

CC

供应OCSET 。该电压

电阻两端年龄下降是由于在200μA间

最终水槽设置在引脚上的电压。这个电压是

相比于在PHASE节点的电压。这

当高侧驱动器是比较只发

高以避免误限流触发，由于不整合

贡从MOSFET的场外测试

电压。当在相位上的电压小于

电压OCSET ，过流情况发生

并开始软启动周期。同步

切换关闭和SS / ENABLE开始下沉2μA 。

当SS / ENABLE达到0.8V时，再开始

来源10μA和一个新的周期开始。

打嗝模式

在上电时， SS / ENABLE引脚在内部是

拉低，直到VCC达到欠压锁定

4.2V的电平。一旦V

CC

已达到4.2V时，SS / EN-

ABLE引脚被释放，并开始对源10μA

外部软启动电容电流。由于软

启动电压上升时，内部误差的输出上午

plifier被夹持于该电压。当误差信号

到达内部三角形振荡器的水平，

从1V其摆动至2V在250的固定频率

千赫，发生切换。作为误差信号的杂交

在振荡器信号时，PWM的占空比

信号继续增加，直到输出变为

调节。如果过流条件已经过程中不会发生

curred软启动电压将会继续上升，

在2.2V左右稳定下来。

过电流状况发生时，高边时，

驱动器被打开，但PHASE节点不

达到的电压电平设定在OCSET销。该

PHASE节点，每个周期采样一次在

谷三角振荡器。一旦出现过电流

发生时，这两个高侧和低侧驱动器关闭

而SS / ENABLE引脚开始下沉降至2uA 。该软

启动电压开始下降为电流降至2uA的

租金放电外接电容。当软

启动电压达到0.8V时，SS / ENABLE引脚将是─

金酒源为10uA ，并开始充电外

电容引起的软启动电压再次上升。

再次，当软启动电压达到的水平

内部振荡器，会发生切换。

如果过流条件不再存在，去甲

MAL操作将继续。如果过电流条件

重刑仍然存在，在SS / ENABLE引脚将重新开始

下沉降至2uA 。这种循环会一直继续下去，直到

过流条件消除。

5

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沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

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SC1110

电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com

描述

该SC1110是一款低成本，功能齐全，同步

电压模式控制装置设计成产生端接

在双倍数据速率（ DDR ）内存系化电压

统和其他的应用中的数据总线需要

要积极终止。的同步控制

MOSFET半桥功率可双向流动

定向。终止电压可以紧紧地

调节，以跟踪所述芯片组的电压，也就是要准确地

50％的，在任何时候。

该SC1110是理想的低成本实施之三的

mination电源电压。 SC1110的功能包括

温度补偿的电压基准，三角

波振荡器和电流检测比较器电路，

并允许使用廉价的N沟道功率的

开关。

在SC1110工作在固定的250kHz ，提供了一个

效率，瞬态之间的最佳折衷

性能，外部组件的尺寸和成本。

特点

=

产生的终止电压为主动端接

=

=

=

=

=

=

=

=

化计划

1 ％设定值精确度

对于± 7A的输出电流，瞬时调控bet-

之三大于± 80mV的

V

REFIN

引脚可用

缓冲V

REFOUT

系统使用

R

DSON

感应过电流保护打嗝

模式

软启动和逻辑使能输入

250kHz的切换至最佳的瞬态和效率

性能

栅极驱动能力为0.5A采购和下沉

应用

=

对于DDR内存系统

=

对于高速逻辑有源终端方案

系统

订购信息

设备

(1)

包

SO-14

温度。范围（T

J

)

0 - 125°C

SC1110CSTR

注意：

典型应用电路

REFOUT

（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄

包含2500设备。

+5Vcc

+

R1

5k

C1

0.01

R2

1.24k

C2

0.1

R3

10

U1

SC1110

VCC

REFOUT

14

R4

1k

C4

0.022

C7

1.0

C8,9

2个10uF的

C10,11

2× 560uF

VIN为2.5V

_

1

SS / ENBL

2

C3

0.1

PWRGD

4

C25

0.1

5

SS / ENBL

REFIN

13

R5

1k

3

OCSET

SENSE

12

R6

4.7k

C5

0.047

PWRGD

COMP

11

GND

BSTL

10

D1

MBRM120

6

相

BSTH

9

R7

2.2

R8

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Q1

Si9426DY

Q2

Si9426DY

C12-14

3× 560uF

C15-24

10× 10uF的

C6

1.0

L1

800 nH的

7

DL

DH

8

+

VOUT = 1.25V @ 7A

_

C 10-14 ：三洋， 4SP560M

C8,9,15-24 ： TDK ， CC3216AX5R0J106K

L1 ：松下， ETQP6F0R8L或法尔科， QPIP1205-809-3

Q1 ， Q2的选项： Si9426DY ， FDS6890A ， IRF7401

D1 ：安森美半导体（摩托罗拉）

1

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652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320

沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

绝对最大额定值

参数

V

CC

， BSTL到GND

PGND到GND

相对于GND

BSTH以相

热阻结到外壳

热阻结到环境

工作温度范围

存储温度范围

引线温度（焊接） 10秒

θ

JC

θ

JA

T

A

T

英镑

T

领导

符号

V

IN

最大

-0.5到14

± 0.5

-0.5到18

14

45

115

0到70

-65到+150

300

单位

V

V

V

V

° C / W

° C / W

°C

°C

°C

电气特性

除另有规定： V

CC

= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V

O

; V

BSTL

= 12V; V

BSTH -PHASE

= 12V ;牛逼

J

= 25

o

C

参数

电源

电源电压

电源电流

线路调整

欠压锁定

导通阈值

关断阈值

误差放大器器

跨

开环DC增益

带宽-3dB

COMP源能力

输入偏置

振荡器

振荡器频率

振荡器的最大占空比

斜坡的高度

定时

最小关断时间

死区时间

80

100

ns

ns

225

90

250

95

1

275

千赫

%

V

2

50

500

±250

5

8

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dB

千赫

A

A

待定

待定

4.2

4.0

待定

待定

V

V

V

CC

EN = V

CC

V

IN

= 2.5 ± 0.5V, V

O

= V

IN

/2 @ 0A

4.4

8

0.5

12.6

V

mA

%

条件

民

典型值

最大

单位

2

2000 SEMTECH CORP 。

652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320

沉型和源型DC / DC控制器的

终止电源应用

导言 - 2000年10月9日

SC1110

电气特性

除另有规定： V

CC

= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V

O

; V

BSTL

= 12V; V

BSTH -PHASE

= 12V ;牛逼

J

= 25

o

C

参数

MOSFET驱动器

峰值DH吸入/源出电流

BSTH - DH = 4.5V ， DH - PHASE = 3.0V

DH - PHASE = 1.5V

山顶DL吸入/源出电流

BSTL - DL = 4.5V ， DL - GND = 3.0V

DL - GND = 1.5V

保护

过电流设置ISOURCE

软启动

充电电流

放电电流

电源良好

阈值上限

阈值下限

PWRGD电压低

参考

REFOUT源电流

输入偏置

注意：

（1）规范是指应用电路（图1 ）。

条件

民

典型值

最大

单位

0.5

0.1

0.5

0.1

A

A

V

OCSET

= 4.5V

V

SS

= 1.5V

V

SS

= 1.5V

180

200

220

A

10

2

A

A

112

88

I

PWRGD

= 2毫安

3

5

8

0.5

%

%

V

mA

A

框图

3

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SC1110

引脚配置

顶视图

（ 14引脚SOIC ）

引脚说明

针＃

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

注意：

（ 1）逻辑电平输入和输出开路集电极TTL兼容。

引脚名称

VCC

SS / ENBL

OCSET

PWRGD

GND

相

DL

DH

BSTH

BSTL

COMP

SENSE

REFIN

REFOUT

引脚功能

芯片的电源电压。

软启动/启用。

电流限制设定点。

逻辑高电平表示正确的输出。

地面上。

与MOSFET的结点相连接。

低侧驱动器输出。

高侧驱动器输出。

高侧驱动电源。

低侧驱动电源。

误差放大器输出的补偿。

误差放大器负输入端。

误差放大器的同相输入。

缓冲基准电压。

4

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工作原理

同步降压转换器

V

终止

功率由同步设置，

电压模式脉冲宽度调制（PWM）控制器。

本节的所有构建所需的功能

高效率同步降压转换器termi-

国家电力应用。

同步转换器的输出电压被设置

并且由误差放大器的输出控制。该

电阻分压器产生的参考电压为

从外部芯片组的电压误差放大器，其

通常是2.5V 。误差放大器的反相输入端

从SENSE引脚接收到的电压。

内部振荡器使用一个片上电容器并

修剪精密电流源设定振荡

频率为250kHz 。对骨质的三角形输出

cillator设定参考电压的反相输入端

PWM比较器。的非反相输入

比较器接收来自误差它的输入电压

放大器。当该振荡器输出电压下降BE-

低误差放大器的输出电压，则比较器

输出为高电平。这拉DL低，关闭低

侧FET和DH被拉高，开启高

侧FET （一旦交叉电流控制允许的话）。

当振荡器电压回升到高于错误

放大器的输出电压，则比较器的输出变为

低。这拉DH低，关闭高侧FET ，

和DL拉高，开启低边FET

（一次交当前控制允许的话）。

如SENSE的增加，错误的输出电压

放大器降低。这将导致在导通的降低

高侧MOSFET连接到DH的时候，

因此降低了输出电压。

欠压锁定

在SC1110 AS-的欠压锁定电路

祖雷斯贝尔，无论是高边MOSFET驱动器输出

保持在关断状态时的电源电压

低于设定的参数。发生停摆，如果V

CC

瀑布

下面4.0V 。恢复正常运行，一旦V

CC

上升

上面的4.2V 。

软启动

首先， SS / ENABLE源电流为10μA

充电的外部电容器。错误的输出

放大器被钳位到正比于电压

电压SS / ENABLE 。这限制了导通时间

高侧MOSFET ，从而导致受控的斜坡

向上的输出电压的。

R

DS （ ON）

限流

电流限制阈值，通过连接EX-设置

从V ternal电阻

CC

供应OCSET 。该电压

电阻两端年龄下降是由于在200μA间

最终水槽设置在引脚上的电压。这个电压是

相比于在PHASE节点的电压。这

当高侧驱动器是比较只发

高以避免误限流触发，由于不整合

贡从MOSFET的场外测试

电压。当在相位上的电压小于

电压OCSET ，过流情况发生

并开始软启动周期。同步

切换关闭和SS / ENABLE开始下沉2μA 。

当SS / ENABLE达到0.8V时，再开始

来源10μA和一个新的周期开始。

打嗝模式

在上电时， SS / ENABLE引脚在内部是

拉低，直到VCC达到欠压锁定

4.2V的电平。一旦V

CC

已达到4.2V时，SS / EN-

ABLE引脚被释放，并开始对源10μA

外部软启动电容电流。由于软

启动电压上升时，内部误差的输出上午

plifier被夹持于该电压。当误差信号

到达内部三角形振荡器的水平，

从1V其摆动至2V在250的固定频率

千赫，发生切换。作为误差信号的杂交

在振荡器信号时，PWM的占空比

信号继续增加，直到输出变为

调节。如果过流条件已经过程中不会发生

curred软启动电压将会继续上升，

在2.2V左右稳定下来。

过电流状况发生时，高边时，

驱动器被打开，但PHASE节点不

达到的电压电平设定在OCSET销。该

PHASE节点，每个周期采样一次在

谷三角振荡器。一旦出现过电流

发生时，这两个高侧和低侧驱动器关闭

而SS / ENABLE引脚开始下沉降至2uA 。该软

启动电压开始下降为电流降至2uA的

租金放电外接电容。当软

启动电压达到0.8V时，SS / ENABLE引脚将是─

金酒源为10uA ，并开始充电外

电容引起的软启动电压再次上升。

再次，当软启动电压达到的水平

内部振荡器，会发生切换。

如果过流条件不再存在，去甲

MAL操作将继续。如果过电流条件

重刑仍然存在，在SS / ENABLE引脚将重新开始

下沉降至2uA 。这种循环会一直继续下去，直到

过流条件消除。

5

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